System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种调节CMOS器件阈值的方法及CMOS器件技术_技高网

一种调节CMOS器件阈值的方法及CMOS器件技术

技术编号:40504810 阅读:12 留言:0更新日期:2024-03-01 13:18
本发明专利技术涉及半导体技术领域,具体提供一种调节CMOS器件阈值的方法及CMOS器件,方法包括:在CMOS器件上设置衬底,衬底包括NMOS区域和PMOS区域,NMOS区域包括鳍片一和鳍片二,PMOS区域包括鳍片三和鳍片四;沉积阻挡层;在NMOS区域的阻挡层上形成功函数层一;沉积功函数层二;在NMOS区域上进行局部处理,使鳍片一和鳍片二上具有不同厚度的功函数层二;在PMOS区域上进行局部处理,使鳍片三和鳍片四上具有不同厚度的功函数层二;调节功函数层二的厚度的方法为利用湿法腐蚀机对功函数层二湿法腐蚀,湿法腐蚀机上开设有化剂槽,湿法腐蚀机上设有加液装置。本发明专利技术能够有效提高阈值控制精度,且CMOS器件阈值调节工艺更简单。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体,具体涉及一种调节cmos器件阈值的方法及cmos器件。


技术介绍

1、中国专利技术专利申请公布号为cn107195585a,公布日为2017年09月22日,专利技术名称为“一种调节cmos器件阈值的方法及cmos器件”的专利技术专利申请,方法包括:提供衬底、沉积第一阻挡层、在nmos区域上形成第一功函数层、沉积第二功函数层、使nmos、pmos区域上的不同鳍片上具有不同厚度的第二功函数层、沉积第三功函数层、去除第二、第四鳍片上的第三功函数层。器件:衬底、第一阻挡层、第一功函数层、第二功函数层、第三功函数层。本专利技术解决了现有技术中cmos器件阈值调节工艺复杂,nmos和pmos之间易产生关联寄生影响,阈值控制精度较低,器件叠层结构复杂的问题,达到了nmos和pmos之间阈值调节关联影响较小,cmos器件叠层结构简单的技术效果。

2、但上述专利申请利用湿法腐蚀对第二功函数层进行调节时,需要用到湿法腐蚀机,但现有的湿法腐蚀机在加液时容易飞溅,误伤操作人员。


技术实现思路

1、针对上述技术问题,本专利技术旨在提供一种调节cmos器件阈值的方法及cmos器件,为解决上述技术问题,本专利技术采用以下技术方案来实现:

2、一种调节cmos器件阈值的方法,包括:在cmos器件上设置衬底,衬底包括nmos区域和pmos区域,nmos区域包括鳍片一和鳍片二,pmos区域包括鳍片三和鳍片四;

3、沉积阻挡层;

4、在nmos区域的阻挡层上形成功函数层一;

5、沉积功函数层二;

6、在nmos区域上进行局部处理,使鳍片一和鳍片二上具有不同厚度的功函数层二;在pmos区域上进行局部处理,使鳍片三和鳍片四上具有不同厚度的功函数层二;

7、调节功函数层二的厚度的方法为利用湿法腐蚀机对功函数层二湿法腐蚀,湿法腐蚀机上开设有化剂槽,湿法腐蚀机上设有加液装置;

8、沉积功函数层三;

9、选择腐蚀功函数层三,去除鳍片二和鳍片四上的功函数层三;

10、其中,在nmos区域的阻挡层上形成功函数层一的方法为:

11、沉积功函数层一;

12、选择腐蚀功函数层一,去除pmos区域上的功函数层一;

13、其中,功函数层三的厚度小于功函数层一的厚度。

14、优选的,所述加液装置包括底板、立板、转杆、转板、夹持板、滑板一、滑板二、扭动板以及导流机构;

