【技术实现步骤摘要】
本申请涉及但不限于一种获取行锤刷新地址的方法和设备。
技术介绍
1、在半导体存储器中，当存储单元中某一行地址对应的字线被频繁开启时，可能引发相邻地址(一般称为“行锤地址”)的电容器的漏电速率高于自然漏电速率，进而导致相邻地址的电容器在刷新信号到来之前因丢失过多电荷而发生数据丢失，这种情况一般称之为“行锤效应”。为抑制行锤效应，需要对行锤地址进行及时的刷新命令，以重新补充电荷，避免存储数据发生错误。
2、通常有两种获取行锤地址的方式，一种是随机选择一个行地址作为行锤地址，另一种是对每个完整的行地址进行计数。随机选择行地址的方式准确性不高，对每个完整的行地址进行计数方式比较复杂，所需电路结构复杂，对芯片面积消耗较大。
技术实现思路
1、本申请一实施例提供一种获取行锤刷新地址的方法，包括：
2、在上一个行锤刷新信号到来之后，获取当前采样地址，判断在当前行锤刷新周期内是否已经锁定高位地址；
3、若已经锁定，则判断当前采样地址的高位地址是否与在当前行锤刷新周期内已锁定的高位地址是否相同；
4、若相同，则更新已锁定的高位地址的访问频次，以及使用当前采样地址的低位地址更新低位地址的访问频次；
5、在下一个行锤刷新信号到来时，将访问频次最高的低位地址作为行锤刷新地址的低位地址，将已锁定的高位地址作为行锤刷新地址的高位地址。
6、在一些实施例中，方法还包括：
7、若当前采样地址的高位地址与已锁定的高位地址不相同，使用
8、在确定下一个行锤刷新信号没有到来时获取下一个采样地址，判断下一个采样地址的高位地址是否与在当前行锤刷新周期内已锁定的高位地址是否相同。
9、在一些实施例中，方法还包括：
10、若在当前行锤刷新周期内未锁定高位地址，使用当前采样地址的高位地址更新高位地址的访问频次；
11、根据高位地址的访问频次判断是否有满足高位频次条件的高位地址，若是，锁定满足高位频次条件的高位地址，并初始化低位地址的访问频次。
12、在一些实施例中，方法还包括：
13、若记录访问频次的高位地址中没有高位地址满足高位频次条件，在确定下一个行锤刷新信号没有到来时获取下一个采样地址，使用下一个采样地址的高位地址更新高位地址的访问频次，根据高位地址的访问频次判断是否有满足高位频次条件的高位地址。
14、在一些实施例中，高位频次条件包括：
15、高位地址的访问频次大于或者等于第一频次阈值。
16、在一些实施例中，半导体存储器包括低位寄存器组和每个低位寄存器对应的计数器；
17、使用当前采样地址的低位地址更新低位地址的访问频次，具体包括：
18、确定低位寄存器组中是否已存储当前采样地址的低位地址；
19、若有当前采样地址的低位地址，更新当前采样地址的低位地址的访问频次；
20、若没有存储当前采样地址的低位地址，判断低位寄存器组中是否有空闲的低位寄存器；
21、若有空闲的低位寄存器，则在空闲的低位寄存器中存储当前采样地址的低位地址，并更新当前采样地址的低位地址的访问频次。
22、在一些实施例中，半导体存储器包括高位寄存器组和每个高位寄存器对应的计数器；
23、使用当前采样地址的高位地址更新高位地址的访问频次，具体包括：
24、确定高位寄存器组是否已存储当前采样地址的高位地址；
25、若存储有当前采样地址的高位地址，更新当前采样地址的高位地址的访问频次；
26、若没有存储当前采样地址的高位地址，判断高位寄存器组中是否有空闲的高位寄存器；
27、若是，则在空闲的高位寄存器中存储当前采样地址的高位地址，更新当前采样地址的高位地址的访问频次。
28、在一些实施例中，使用当前采样地址的高位地址更新高位地址的访问频次，还包括：
29、若高位寄存器组中没有空闲的高位寄存器，判断是否满足清除条件，若满足清除条件，判断访问频次最小的高位地址是否为已锁定的高位地址；若不是已锁定的高位地址，删除访问频次最小的高位地址所在的高位寄存器内地址数据，并清除对应的访问频次；
30、在删除地址数据的高位寄存器中存储当前采样地址的高位地址，更新当前采样地址的高位地址的访问频次。
31、在一些实施例中，方法还包括：
32、在执行当前行锤刷新周期的行锤刷新操作时，删除访问频次小于第二频次阈值的高位地址所在的高位寄存器内地址数据，并清除对应的访问频次；其中，第二频次阈值和已执行的行锤刷新操作的次数正相关。
33、在一些实施例中，方法还包括：
34、在完成当前行锤刷新周期的行锤刷新操作后，删除低位寄存器组中存储的行锤刷新地址的低位地址，并清除行锤刷新地址的低位地址的访问频次，并在行锤刷新地址中高位地址的访问频次中扣除行锤刷新地址的低位地址的访问频次。
35、在一些实施例中，方法还包括：
