【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种半导体元件加工用粘合片。
技术介绍
1、半导体元件为通过对硅晶圆实施背面研磨工序及切割工序来制作的。在这些工序中，为了支撑和保护硅晶圆，使用半导体元件加工用粘合片。在半导体元件的制造工序中，因各种因素而导致硅晶圆及粘合片可能带电。例如可列举出在切割工序后将粘合片从卡盘台剥离时的剥离带电和半导体元件的拾取时的剥离带电、因用于从粘合片回收经小片化的晶圆的刮擦而引起的摩擦带电等。由于这些剥离带电和摩擦带电，有时可使半导体元件受到静电破坏，从而成品率降低。
2、已知在半导体加工工序中使用的粘合片上使用抗静电剂来赋予抗静电能力(例如，专利文献1、专利文献2)。因剥离带电和摩擦带电而产生的电压在几百v以上，有时不仅会对半导体元件进行静电破环，还会降低粘合片的抗静电能力。另外，有时在粘合片的运输中及保管中抗静电性能下降。尤其是，有时在热带地区那样的高温多湿条件下抗静电性能的下降会变得显著。因此，在要求抗静电能力的情况下，有时无法发挥适当的抗静电能力。
3、现有技术文献
4、专利文献
5、专利文献1：日本特开2020-174201号公报
6、专利文献2：国际公开第2018/003893号
技术实现思路
1、专利技术要解决的问题
2、本专利技术是为了解决上述以往的技术问题而完成的，其目的在于提供一种即使在置于高湿环境下的情况和/或施加有高电压的情况下，也能保护半导体元件免受因剥离带电和摩擦带电所导致的静电破坏的
3、用于解决问题的方案
4、本专利技术的实施方式的半导体加工用粘合片包含基材和粘合剂层，该基材的表面电阻率ρsbm以及该粘合剂层的表面电阻率ρspa为1.0×1013ω/□以下，该基材的施加10v时的表面电阻率ρs10vbm以及该粘合剂层的施加10v时的表面电阻率ρs10vpa与该基材的施加1000v时的表面电阻率ρs1000vbm以及该粘合剂层的施加1000v时的表面电阻率ρs1000vpa满足以下的式(1)和式(2)：
5、ρs1000vbm/ρs10vbm≤1000 (1)
6、ρs1000vpa/ρs10vpa≤1000 (2)。
7、本专利技术的另一个实施方式的半导体加工用粘合片包含基材和粘合剂层，该基材的表面电阻率ρsbm以及该粘合剂层的表面电阻率ρspa为1.0×1013ω/□以下，该基材的湿度92％的表面电阻率ρs92％bm以及该粘合剂层的湿度92％的表面电阻率ρs92％pa满足以下的式(3)和式(4)：
8、ρs92％bm/ρsbm≤1000 (3)
9、ρs92％pa/ρspa≤1000 (4)。
10、在一个实施方式中，上述粘合剂层包含离子液体。
11、在一个实施方式中，形成上述粘合剂层的组合物中的上述离子液体的含量为0.1重量％～50重量％。
12、在一个实施方式中，上述基材在至少一个面上具有抗静电层，该抗静电层包含季铵盐。
13、在一个实施方式中，形成上述抗静电层的组合物中的季铵盐的含量为0.1重量％～50重量％。
14、专利技术的效果
15、根据本专利技术的实施方式的半导体元件加工用粘合片，即使在置于高湿环境下的情况和/或施加有高电压的情况下，也能保护半导体元件免受因剥离带电和摩擦带电所导致的静电破坏。本专利技术的实施方式的半导体元件加工用粘合片即使在置于高湿条件下的情况及施加有高电压的情况下，也能防止抗静电性能的下降。因此，通过使用本专利技术的实施方式的半导体元件加工用粘合片，能够以高成品率制造半导体元件。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体元件加工用粘合片，其包含基材和粘合剂层，
2.一种半导体元件加工用粘合片，其包含基材和粘合剂层，
3.根据权利要求1或2所述的半导体元件加工用粘合片，其中，所述粘合剂层包含离子液体。
4.根据权利要求3所述的半导体元件加工用粘合片，其中，形成所述粘合剂层的组合物中的离子液体的含量为0.1重量％～50重量％。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体元件加工用粘合片，其中，所述基材在至少一个面上具有抗静电层，
6.根据权利要求5所述的半导体元件加工用粘合片，其中，形成所述抗静电层的组合物中的季铵盐的含量为0.1重量％～50重量％。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种半导体元件加工用粘合片，其包含基材和粘合剂层，
2.一种半导体元件加工用粘合片，其包含基材和粘合剂层，
3.根据权利要求1或2所述的半导体元件加工用粘合片，其中，所述粘合剂层包含离子液体。
4.根据权利要求3所述的半导体元件加工用粘合片，其中，形成所述粘合剂层的...
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