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【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体制造领域,尤其是涉及一种加强砷化镓太阳电池栅线牢固度的方法。
技术介绍
1、砷化镓太阳电池具有高转换效率、抗辐照性能强的优点,在航天领域广泛应用。砷化镓太阳电池采用在4英寸或6英寸基底晶圆上进行外延,之后进行光刻、电极制备、减反射膜等工艺,从而制备出具有高可靠性能的砷化镓太阳电池。目前采用印刷作业制备砷化镓太阳电池栅线,采用印刷作业的方式,可以使砷化镓太阳电池的制备实现全自动流转,有效降低成本。传统砷化镓太阳电池为保证上电极栅线牢固度,在上电极光刻后会进行溶液腐蚀清洗,再去进行蒸镀。但是,由于光刻胶的特殊性,无法使用有机溶液对电池进行清洗,只能使用无机酸碱类溶液,这就无法完全清除栅线图形内残留的光刻胶,导致电池存在掉栅的隐患。
技术实现思路
1、为解决上述技术问题,本专利技术提供一种加强砷化镓太阳电池栅线牢固度的方法。
2、本专利技术采用的技术方案是:一种加强砷化镓太阳电池栅线牢固度的方法,在砷化镓表层上沉积掩膜牺牲层,在掩膜牺牲层上进行栅线图形光刻,光刻后通过等离子体轰击电离气体清除栅线图形内残胶,去除栅线图形内掩膜牺牲层,蒸镀制备电极栅线,去除多余的光刻胶和掩膜牺牲层,得到具有栅线的砷化镓电池片。
3、优选地,掩膜牺牲层为氧化铝或氧化钛。
4、优选地,掩膜牺牲层厚度为1nm-100μm。
5、优选地,通过腐蚀或者干法蚀刻方式去除掩膜牺牲层。
6、优选地,具体制备方法如下:
7、步骤一:太
8、步骤二:在掩膜层表面进行栅线光刻,得到栅线图形;
9、步骤三:对栅线图形中的残胶进行清除,通过等离子体轰击电离气体清除栅线图形内残胶,同时保证栅线图形外光刻胶完整;
10、步骤四:去除栅线图形中的掩膜牺牲层,并对栅线图形范围进行蒸镀,制备电极栅线;
11、步骤五:依次去除多余的光刻胶和掩膜牺牲层,得到蒸镀有电极栅线的砷化镓电池片。
12、优选地,步骤二中,通过光刻上胶-曝光-显影得到栅线图形。
13、优选地,步骤三中,将等离子体机台通入氧气,打开电浆轰击,通过电离气体去除栅线图形内残胶。
14、优选地,浸泡氢氧化钠溶液或氢氟酸溶液去除氧化铝掩膜牺牲层,浸泡氢氟酸溶液去除氧化钛掩膜牺牲层。
15、本专利技术具有的优点和积极效果是:通过等离子体轰击电离气体的方式清洗栅线图形中残留的光刻胶,能够避免栅线蒸镀在残胶上,影响栅线的固定,从而导致掉栅现象;另外设置有掩膜牺牲层,避免等离子体轰击时对砷化镓表层产生影响;本方法中,掩膜牺牲层并不参与形成砷化镓电池片,只在制备过程中产生作用,因此掩膜牺牲层能够选择范围广泛,工艺易于实现。
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1.一种加强砷化镓太阳电池栅线牢固度的方法,其特征在于:在砷化镓表层上沉积掩膜牺牲层,在掩膜牺牲层上进行栅线图形光刻,光刻后通过等离子体轰击电离气体清除栅线图形内残胶,去除栅线图形内掩膜牺牲层,蒸镀制备电极栅线,去除多余的光刻胶和掩膜牺牲层,得到具有栅线的砷化镓电池片。
2.根据权利要求1所述的加强砷化镓太阳电池栅线牢固度的方法,其特征在于:掩膜牺牲层为氧化铝或氧化钛。
3.根据权利要求2所述的加强砷化镓太阳电池栅线牢固度的方法,其特征在于:掩膜牺牲层厚度为1nm-100μm。
4.根据权利要求1所述的加强砷化镓太阳电池栅线牢固度的方法,其特征在于:通过腐蚀或者干法蚀刻方式去除掩膜牺牲层。
5.根据权利要求1-4中任一所述的加强砷化镓太阳电池栅线牢固度的方法,其特征在于:具体制备方法如下:
6.根据权利要求5所述的加强砷化镓太阳电池栅线牢固度的方法,其特征在于:步骤二中,通过光刻上胶-曝光-显影得到栅线图形。
7.根据权利要求5所述的加强砷化镓太阳电池栅线牢固度的方法,其特征在于:步骤三中,将等离子体机台通入
8.根据权利要求5所述的加强砷化镓太阳电池栅线牢固度的方法,其特征在于:浸泡氢氧化钠溶液或氢氟酸溶液去除氧化铝掩膜牺牲层,或者,浸泡氢氟酸溶液去除氧化钛掩膜牺牲层。
...【技术特征摘要】
1.一种加强砷化镓太阳电池栅线牢固度的方法,其特征在于:在砷化镓表层上沉积掩膜牺牲层,在掩膜牺牲层上进行栅线图形光刻,光刻后通过等离子体轰击电离气体清除栅线图形内残胶,去除栅线图形内掩膜牺牲层,蒸镀制备电极栅线,去除多余的光刻胶和掩膜牺牲层,得到具有栅线的砷化镓电池片。
2.根据权利要求1所述的加强砷化镓太阳电池栅线牢固度的方法,其特征在于:掩膜牺牲层为氧化铝或氧化钛。
3.根据权利要求2所述的加强砷化镓太阳电池栅线牢固度的方法,其特征在于:掩膜牺牲层厚度为1nm-100μm。
4.根据权利要求1所述的加强砷化镓太阳电池栅线牢固度的方法,其特征在于:通过腐蚀或者干法蚀刻...
【专利技术属性】
技术研发人员:胡蝶,程保义,郭志胜,崔鹏,铁剑锐,肖志斌,李晓东,杜永超,梁存宝,王鑫,张建港,徐贺,
申请(专利权)人:中电科蓝天科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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