一种Sb2S3纳米线的制备方法技术

技术编号:4051475 阅读:283 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术提供了一种Sb2S3纳米线的制备方法,取10mmol的Sb2Cl3溶解于2ml的乙二醇中,待Sb2Cl3完全溶解后,边搅拌边倒入10ml的去离子水,形成白色的乳浊液A;取15mmol的Na2S.9H2O溶于10ml的去离子水中,形成溶液B;将溶液B以2滴/秒的速率加入至溶液A中,形成前驱物;在前驱物中加入矿化剂,配成30ml溶液C后,放置于反应釜中;将反应釜置入恒温箱中,当升温至240℃时,保温8~16小时,待反应结束后,将产物用去离子水冲洗中性后在80℃恒温箱中真空干燥4h。由本发明专利技术制备方法简单、反应周期短,且成本低廉。

【技术实现步骤摘要】
一种Sb2S3纳米线的制备方法
本专利技术涉及一种纳米Sb2S3材料的制备方法,特别是一种Sb2S3纳米线的制备方法。
技术介绍
硫化锑(Sb2S3)是V-VI重要的直接带隙无机半导体材料,具有正交晶体结构,在室 温下的带隙能为1.72eV。硫化锑由于具有高的光敏感性和热电性能,被认为是利用太阳能 的理想材料。另外,硫化锑还被认为可广泛应用于红外领域、热电冷却技术和光电子技术等 方面。近年来,许多研究者利用化学气相沉积法(CVD)、模板法、蒸发冷凝法以及水 热(溶剂热)法制备了各种形貌的硫化锑晶相。例如Hu H M, Mo M S, YangB J等 (Solvothermal synthesis of Sb2S3 nanowires on a large scale.J CrystalGrowth, 2003,258 :106-112)用溶剂热法合成了纳米线;Yu Y, Wang R H, Chen Q, and Peng L M. (High-Quality Ultralong Sb2S3 Nanoribbons on Large Scale. JPhys Chem B, 2005,109 23312-23315)用 SbCl3 与 Na2S2O3 直接反应合成了超长 Sb2S3 纳米带;Hu H M, Liu Z P, Yang B J 等(Solvothermal growth of Sb2S3Iiiicrocrystallites with novel morphologies , J Crystal Growth 2004,262 375-382)以硫化锑和硫脲为原料,采用 溶剂热法直接在低温下反应合成了 Sb2S3纳米花;Cheng B, Samulski E T等(One-step, ambient—temperature synthesis of antimonysulfide(Sb253)micron-size polycrystals with a spherical morphology . Mater ResBull,2003,38 :297_301)在常温下合成了 Sb2S3微球。由此可见,许多研究者都致力于通过各种方法制备不同形态的Sb2S3材料。然而,上述制备方法操作复杂、反应周期长,且成本高昂。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种Sb2S3纳米线的制备方法,其操作简单、反 应周期短,且成本低廉。为实现上述目的,本专利技术提供了一种Sb2S3纳米线的制备方法,取IOmmol的Sb2Cl3 溶解于2ml的乙二醇中,待Sb2Cl3完全溶解后,边搅拌边倒入IOml的去离子水,形成白色的 乳浊液A ;取15mmol的Na2S · 9H20溶于IOml的去离子水中,形成溶液B ;将溶液B逐滴的 加入至溶液A中,形成前驱物;在前驱物中加入矿化剂,配成30ml溶液C后,放置于反应釜 中;将反应釜置入恒温箱中,当升温至240°C时,保温8 16小时,待反应结束后,将产物用 去离子水冲洗数次后在80°C恒温箱中真空干燥4h。作为本专利技术的优选实施例,所述矿化剂为CO(NH2)2 ;作为本专利技术的优选实施例,在240°C保温8 12小时;作为本专利技术的优选实施例,在240°C保温12小时。本专利技术Sb2S3纳米线的制备方法与现有技术相比,至少具有以下优点本专利技术的制 备方法简单、反应周期短,且成本低廉;另外,由本方法制备出来的Sb2S3纳米线为正交的3Sb2S3单晶,具有较高的长径比,且纳米线直径大小均勻,表面光滑、干净,没有小颗粒杂相。附图说明图1是由本专利技术方法制备的Sb2S3纳米线的X-射线衍射(XRD)图谱,其中横坐标 为衍射角2 θ,单位为。