【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及复合颗粒和其制造方法、以及传感器元件。
技术介绍
1、已知有利用金属纳米颗粒的局域表面等离子共振来增强荧光的技术(例如专利文献1)。非专利文献1中示出涉及基于银纳米颗粒的局域表面等离子共振的研究。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开平08-271431号公报
5、非专利文献
6、非专利文献1：t.fukuura and m.kawasaki,"long range enhancement ofmolecular fluorescence by closely packed submicro-scale ag islands",e-journalof surface science and nanotechnology,2009,7,653
技术实现思路
1、专利技术要解决的问题
2、本专利技术的目的之一在于，提供：可以用于传感器元件等、且作为增强发光体的发光的增强元件有用的新的结构体。
3、本专利技术的另一目的在于，提供：具备上述结构体的传感器元件。
4、用于解决问题的方案
5、本专利技术提供以下所示的复合颗粒和其制造方法、以及传感器元件。
6、[1]一种复合颗粒，其包含：
7、芯颗粒、和
8、配置于前述芯颗粒表面的至少一部分的金属系颗粒集合体层，
9、前述金属系颗粒集合体层由彼此分离而配置的
10、[2]根据[1]所述的复合颗粒，其中，前述多个金属系颗粒的平均粒径为5nm以上且1600nm以下。
11、[3]根据[1]或[2]所述的复合颗粒，其中，前述多个金属系颗粒分别以与其相邻的金属系颗粒的平均距离成为1nm以上且150nm以下的方式进行配置。
12、[4]根据[1]～[3]中任一项所述的复合颗粒，其中，前述平均距离的标准偏差为50nm以下。
13、[5]根据[1]～[4]中任一项所述的复合颗粒，其中，前述芯颗粒的表面包含曲面。
14、[6]根据[5]所述的复合颗粒，其至少在前述曲面上配置有前述金属系颗粒集合体层。
15、[7]根据[1]～[6]中任一项所述的复合颗粒，其中，前述芯颗粒的粒径为0.3μm以上且低于10μm。
16、[8]根据[1]～[7]中任一项所述的复合颗粒，其中，前述金属系颗粒集合体层配置于前述芯颗粒的整个表面。
17、[9]根据[1]～[8]中任一项所述的复合颗粒，其还包含至少覆盖前述多个金属系颗粒的表面的保护层。
18、[10]根据[9]所述的复合颗粒，其中，前述保护层由绝缘性材料构成。
19、[11]根据[9]或[10]所述的复合颗粒，其中，前述保护层的厚度为3nm以上且200nm以下。
20、[12]根据[9]～[11]中任一项所述的复合颗粒，其中，前述保护层覆盖前述芯颗粒和前述金属系颗粒的整个表面。
21、[13]根据[1]～[12]中任一项所述的复合颗粒，其用于传感器元件。
22、[14]一种复合颗粒的制造方法，所述复合颗粒包含：
23、芯颗粒、和
24、配置于前述芯颗粒表面的至少一部分的金属系颗粒集合体层，
25、前述金属系颗粒集合体层由彼此分离而配置的多个金属系颗粒构成，
26、所述制造方法包括如下工序：
27、使前述金属系颗粒在前述芯颗粒的表面生长。
28、[15]根据[14]所述的复合颗粒的制造方法，其中，在前述生长的工序后，还包括进行热处理的工序。
29、[16]根据[14]或[15]所述的复合颗粒的制造方法，其中，在前述生长的工序后，还包括形成至少覆盖前述多个金属系颗粒的表面的保护层的工序。
30、[17]一种复合颗粒，其包含：
31、芯颗粒、
32、配置于前述芯颗粒表面的至少一部分的金属系材料层、和
33、覆盖前述金属系材料层的表面的保护层。
34、[18]根据[17]所述的复合颗粒，其中，前述保护层由绝缘性材料构成。
35、[19]根据[17]或[18]所述的复合颗粒，其中，前述保护层的厚度为3nm以上且200nm以下。
36、[20]一种传感器元件，其用于检测被检测物质，
37、所述传感器元件包含：
38、基板；
39、复合颗粒，其配置于前述基板上；
40、捕捉部，其配置于前述复合颗粒上、且具有与前述被检测物质特异性结合的捕捉物质，
41、前述复合颗粒包含：
42、芯颗粒、和
43、配置于前述芯颗粒表面的至少一部分的金属系颗粒集合体层，
44、前述金属系颗粒集合体层由彼此分离而配置的多个金属系颗粒构成。
45、[21]根据[20]所述的传感器元件，其中，前述复合颗粒还包含至少覆盖前述多个金属系颗粒的表面的保护层，
46、在前述保护层上配置有前述捕捉部。
47、专利技术的效果
48、可以提供：能用于传感器元件等、且作为增强发光体的发光的增强元件有用的新的结构体。另外，可以提供：具备该结构体的传感器元件。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种复合颗粒，其包含：
2.根据权利要求1所述的复合颗粒，其中，所述多个金属系颗粒的平均粒径为5nm以上且1600nm以下。
3.根据权利要求1所述的复合颗粒，其中，所述多个金属系颗粒分别以与其相邻的金属系颗粒的平均距离成为1nm以上且150nm以下的方式进行配置。
4.根据权利要求1所述的复合颗粒，其中，所述平均距离的标准偏差为50nm以下。
5.根据权利要求1所述的复合颗粒，其中，所述芯颗粒的表面包含曲面。
6.根据权利要求5所述的复合颗粒，其至少在所述曲面上配置有所述金属系颗粒集合体层。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的复合颗粒，其中，所述芯颗粒的粒径为0.3μm以上且低于10μm。
8.根据权利要求1～6中任一项所述的复合颗粒，其中，所述金属系颗粒集合体层配置于所述芯颗粒的整个表面。
9.根据权利要求1～6中任一项所述的复合颗粒，其还包含至少覆盖所述多个金属系颗粒的表面的保护层。
10.根据权利要求9所述的复合颗粒，其中，所述保护层由绝缘性材料构成。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种复合颗粒，其包含：
2.根据权利要求1所述的复合颗粒，其中，所述多个金属系颗粒的平均粒径为5nm以上且1600nm以下。
3.根据权利要求1所述的复合颗粒，其中，所述多个金属系颗粒分别以与其相邻的金属系颗粒的平均距离成为1nm以上且150nm以下的方式进行配置。
4.根据权利要求1所述的复合颗粒，其中，所述平均距离的标准偏差为50nm以下。
5.根据权利要求1所述的复合颗粒，其中，所述芯颗粒的表面包含曲面。
6.根据权利要求5所述的复合颗粒，其至少在所述曲面上配置有所述金属系颗粒集合体层。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的复合颗粒，其中，所述芯颗粒的粒径为0.3μm以上且低于10μm。
8.根据权利要求1～6中任一项所述的复合颗粒，其中，所述金属系颗粒集合体层配置于所述芯颗粒的整个表面。
9.根据权利要求1～6中任一项所述的复合颗粒，其还包含至少覆盖所述多个金属系颗粒的表面的保护层。
10.根据权利要求9所述的复合颗粒，其中，所述保护层由绝缘性材料构成。
11.根据...
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