再生信号评估方法以及记录调整方法技术

为了实现大容量ＢＤ，而提供一种用于实现良好的介质互换性的再生信号评估方法与记录调整方法。按照相对所关注的边缘向左右进行了边缘位移的目标信号的欧几里得距离差，在带符号的条件下进行加法，从而计算出评估指标Ｌ－ＳＥＡＴ，对再生信号的质量进行评估。使用评估结果来实施记录调整，从而可以实现不依存于ＳＮＲ并且具有良好的调整精度的记录调整。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及在记录介质上形成物理性的性质与其他部分不同的记录标记，来存储 信息的光盘介质的再生信号评估方法以及调整记录信息的条件的记录调整方法。
技术介绍
伴随光盘的高速化以及高密度化，通过适应均衡方式与PRML(Partial Response Maximum Likelihood)方式进行的再生信号的2值化技术变得必要起来。由于高密度化， 与光点的大小相比，记录标记的大小变小，所得到的再生信号的振幅也变小。由波长λ与 物镜的数值孔径NA来决定光点的分辨率，如果最短游程长的记录标记的长度成为λ /4ΝΑ 以下，则其反复信号的振幅成为零。其是一般作为光学截止而已知的现象，在BD中是 λ/4ΝΑ 119nm。在Blu-ray Disc (以下BD)中轨道间距设为恒定的情况下，如果希望实 现约31GB以上的容量，则最短游程长即2T的反复信号的振幅成为零。在这样的高密度条 件下为了得到良好的再生性能，必需利用适应均衡方式与PRML方式。另一方面，在记录型光盘中，使用被脉冲状地强度调制后的激光(以下，记录脉 冲)，使记录膜的结晶状态等变化，从而记录期望的信息。作为记录膜，一般已知使用相变化 材料、有机色素、某种合金或氧化物等。在BD中使用的标记边缘符号方式中，由前后的边缘 位置，来决定代码信息。在记录脉冲中，为了良好地保持所记录的信息的质量，主要确定记 录标记的前边缘的形成条件的第一脉冲、主要确定记录标记的后边缘的形成条件的最后脉 冲以及冷却脉冲的位置与宽度是重要的。因此，在记录型光盘中，一般使用如下适应型记录 脉冲，即根据记录标记的长度、以及先行或者后续的空白的长度，使第一脉冲与最后脉冲以 及冷却位置或者宽度适应性地变化。在上述那样的高密度条件中，由于所形成的记录标记微细化，所以需要比以往高 精度地决定记录脉冲的照射条件(以下，记录条件)。另一方面，光盘装置的光点的形状根 据光源的波长、波面象差、聚焦条件、以及盘的倾斜等而变动。另外，根据环境温度、经时变 化，半导体激光器的阻抗、量子效率发生变化，所以记录脉冲的形状也变动。这样，用于与按 照每个个体、每个环境而变动的光点的形状与记录脉冲的形状对应地，总是得到最佳的记 录条件的调整技术一般被称为试写。随着记录密度的提高，记录调整技术的重要度增加。作为与PRML方式对应地，对所记录的数据的质量统计性地进行评估的方法， 有非专利文献 1 "Jpn. J. App 1. Phy s.，Vol.43, pp. 4850 (2004) ”、专利文献 1 “日本特开 2003-141823号公报”、专利文献2 “日本特开2005-346897号公报”、专利文献3 “日本特开 2003-151219号公报”记载的方法。另外，作为与PR(1、2、2、2、1)ML对应的再生信号质量的 评估指标，有专利文献4 “日本特开2005-196964号公报”记载的技术。在非专利文献1 "Jpn. J. App 1. Phys.，Vol. 43，pp. 4850(2004) ”中，将从根据再生 信号得到的2值化位列(与最大或然性对应)的目标信号与再生信号的欧几里得距离(对 应于Pa)、和所关注的边缘位移了 1位而言的2值化位列(与第2大或然性对应)的目标信 号与再生信号的欧几里得距离值之差(对应于Pb)的绝对值中，减去2个目标信号之间的欧几里得距离而得到的值定义为MLSE (MaxmumLikelihood Sequence Error)，针对每个记 录图案，调整记录条件，以使MLSE的分布的平均值成为零。在专利文献1“日本特开2003-141823号公报”中，公开了如下技术使用与最大或 然状态迁移列对应的或然性Pa、和与第2大或然状态迁移列对应的或然性Pb，通过I Pa-Pb 的分布，对再生信号的质量进行评估。在专利文献2 “日本特开2005-346897号公报”中，公开了如下技术关注于边 缘位移，使用在再生信号的边缘部向左右位移的错误图案中包括假想的IT游程长的图案， 并且根据边缘位移的方向，求出带符号的序列误差之差，从而求出边缘位移量，调整记录条 件，以使该边缘位移量接近零。该评估指标被称为V-SEAT (Virtual statebased Sequence Error for Adaptive Target)。在专利文献3 “日本特开2003-151219号公报”中，公开了如下技术根据再生信 号与正确图案以及错误图案的欧几里得距离之差，分别求出所关注的边缘向左侧位移了的 情况下的错误概率与向右侧位移了的情况下的错误概率，调整记录条件，以使上述错误概 率相等。