36、在完成当前行锤刷新周期的行锤刷新操作后，删除访问频次小于第三频次阈值的低位地址所在的低位寄存器内的地址数据；清除访问频次小于第三频次阈值的低位地址的访问频次；并当前行锤刷新周期内的已锁定的高位地址的访问频次中扣除访问频次小于第三频次阈值的低位地址的总访问频次。
37、在一些实施例中，方法还包括：
38、在下一个行锤刷新信号到来之后，若访问频次最高的高位地址为在上一个行锤刷新周内锁定的高位地址，且上一个行锤刷新周内锁定的高位地址的访问频次满足高位频次条件时，将上一个行锤刷新周内锁定的高位地址作为当前行锤刷新周内的锁定的高位地址，获取下一个采样地址；
39、在下一个行锤刷新信号到来之后，若访问频次最高的高位地址不是在上一个行锤刷新周内锁定的高位地址，且访问频次最高的高位地址满足高位频次条件时，将访问频次最高的高位地址作为当前行锤刷新周内锁定的高位地址，获取下一个采样地址。
40、在一些实施例中，方法还包括：
41、在下一个行锤刷新信号到来之后，若访问频次最高的高位地址不是在上一个行锤刷新周内锁定的高位地址，且访问频次最高的高位地址无法满足高位频次条件时，获取下一个采样地址，并使用下一个采样地址的高位地址更新高位地址的访问频次；并根据高位地址的访问频次判断是否有高位地址满足高位频次条件，若满足，锁定满足高位频次条件的高位地址，并初始化低位地址的访问频次。
42、本申请一实施例提供一种控制设备，用于实现上述实施例所涉及的方法。
43、本申请一实施例提供一种计算机可读存储介质，计算机可读存储介质中存储有计算机执行指令，计算机执行指令被处理器执行时用于实现上述实施例所涉及的方法。
44、本申请一实施例提供一种计算机程序产品，包括计算机程序，该计算机程序被处本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种获取行锤刷新地址的方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述高位频次条件包括：
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，半导体存储器包括低位寄存器组和每个低位寄存器对应的计数器；
7.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于，半导体存储器包括高位寄存器组和每个高位寄存器对应的计数器；
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，使用所述当前采样地址的高位地址更新高位地址的访问频次，还包括：
9.根据权利要求1至3中任意一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
10.根据权利要求1至3中任意一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
11.根据权利要求1至3中任意一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
12.根据权利要求1所述
13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
14.一种控制设备，其特征在于，包括：用于实现如权利要求1至13中任一项所述的方法。
15.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质中存储有计算机执行指令，所述计算机执行指令被处理器执行时用于实现如权利要求1至13任一项所述的方法。
...【技术特征摘要】
1.一种获取行锤刷新地址的方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述高位频次条件包括：
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，半导体存储器包括低位寄存器组和每个低位寄存器对应的计数器；
7.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于，半导体存储器包括高位寄存器组和每个高位寄存器对应的计数器；
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，使用所述当前采样地址的高位地址更新高位地址的访问频次，还包括...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘璐，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。