【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及悬空波导制备，具体为一种实现悬空波导的方法及其制作工艺。
技术介绍
1、悬空波导主要用于硅光与光纤的端面耦合，悬空结构可以防止光场向衬底硅层的泄露；此外，利用悬空的二氧化硅波导结构还可能形成低折射率差的波导对光场进行展宽，进一步降低与光纤的耦合损耗。
2、目前的悬空结构制作工艺存在最大的问题是悬空结构的机械强度不够，在后续封装测试过程中很容易出现断裂的情况。因此，我们提出了一种制作悬空波导结构的方法，在实现悬空结构的同时能够增强结构的机械强度。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种实现悬空波导的方法及其制作工艺，以解决上述
技术介绍
中提出悬空结构的机械强度不够，在后续封装测试过程中很容易断裂的问题。
2、为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种实现悬空波导的方法及其制作工艺，包括以下制作工艺步骤：
3、s1：对波导、氮化硅波导及其他可能的波导层进行波导的制作；
4、s2：通过等离子体化学气相沉积部分上包层；
5、s3：对悬空结构开孔刻蚀；
6、s4：对悬空结构进行侧向刻蚀；
7、s5：采用usg oxide材料对上包层的开孔区域形成封口；
8、s6：待上包层表面平坦化后可以按照正常晶圆进行后续加工及封装工艺。
9、s7：待相关工艺完成以后，最后进行深硅刻蚀，打开前述s3中的开孔区域，仍能实现二氧化硅的悬空波导结构。
10、优选的，所述
11、优选的，所述步骤s4中侧向刻蚀形成悬空结构尺寸大于开孔刻蚀的尺寸。
12、优选的，所述步骤s5中还可采用teos oxide、hdp oxide材料，且优选用usg oxide材料。
13、优选的，所述步骤中s5usg oxide材料通过沉积工艺实现对开孔区域的填充。
14、优选的，所述步骤中s7深硅刻蚀形成二氧化硅的悬空波导。
15、与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：该实现悬空波导的方法及其制作工艺，能够实现去除端面区域较大的侧向刻蚀增加悬空结构的机械强度，通过悬空波导主要用于硅波导、氮化硅波导等其他波导结构与光纤的端面耦合，悬空结构可以防止光场向衬底硅层的泄露；此外，利用悬空的二氧化硅波导结构还可能形成低折射率差的波导对光场进行展宽，进一步降低与光纤的耦合损耗，此外还能实现无通孔的悬空结构，增加与后续工艺的兼容性，有利于后续bump、tsv等结构的集成。
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1.一种实现悬空波导的方法及其制作工艺，其特征在于，包括以下制作工艺步骤：
2.根据权利要求1所述的一种实现悬空波导的方法及其制作工艺，其特征在于：所述步骤S3中开孔刻蚀的形状为矩形结构。
3.根据权利要求1所述的一种实现悬空波导的方法及其制作工艺，其特征在于：所述步骤S4中侧向刻蚀形成悬空结构尺寸大于开孔刻蚀的尺寸。
4.根据权利要求1所述的一种实现悬空波导的方法及其制作工艺，其特征在于：所述步骤S5中还可采用TEOS oxide、HDP oxide材料，且优选用USG oxide材料。
5.根据权利要求1所述的一种实现悬空波导的方法及其制作工艺，其特征在于：所述步骤中S5中USG oxide材料通过沉积工艺实现对开孔区域的填充。
6.根据权利要求1所述的一种实现悬空波导的方法及其制作工艺，其特征在于：所述步骤中S7中通过深硅刻蚀实现二氧化硅的悬空波导结构。
【技术特征摘要】
1.一种实现悬空波导的方法及其制作工艺，其特征在于，包括以下制作工艺步骤：
2.根据权利要求1所述的一种实现悬空波导的方法及其制作工艺，其特征在于：所述步骤s3中开孔刻蚀的形状为矩形结构。
3.根据权利要求1所述的一种实现悬空波导的方法及其制作工艺，其特征在于：所述步骤s4中侧向刻蚀形成悬空结构尺寸大于开孔刻蚀的尺寸。
4.根据权利要求1所述的一种实现悬空波导的方法及其制作工艺...
【专利技术属性】
技术研发人员：贾连希，
申请(专利权)人：苏州硅光科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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