【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体制造，具体地，涉及恢复外延反应炉的方法。
技术介绍
1、通常，外延晶圆是利用化学气相沉积等方法在晶圆上沉积一层单晶硅外延层来制备的。在该过程中，需要将晶圆放置在外延反应炉的反应腔室内的基座上，并利用硅源气体于高温下在晶圆表面上生长出外延层。
2、随着生产次数的增加，反应腔室内的湿度和污染物水平逐渐升高，可能会对外延晶圆的品质造成影响。对此，通常需要对外延反应炉进行停机维护和清洁，以将反应腔室的环境恢复至满足外延工艺要求的干燥且清洁的稳定状态，从而确保后续生长的外延晶圆的品质。
3、然而，现有的恢复反应腔室的方法的恢复步骤特别复杂，需要执行若干工艺配方，耗时较长，而且恢复过程中还要使用空白晶圆(dummy wafer)进行外延生长工序，造成晶圆的大量消耗，导致了较高的时间和材料成本。
技术实现思路
1、本部分提供了本公开的总体概要，而不是对本公开的全部范围或所有特征的全面公开。
2、本公开的目的在于提供一种能够节省时间和材料成本的恢复外延反应炉的方法。
3、为了实现上述目的，提供了一种恢复外延反应炉的方法，该方法包括：
4、步骤s1：对外延反应炉的反应腔室进行吹扫；
5、步骤s2：使反应腔室升温至第一温度；
6、步骤s3：在第一温度下向反应腔室通入h2并烘烤预定时间；
7、步骤s4：在第二温度下向反应腔室通入h2和hcl，以对反应腔室进行清洁；
8、步骤s5：对
9、步骤s6：在第三温度下向反应腔室通入h2和硅源气体，以在反应腔室内部形成硅膜；
10、步骤s7：对反应腔室进行吹扫；
11、步骤s8：在第二温度下向反应腔室通入h2和hcl，以对硅膜进行清洁；
12、步骤s9：对反应腔室进行吹扫；
13、步骤s10：在第三温度下向反应腔室通入h2和硅源气体，以在反应腔室内部形成硅膜；
14、步骤s11：对反应腔室进行吹扫，其中，步骤s4至步骤s11被循环执行多次；以及
15、步骤s12：对反应腔室进行降温。
16、在上述恢复外延反应炉的方法中，在步骤s12之后，还可以包括步骤s13：在反应腔室中制备外延晶圆，并对外延晶圆进行少数载流子寿命检测，以判断外延反应炉是否恢复，并在判定外延反应炉未恢复时，执行步骤s1至步骤s12。
17、在上述恢复外延反应炉的方法中，第一温度可以在750℃～1000℃的范围内，并且预定时间可以在1min～1h的范围内。
18、在上述恢复外延反应炉的方法中，第一温度可以在780℃～880℃的范围内。
19、在上述恢复外延反应炉的方法中，预定时间可以在20min～1h的范围内。
20、在上述恢复外延反应炉的方法中，第二温度可以在1100℃～1200℃的范围内。
21、在上述恢复外延反应炉的方法中，第三温度可以在850℃～1000℃的范围内。
22、在上述恢复外延反应炉的方法中，步骤s4至步骤s11可以被循环执行30次～100次。
23、在上述恢复外延反应炉的方法中，硅膜可以为多晶硅膜。
24、在上述恢复外延反应炉的方法中，在步骤s1、步骤s5、步骤s7、步骤s9和步骤s11中的任一步骤中均可以使用h2进行吹扫。
25、在本公开的恢复外延反应炉的方法中，通过在该方法提供的单个配方流程中选择性地对会对降低污染物水平起核心作用的一部分步骤进行多次循环，不仅实现了反应腔室内污染物水平的有效降低，而且相比于使用多个配方进行恢复的恢复方法，还缩短了恢复外延反应炉的总耗时，从而节省了时间成本。此外，该方法的恢复过程中没有使用空白晶圆进行外延生长，而是通过在反应腔室内部沉积硅膜并随后将硅膜去除的方式进行污染物的清除，因此，能够避免外延反应炉恢复过程中晶圆的耗费，从而节省了材料成本。
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1.一种恢复外延反应炉的方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的恢复外延反应炉的方法，其特征在于，在步骤S12之后，还包括步骤S13：在所述反应腔室中制备外延晶圆，并对所述外延晶圆进行少数载流子寿命检测，以判断所述外延反应炉是否恢复，并在判定所述外延反应炉未恢复时，执行步骤S1至步骤S12。
3.根据权利要求1所述的恢复外延反应炉的方法，其特征在于，所述第一温度在750℃～1000℃的范围内，并且所述预定时间在1min～1h的范围内。
4.根据权利要求3所述的恢复外延反应炉的方法，其特征在于，所述第一温度在780℃～880℃的范围内。
5.根据权利要求3或4所述的恢复外延反应炉的方法，其特征在于，所述预定时间在20min～1h的范围内。
6.根据权利要求1至4中的任一项所述的恢复外延反应炉的方法，其特征在于，所述第二温度在1100℃～1200℃的范围内。
7.根据权利要求1至4中的任一项所述的恢复外延反应炉的方法，其特征在于，所述第三温度在850℃～1000℃的范围内。
8.根据权利要求
9.根据权利要求1至4中的任一项所述的恢复外延反应炉的方法，其特征在于，所述硅膜为多晶硅膜。
10.根据权利要求1至4中的任一项所述的恢复外延反应炉的方法，其特征在于，在步骤S1、步骤S5、步骤S7、步骤S9和步骤S11中的任一步骤中均使用H2进行吹扫。
...【技术特征摘要】
1.一种恢复外延反应炉的方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的恢复外延反应炉的方法，其特征在于，在步骤s12之后，还包括步骤s13：在所述反应腔室中制备外延晶圆，并对所述外延晶圆进行少数载流子寿命检测，以判断所述外延反应炉是否恢复，并在判定所述外延反应炉未恢复时，执行步骤s1至步骤s12。
3.根据权利要求1所述的恢复外延反应炉的方法，其特征在于，所述第一温度在750℃～1000℃的范围内，并且所述预定时间在1min～1h的范围内。
4.根据权利要求3所述的恢复外延反应炉的方法，其特征在于，所述第一温度在780℃～880℃的范围内。
5.根据权利要求3或4所述的恢复外延反应炉的方法，其特征在于，所述预定时间在20min～1...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘凯，张海博，
申请(专利权)人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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