因此，使用规定的再生信号、与该再生信号的信号波形图案对应的第1图案、以及 该第1图案以外且与再生信号的信号波形图案对应的任意图案(第2或者第3图案)。首 先，求出再生信号与第1图案之间的距离Eo、和再生信号与任意图案之间的距离Ee之间的 距离差D = Ee-Eo。接下来，针对多个再生信号的采样，求出距离差D的分布。接下来，根据 所求出的距离差D的平均M与所求出的距离差D的分布的标准偏差ο之比，来确定再生信 号的质量评估参数(Μ/ σ ) ο然后，根据用质量评估参数来表示的评估指标值(Mgn)，判断再 生信号的质量。在专利文献4“日本特开2005-196964号公报”中，公开了如下技术通过利用预先 容纳有正确图案与对应的错误图案的组合的表，计算出再生信号与正确图案以及错误图案 的欧几里得距离之差，求出根据其平均值与标准偏差求出的推测位误码率SbER(Simulated bitError Rate)。专利文献1日本特开2003-141823号公报专利文献2日本特开2005-346897号公报专利文献3日本特开2003-151219号公报专利文献4日本特开2005-196964号公报非专利文献lljpn. J. App 1. Phys.，Vol. 43，pp. 4850 (2004)。
技术实现思路
专利文献1记载的最大或然状态迁移列与第2大或然状态迁移列、以及专利文献 3记载的正确图案与错误图案分别是指，应测定与再生信号的距离的目标位列这样的意思， 是相同的。在专利文献2以及专利文献3中，存在3个目标位列，但是相同的意思。以下， 将它们总称为评估位列。另外，在本专利技术中，其目标在于，以BD系统为基础，实现30GB以上 的大容量化，所以以下，以调制符号的最短游程长2T为前提而进行说明。如非专利文献1的记载，为了实现高密度记录，应用约束长度是5以上的PRML方 式。如上所述，在BD的光学系条件(波长405nm、物镜数值孔径0. 85)下在线方向上提高了 记录密度的情况下，容量是约31GB以上且2T反复信号的振幅成为零。此时，作为PRML方6式，众所周知应用2T反复信号的目标振幅是零的PR(1、2、2、2、1)ML方式等。作为与PR(1、 2、2、2、1)ML方式对应的再生信号评估方法，有专利文献4公开的SbER。对于SbER，除了 2 值化位列(正确图案)以外，作为第2大或然评估位列(错误图案)，还使用与正确图案 的汉明距离为1 (边缘位移)、汉明距离为2 (2T数据的位移)、汉明距离为3 (2T-2T数据的 位移)，将各个分本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光盘中的再生信号评估方法，在该光盘中，使用最短游程长是２Ｔ的符号来进行信息的记录，使用适应均衡方式与ＰＲ（１、２、２、２、１）ＭＬ方式来进行上述信息的再生，其特征在于：具有：作为上述适应均衡方式，使用设置有使ＦＩＲ滤波器的抽头系数成为中心对称那样的限制的方式的步骤；通过上述ＰＲ（１、２、２、２、１）ＭＬ方式，对从上述光盘得到的再生信号进行２值化，得到极大似然位列的步骤；生成从上述极大似然位列中使所关注的记录标记的边缘向左位移１Ｔ而满足最短游程长是２Ｔ以上的限制的左位移位列、与从上述极大似然位列中使关注的记录标记的边缘向右位移１Ｔ而满足最短运游程是２Ｔ以上的限制的右位移位列中的至少１个的步骤；生成上述极大似然位列、和上述左位移位列与上述右位移位列中的至少某一所对应的目标信号的步骤；根据上述目标信号与上述再生信号的欧几里得距离差，作为上述关注的记录标记的评估指标，计算出边缘位移、长度、或者位置，根据它们，对上述再生信号的质量进行评估的步骤上述左位移位列以及上述右位移位列是通过极大似然位列与掩码位列的异或运算而得到的，并且包括：在上述极大似然位列中包括“０００１１１”或者“１１１０００”的情况下，使用掩码位列“００１０００”来生成上述左位移位列，使用掩码位列“０００１００”来生成上述右位移位列的步骤；在上述极大似然位列中包括“０００１１０”或者“１１１００１”的情况下，使用掩码位列“００１０００”来生成上述左位移位列的步骤；在上述极大似然位列中包括“１００１１１”或者“０１１０００”的情况下，使用掩码位列“０００１００”来生成上述右位移位列的步骤；在上述极大似然位列中包括“１１１００１１０００”或者“０００１１００１１１”的情况下，使用掩码位列“００１０１０００００”来生成上述左位移位列，使用掩码位列“０００００１０１００”来生成上述右位移位列。...

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：峯邑浩行，黒川贵弘，白石淳也，小林昭荣，宫下晴旬，日野泰守，
申请(专利权)人：日立民用电子株式会社，索尼公司，松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]