System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种加强砷化镓太阳电池栅线牢固度的方法技术_技高网

一种加强砷化镓太阳电池栅线牢固度的方法技术

技术编号:40513652 阅读:15 留言:0更新日期:2024-03-01 13:30
本发明专利技术涉及一种加强砷化镓太阳电池栅线牢固度的方法,通过等离子体轰击电离气体的方式清洗栅线图形中残留的光刻胶,避免残留光刻胶对栅线制备过程产生影响,影响栅线稳固性,降低掉栅概率,由于等离子体方式容易对砷化镓表层产生影响,进一步的,在砷化镓表层设置掩膜牺牲层,在等离子体清洗栅线图形中残留的光刻胶时,能够挡在砷化镓表层上,避免等离子体轰击对砷化镓表层产生影响。通过本制备方法,在制备过程中充分去除电池栅线区域的异物,能够提高电池栅线的牢固度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体制造领域,尤其是涉及一种加强砷化镓太阳电池栅线牢固度的方法


技术介绍

1、砷化镓太阳电池具有高转换效率、抗辐照性能强的优点,在航天领域广泛应用。砷化镓太阳电池采用在4英寸或6英寸基底晶圆上进行外延,之后进行光刻、电极制备、减反射膜等工艺,从而制备出具有高可靠性能的砷化镓太阳电池。目前采用印刷作业制备砷化镓太阳电池栅线,采用印刷作业的方式,可以使砷化镓太阳电池的制备实现全自动流转,有效降低成本。传统砷化镓太阳电池为保证上电极栅线牢固度,在上电极光刻后会进行溶液腐蚀清洗,再去进行蒸镀。但是,由于光刻胶的特殊性,无法使用有机溶液对电池进行清洗,只能使用无机酸碱类溶液,这就无法完全清除栅线图形内残留的光刻胶,导致电池存在掉栅的隐患。


技术实现思路

1、为解决上述技术问题,本专利技术提供一种加强砷化镓太阳电池栅线牢固度的方法。

2、本专利技术采用的技术方案是:一种加强砷化镓太阳电池栅线牢固度的方法,在砷化镓表层上沉积掩膜牺牲层,在掩膜牺牲层上进行栅线图形光刻,光刻后通过等离子体轰击电离气体清除栅线图形内残胶,去除栅线图形内掩膜牺牲层,蒸镀制备电极栅线,去除多余的光刻胶和掩膜牺牲层,得到具有栅线的砷化镓电池片。

3、优选地,掩膜牺牲层为氧化铝或氧化钛。

4、优选地,掩膜牺牲层厚度为1nm-100μm。

5、优选地,通过腐蚀或者干法蚀刻方式去除掩膜牺牲层。

6、优选地,具体制备方法如下:

7、步骤一:太阳电池基体上形成砷化镓表层,在砷化镓表层沉积掩膜牺牲层;

8、步骤二:在掩膜层表面进行栅线光刻,得到栅线图形;

9、步骤三:对栅线图形中的残胶进行清除,通过等离子体轰击电离气体清除栅线图形内残胶,同时保证栅线图形外光刻胶完整;

10、步骤四:去除栅线图形中的掩膜牺牲层,并对栅线图形范围进行蒸镀,制备电极栅线;

11、步骤五:依次去除多余的光刻胶和掩膜牺牲层,得到蒸镀有电极栅线的砷化镓电池片。

12、优选地,步骤二中,通过光刻上胶-曝光-显影得到栅线图形。

13、优选地,步骤三中,将等离子体机台通入氧气,打开电浆轰击,通过电离气体去除栅线图形内残胶。

14、优选地,浸泡氢氧化钠溶液或氢氟酸溶液去除氧化铝掩膜牺牲层,浸泡氢氟酸溶液去除氧化钛掩膜牺牲层。

15、本专利技术具有的优点和积极效果是:通过等离子体轰击电离气体的方式清洗栅线图形中残留的光刻胶,能够避免栅线蒸镀在残胶上,影响栅线的固定,从而导致掉栅现象;另外设置有掩膜牺牲层,避免等离子体轰击时对砷化镓表层产生影响;本方法中,掩膜牺牲层并不参与形成砷化镓电池片,只在制备过程中产生作用,因此掩膜牺牲层能够选择范围广泛,工艺易于实现。

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【技术保护点】

1.一种加强砷化镓太阳电池栅线牢固度的方法,其特征在于:在砷化镓表层上沉积掩膜牺牲层,在掩膜牺牲层上进行栅线图形光刻,光刻后通过等离子体轰击电离气体清除栅线图形内残胶,去除栅线图形内掩膜牺牲层,蒸镀制备电极栅线,去除多余的光刻胶和掩膜牺牲层,得到具有栅线的砷化镓电池片。

2.根据权利要求1所述的加强砷化镓太阳电池栅线牢固度的方法,其特征在于:掩膜牺牲层为氧化铝或氧化钛。

3.根据权利要求2所述的加强砷化镓太阳电池栅线牢固度的方法,其特征在于:掩膜牺牲层厚度为1nm-100μm。

4.根据权利要求1所述的加强砷化镓太阳电池栅线牢固度的方法,其特征在于:通过腐蚀或者干法蚀刻方式去除掩膜牺牲层。

5.根据权利要求1-4中任一所述的加强砷化镓太阳电池栅线牢固度的方法,其特征在于:具体制备方法如下:

6.根据权利要求5所述的加强砷化镓太阳电池栅线牢固度的方法,其特征在于:步骤二中,通过光刻上胶-曝光-显影得到栅线图形。

7.根据权利要求5所述的加强砷化镓太阳电池栅线牢固度的方法,其特征在于:步骤三中,将等离子体机台通入氧气,打开电浆轰击,通过电离气体去除栅线图形内残胶。

8.根据权利要求5所述的加强砷化镓太阳电池栅线牢固度的方法,其特征在于:浸泡氢氧化钠溶液或氢氟酸溶液去除氧化铝掩膜牺牲层,或者,浸泡氢氟酸溶液去除氧化钛掩膜牺牲层。

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【技术特征摘要】

1.一种加强砷化镓太阳电池栅线牢固度的方法,其特征在于:在砷化镓表层上沉积掩膜牺牲层,在掩膜牺牲层上进行栅线图形光刻,光刻后通过等离子体轰击电离气体清除栅线图形内残胶,去除栅线图形内掩膜牺牲层,蒸镀制备电极栅线,去除多余的光刻胶和掩膜牺牲层,得到具有栅线的砷化镓电池片。

2.根据权利要求1所述的加强砷化镓太阳电池栅线牢固度的方法,其特征在于:掩膜牺牲层为氧化铝或氧化钛。

3.根据权利要求2所述的加强砷化镓太阳电池栅线牢固度的方法,其特征在于:掩膜牺牲层厚度为1nm-100μm。

4.根据权利要求1所述的加强砷化镓太阳电池栅线牢固度的方法,其特征在于:通过腐蚀或者干法蚀刻...

【专利技术属性】
技术研发人员:胡蝶程保义郭志胜崔鹏铁剑锐肖志斌李晓东杜永超梁存宝王鑫张建港徐贺
申请(专利权)人:中电科蓝天科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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