【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种存储器控制技术，尤其涉及一种电压调整方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元。
技术介绍
1、移动电话与笔记本计算机等可携式电子装置在这几年来的成长十分迅速，使得消费者对存储媒体的需求也急速增加。由于可复写式非易失性存储器模块(rewritable non-volatile memory module)(例如，快闪存储器)具有数据非易失性、省电、体积小，以及无机械结构等特性，所以非常适合内建于上述所举例的各种可携式电子装置中。
2、传统上，当从可复写式非易失性存储器模块中的某一个实体页面读取的数据存在太多错误时，这些错误可能无法在后续的解码操作中被完全更正。此时，常见的作法是通过查询大量的数据表格来调整读取电压，并使用调整后的读取电压来重新从此实体页面读取数据并对其解码，以尝试减少所读取的数据中的错误并提高解码成功率。然而，实务上由于可选用的数据表格的数量太多，故往往需要经过多次尝试后才能将读取电压调整到合适的电压位置，从而降低数据读取效率。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种电压调整方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元，可提高数据读取效率。
2、本专利技术的范例实施例提供一种电压调整方法，其用于可复写式非易失性存储器模块，所述可复写式非易失性存储器模块包括多个实体单元，所述电压调整方法包括：基于第一读取电压读取所述多个实体单元中的第一实体单元，以获得第一计数值，其中所述第一计数值反映所述第一实体单元中临界电压小于所述第一读取电压的多
3、本专利技术的范例实施例另提供一种存储器存储装置，其包括连接接口单元、可复写式非易失性存储器模块及存储器控制电路单元。所述连接接口单元用以连接至主机系统。所述可复写式非易失性存储器模块包括多个实体单元。所述存储器控制电路单元连接至所述连接接口单元与所述可复写式非易失性存储器模块。所述存储器控制电路单元用以：基于第一读取电压读取所述多个实体单元中的第一实体单元，以获得第一计数值，其中所述第一计数值反映所述第一实体单元中临界电压小于所述第一读取电压的多个存储单元的总数；根据所述第一计数值与第一预设值之间的差值获得第二计数值；将所述第二计数值带入目标公式，以获得电压调整参数；根据所述电压调整参数将所述第一读取电压调整为第二读取电压；以及基于所述第二读取电压读取所述第一实体单元。
4、本专利技术的范例实施例另提供一种存储器控制电路单元，其用于控制可复写式非易失性存储器模块。所述可复写式非易失性存储器模块包括多个实体单元。所述存储器控制电路单元包括主机接口、存储器接口及存储器管理电路。所述主机接口用以连接至主机系统。所述存储器接口用以连接至所述可复写式非易失性存储器模块。所述存储器管理电路连接至所述主机接口与所述存储器接口。所述存储器管理电路用以：基于第一读取电压读取所述多个实体单元中的第一实体单元，以获得第一计数值，其中所述第一计数值反映所述第一实体单元中临界电压小于所述第一读取电压的多个存储单元的总数；根据所述第一计数值与第一预设值之间的差值获得第二计数值；将所述第二计数值带入目标公式，以获得电压调整参数；根据所述电压调整参数将所述第一读取电压调整为第二读取电压；以及基于所述第二读取电压读取所述第一实体单元。
5、基于上述，在基于第一读取电压读取第一实体单元后，第一计数值可被获得。其中，此第一计数值可反映第一实体单元中临界电压小于第一读取电压的多个存储单元的总数。根据第一计数值与第一预设值之间的差值，第二计数值可被获得。在将第二计数值带入目标公式后，一个电压调整参数可被获得，进而可根据此电压调整参数将第一读取电压调整为第二读取电压。尔后，可基于此第二读取电压来重新读取第一实体单元，以尝试提高所读取的数据的正确性，进而提高数据读取效率。
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1.一种电压调整方法，其特征在于，用于可复写式非易失性存储器模块，所述可复写式非易失性存储器模块包括多个实体单元，所述电压调整方法包括：
2.根据权利要求1所述的电压调整方法，其中所述第一预设值正相关于所述第一实体单元所存储的所有比特的总数。
3.根据权利要求2所述的电压调整方法，其中所述第一预设值为所述所有比特的所述总数的1/2。
4.根据权利要求1所述的电压调整方法，其中根据所述电压调整参数将所述第一读取电压调整为所述第二读取电压的步骤包括：
5.根据权利要求1所述的电压调整方法，还包括：
6.根据权利要求1所述的电压调整方法，其中所述第二读取电压用于针对所述第一实体单元的重读操作中。
7.一种存储器存储装置，其特征在于，包括：
8.根据权利要求7所述的存储器存储装置，其中所述第一预设值正相关于所述第一实体单元所存储的所有比特的总数。
9.根据权利要求8所述的存储器存储装置，其中所述第一预设值为所述所有比特的所述总数的1/2。
10.根据权利要求7所述的存储器存储装置，
11.根据权利要求7所述的存储器存储装置，其中所述存储器控制电路单元更用以：
12.根据权利要求7所述的存储器存储装置，其中所述第二读取电压用于针对所述第一实体单元的重读操作中。
13.一种存储器控制电路单元，其特征在于，用于控制可复写式非易失性存储器模块，所述可复写式非易失性存储器模块包括多个实体单元，所述存储器控制电路单元包括：
14.根据权利要求13所述的存储器控制电路单元，其中所述第一预设值正相关于所述第一实体单元所存储的所有比特的总数。
15.根据权利要求14所述的存储器控制电路单元，其中所述第一预设值为所述所有比特的所述总数的1/2。
16.根据权利要求13所述的存储器控制电路单元，其中所述存储器管理电路根据所述电压调整参数将所述第一读取电压调整为所述第二读取电压的操作包括：
17.根据权利要求13所述的存储器控制电路单元，其中所述存储器管理电路更用以：
18.根据权利要求13所述的存储器控制电路单元，其中所述第二读取电压用于针对所述第一实体单元的重读操作中。
...【技术特征摘要】
1.一种电压调整方法，其特征在于，用于可复写式非易失性存储器模块，所述可复写式非易失性存储器模块包括多个实体单元，所述电压调整方法包括：
2.根据权利要求1所述的电压调整方法，其中所述第一预设值正相关于所述第一实体单元所存储的所有比特的总数。
3.根据权利要求2所述的电压调整方法，其中所述第一预设值为所述所有比特的所述总数的1/2。
4.根据权利要求1所述的电压调整方法，其中根据所述电压调整参数将所述第一读取电压调整为所述第二读取电压的步骤包括：
5.根据权利要求1所述的电压调整方法，还包括：
6.根据权利要求1所述的电压调整方法，其中所述第二读取电压用于针对所述第一实体单元的重读操作中。
7.一种存储器存储装置，其特征在于，包括：
8.根据权利要求7所述的存储器存储装置，其中所述第一预设值正相关于所述第一实体单元所存储的所有比特的总数。
9.根据权利要求8所述的存储器存储装置，其中所述第一预设值为所述所有比特的所述总数的1/2。
10.根据权利要求7所述的存储器存储装置，其中所述存储器控制电路单元根据所述电压调整参...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡健，洪婉君，吴宗霖，朱启傲，彭崇，
申请(专利权)人：合肥兆芯电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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