【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及芯片测试，特别涉及一种pd芯片的暗电流测试电路及系统。
技术介绍
1、pd芯片作为光接收组件的核心，其广泛应用于光通信领域，目前，pd芯片的使用寿命是通过一系列的可靠性测试来评估的，通过评估其暗电流数值的变化来判断芯片性能是否失效，因此，pd芯片的暗电流是一个重要的参数，测试电路采集的暗电流参数的精确度决定了pd芯片的老化效果。
2、现有技术中是使用常规的i-v暗电流采集电路进行数据采集的。但是，pd芯片会随着温度升高而呈指数级增长，其暗电流数据也会发生很大的变化，甚至差几个数量级，现有的测试电路只能对pd芯片的一种数量级暗电流进行测试，导致不同数量级的暗电流测试不便，且降低了暗电流测试的准确性和精度。
技术实现思路
1、本专利技术实施例提供一种pd芯片的暗电流测试电路及系统，以解决相关技术中现有的测试电路只能对pd芯片的一种数量级暗电流进行测试，导致不同数量级的暗电流测试不便，且降低了暗电流测试的准确性和精度的技术问题。
2、第一方面，提供了一种pd芯片的暗电流测试电路，包括：
3、控制器和测试单元，所述测试单元均包括：第一运算放大器、多个采样电阻及第一多路模拟开关；
4、多个所述采样电阻为不同数量级阻值的电阻；
5、所述第一运算放大器的反相端与待测试的pd芯片连接，所述第一运算放大器的同相端接地，多个所述采样电阻串联设于所述第一运算放大器反相端和输出端之间，所述第一运算放大器的输出端与所述控制器连接，所述
6、所述控制器用于控制所述第一多路模拟开关动作，调整在所述第一运算放大器的反相端和输出端之间串联电阻的阻值，测试不同老化条件下待测试的pd芯片的暗电流。
7、一些实施例中，所述测试单元包括：
8、三个不同数量级阻值的采样电阻，三个所述不同数量级阻值的采样电阻分别为第一采样电阻r1、第二采样电阻r2及第三采样电阻r3，所述第一采样电阻、第二采样电阻、第三采样电阻的阻值依次增大；
9、所述第一多路模拟开关为三路模拟开关，当所述第一多路模拟开关为第一位置时，所述第一采样电阻r1、第二采样电阻r2串联设于所述第一运算放大器的反相端和输出端之间，当所述第一多路模拟开关为第二位置时，所述第一采样电阻r1设于所述第一运算放大器的反相端和输出端之间，当所述第一多路模拟开关为第三位置时，所述第一采样电阻r1、第二采样电阻r2、第三采样电阻r3串联设于所述第一运算放大器的反相端和输出端之间。
10、一些实施例中，三个所述不同数量级阻值的采样电阻均为精密电阻。
11、一些实施例中，所述测试单元还包括：
12、保险丝，所述保险丝设于所述待测试的pd芯片与电源之间。
13、一些实施例中，所述测试单元还包括：
14、电容，所述电容的第一端与所述第一运算放大器的反相端连接，第二端与所述第一运算放大器的输出端连接。
15、一些实施例中，所述pd芯片的暗电流测试电路还包括：
16、放大电路，所述放大电路的输入端与所述测试单元的输出端连接，所述放大电路的输出端与所述控制器连接，所述放大电路用于将所述测试单元输出的电压值放大。
17、一些实施例中，所述放大电路包括：
18、第一电阻，所述第一电阻的第一端与所述测试单元的输出端连接；
19、第二运算放大器，所述第二运算放大器的反相端与所述第一电阻的第二端连接，所述第二运算放大器的同相端接地；
20、第二电阻，所述第二电阻的第一端与所述第二运算放大器的反相端连接，第二端与所述第二运算放大器的输出端连接。
21、一些实施例中，所述测试单元为多个，每个暗电流测试电路还包括：
22、第二多路模拟开关，所述第二多路模拟开关的一端与多个所述测试单元连接，另一端与所述放大电路连接，所述第二多路模拟开关还与所述控制器连接，所述控制器控制所述第二多路模拟开关动作，选择与一个所述测试单元串联。
23、一些实施例中，所述第二多路模拟开关为四路模拟开关。
24、第二方面，提供了一种pd芯片的暗电流测试系统，包括前述的pd芯片的暗电流测试电路。
25、本专利技术提供的技术方案带来的有益效果包括：
26、本专利技术实施例提供了一种pd芯片的暗电流测试电路及系统，包括控制器和测试单元，所述测试单元均包括：第一运算放大器、多个采样电阻及第一多路模拟开关，多个所述采样电阻为不同数量级阻值的电阻，所述第一运算放大器的反相端与待测试的pd芯片连接，所述第一运算放大器的同相端接地，多个所述采样电阻串联设于所述第一运算放大器反相端和输出端之间，所述第一运算放大器的输出端与所述控制器连接，所述控制器与所述第一多路模拟开关连接，所述第一多路模拟开关与多个所述采样电阻连接，所述控制器用于控制所述第一多路模拟开关动作，调整在所述第一运算放大器的反相端和输出端之间串联电阻的阻值，测试不同老化条件下待测试的pd芯片的暗电流。本专利技术的暗电流测试电路通过不同数量级阻值的高精度电阻，可灵活测试并采集不同老化条件下的pd芯片的不同数量级的暗电流，提高了暗电流测试的准确性和精度。
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1.一种PD芯片的暗电流测试电路，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的PD芯片的暗电流测试电路，其特征在于，所述测试单元包括：
3.根据权利要求2所述的PD芯片的暗电流测试电路，其特征在于：
4.根据权利要求2所述的PD芯片的暗电流测试电路，其特征在于，所述测试单元还包括：
5.根据权利要求4所述的PD芯片的暗电流测试电路，其特征在于，所述测试单元还包括：
6.根据权利要求1所述的PD芯片的暗电流测试电路，其特征在于，还包括：
7.根据权利要求6所述的PD芯片的暗电流测试电路，其特征在于，所述放大电路包括：
8.根据权利要求6所述的PD芯片的暗电流测试电路，其特征在于，所述测试单元为多个，每个暗电流测试电路还包括：
9.根据权利要求8所述的PD芯片的暗电流测试电路，其特征在于：
10.一种PD芯片的暗电流测试系统，其特征在于，包括权利要求1-9任一项所述的PD芯片的暗电流测试电路。
【技术特征摘要】
1.一种pd芯片的暗电流测试电路，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的pd芯片的暗电流测试电路，其特征在于，所述测试单元包括：
3.根据权利要求2所述的pd芯片的暗电流测试电路，其特征在于：
4.根据权利要求2所述的pd芯片的暗电流测试电路，其特征在于，所述测试单元还包括：
5.根据权利要求4所述的pd芯片的暗电流测试电路，其特征在于，所述测试单元还包括：
6.根据权利要求1所述的p...
【专利技术属性】
技术研发人员：冯建超，刘智航，汪长青，
申请(专利权)人：武汉光谷信息光电子创新中心有限公司，
类型：发明
国别省市：
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