;纵坐标为衍射峰强度,单位cps ;图2是由本专利技术方法制备的Sb2S3纳米线高放大倍数的SEM照片;图3是由本专利技术方法制备成束的Sb2S3纳米线的SEM照片;图4是由本专利技术方法制备成束的Sb2S3纳米线的TEM照片;图5是由本专利技术方法制备的Sb2S3纳米线TEM照片,保温时间8h ;图6是由本专利技术方法制备的Sb2S3纳米线TEM照片,保温时间16h。具体实施方式下面结合附图对本专利技术Sb2S3纳米线的制备方法做详细描述实施例1(1)称取IOmmol的Sb2Cl3,将其倒入2ml的乙二醇中,用搅拌子搅拌直至Sb2Cl3完 全溶解;接着,向其中边搅拌边倒入IOml的去离子水,形成白色的乳浊液A ;(2)称取15mmol的Na2S · 9H20溶于IOml的去离子水中,形成溶液B ;(3)将溶液B以2滴/秒的速率滴入溶液A中,形成桔红色的前驱物;(4)在前驱物中加入CO (NH2)2,配成30ml溶液C ;(5)将溶液C放置于50ml的反应釜内,将反应釜置于恒温箱中加热,待温度升至 240°C时,保温12小时,反应结束后,将产物用去离子水冲洗直至pH为7,然后在80°C的恒 温箱中真空干燥4h,即得Sb2S3纳米线。将所得产物用日本理学D/max2550VB+/PC型X-射线衍射仪分析,由图1可以看 出,所有的衍射峰与标准卡(JCPDS-42-1393,a = 1. 122nm, b = 1. 131nm, c = 0. 3839nm) 相对应,没有其他杂相的衍射峰,表明产物为正交Sb2S3晶相,经计算,其晶胞参数为a = 1. 123nm, b = 1. 131nm, c = 0. 3840nm。由图2可以看出由本方法得到的纳米线具有高的长径比,直径约为200nm,长达 100 μ m,纳米线的直径大小均勻,表面光滑、干净,没有小颗粒杂相。而且在这些线状结构的 材料中,我们还发现了一部分成束的、有序排列的纳米结构,如图3所示。实施例2(1)称取IOmmol的Sb2Cl3,将其倒入2ml的乙二醇中,用搅拌子搅拌直至Sb2Cl3完 全溶解;接着,向其中边搅拌边倒入IOml的去离子水,形成白色的乳浊液A ;(2)称取15mmol的Na2S · 9H20溶于IOml的去离子水中,形成溶液B ;(3)将溶液B以2滴/秒的速率滴入溶液A中,形成桔红色的前驱物(;(4)在前驱物中加入CO (NH2)2,配成30ml溶液C ;(5)将溶液C放置于50ml的反应釜内,将反应釜置于恒温箱中加热,待温度升至 240°C时,保温8小时,反应结束后,将产物用去离子水冲洗至pH为7,然后在80°C的恒温箱 中真空干燥4h,即得Sb2S3纳米线。实施例3(1)称取IOmmol的Sb2Cl3,将其倒入2ml的乙二醇中,用搅拌子搅拌直至Sb2Cl3完 全溶解;接着,向其中边搅拌边倒入IOml的去离子水,形成白色的乳浊液A ;(2)称取15mmol的Na2S · 9H20溶于IOml的去离子水中,形成溶液B ; (3)将溶液 B以2滴/秒的速率滴入溶液A中,形成桔红色的前驱物;(4)在前驱物中加入CO (NH2)2,配成30ml溶液C ;(5)将溶液C放置于50ml的反应釜内,将反应釜置于恒温箱中加热,待温度升至 240°C时,保温12小时,反应结束后,将产物用去离子水冲洗至pH为7,然后在80°C的恒温 箱中真空干燥4h,即得Sb2S3纳米线。请参阅图3至图6所示,由本方法得到本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种Sb↓[2]S↓[3]纳米线的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:(1)取10mmol的Sb↓[2]Cl↓[3]溶解于2ml的乙二醇中,待Sb↓[2]Cl↓[3]完全溶解后,边搅拌边倒入10ml的去离子水,形成白色的乳浊液A;(2)取15mmol的Na↓[2]S·9H↓[2]O溶于10ml的去离子水中,形成溶液B;(3)将溶液B以2滴/秒的速率加入至溶液A中,形成前驱物;(4)在前驱物中加入矿化剂,配成30ml溶液C后,放置于反应釜中;(5)将反应釜置入恒温箱中,当升温至240℃时,保温8~16小时,待反应结束后,将产物用去离子水冲洗至中性后在80℃恒温箱中真空干燥4h。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:刘运朱刚强薛飞
申请(专利权)人:陕西科技大学
类型:发明
国别省市:87

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