15、底板可拆卸连接于所述湿法腐蚀机顶壁,立板固接于底板顶壁,转杆转动连接于立板上,转杆上固接有直齿轮一,转板固接于转杆上,夹持板固接于转板底壁,滑板一滑动连接于转板上,滑板二滑动连接于滑板一上,滑板二上固接有电机一、连接板一、永磁铁一以及直齿条三,电机一的输出轴上固接有传动杆,传动杆上固接有蜗轮一,扭动板固接于传动杆下端,扭动板上开设有传动腔,传动腔通过通道一以及通道二和扭动板底壁连通,传动腔侧壁固接有电机二,直齿轮二固接于电机二输出轴上,传动腔顶壁滑动连接有直齿条一,直齿条一上固接有夹持件一,夹持件一穿过通道一延伸至扭动板下方,传动腔底壁滑动连接有直齿条二,直齿条二上固接有夹持件二,夹持件二穿过通道二延伸至扭动板下方,直齿条一以及直齿条二分别和直齿轮二啮合,连接板一上转动连接有蜗杆,滑板二上转动连接有直齿轮三,直齿轮三上固接有蜗轮二,蜗轮一以及蜗轮二分别和蜗杆啮合,直齿轮三和直齿条三啮合,滑板二底壁固接有直齿条四,滑板一上固接有连接板二、永磁铁二以及连接座,滑板一通过弹性件一和连接板二连接,连接座上转动连接有转轴,转轴上固接有直齿轮四以及直齿轮五,直齿轮五和直齿轮一啮合,夹持板上开设有夹持槽,夹持槽内设有夹持机构,导流机构连接于湿法腐蚀机上。

16、优选的,所述夹持机构包括夹持片以及弹性件二,夹持片滑动连接于所述夹持槽底壁,夹持片通过弹性件二和夹持槽侧壁连接。

17、优选的,所述夹持板上镶嵌有震动传导杆,震动传导杆一端延伸至夹持板外部,震动传导杆另一端延伸至夹持槽侧壁上,所述立板上固接有两个以上震动凸起。

18、优选的,所述导流机构包括导流槽、支撑柱、导流带、浮块以及固定环,导流槽通过支撑柱连接于所述湿法腐蚀机顶壁,导流槽倾斜设置,导流带固接于导流槽上,浮块滑动连接于所述化剂槽侧壁,固定环固接于浮块上,导流带一端延伸至化剂槽内且穿过固定环,导流带由软质材料制成。

19、优选的,所述滑板一上固接有滑轨一,所述滑板一滑动连接于滑轨一上,所述滑板一上固接有滑轨二,所述滑板二滑动连接于滑轨二上。

20、优选的,所述导流带上涂有耐腐蚀涂层。

21、一种cmos器件,包括所述衬底,衬底包括所述nmos区域和所述pmos区域,nmos区域包括所述鳍片一和所述鳍片二,pmos区域包括所述鳍片三和所述鳍片四;

22、所述阻挡层;

23、所述功函数层一,功函数层一位于nmos区域的阻挡层上;

24、所述功函数层二,利用湿法腐蚀机对功函数层二进行湿法腐蚀得到不同厚度的功函数层二;

25、功函数层二位于所述nmos区域的功函数层一上,鳍片一和鳍片二上具有不同厚度的功函数层二;

26、功函数层二位于pmos区域的阻挡层上,鳍片三和鳍片四上具有不同厚度的功函数层二;

27、所述功函数层三,功函数层三位于鳍片一和鳍片三的功函数层二上。

28、本专利技术具有以下有益效果为:

29、使在nmos区域、pmos区域上的不同鳍片上具有不同厚度的功函数层二,再通过功函数层三选择性覆盖部分nmos区域和pmos区域,实现nmos和pmos器件阈值调节,使得nmos和pmos之间阈值调节关联影响较小,能够有效提高阈值控制精度,且cmos器件阈值调节工艺更简单;

30、不需要人工手动扭开化剂瓶的盖子,不需要人工把化剂瓶内的腐蚀液倒入化剂槽内,通过电机二可以是夹持件一和夹持件二对盖子进行夹持,通过一个电机一即可把盖子进行扭开,使盖子及其他部件移开,且能使化剂瓶发生翻转从而自动倒出腐蚀液,通过震动传导杆和震动凸起的配合能够使腐蚀液倒出更加彻底,防止浪费,通过导流槽、导流带、浮块、固定环能够使倒出的腐蚀液安全地流至化剂槽内,防止发生飞溅伤人,提高加液安全性,提高加液便捷性。

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【技术保护点】

1.一种调节CMOS器件阈值的方法,其特征在于,包括:在CMOS器件上设置衬底,衬底包括NMOS区域和PMOS区域,NMOS区域包括鳍片一(1)和鳍片二(3),PMOS区域包括鳍片三(2)和鳍片四(4);

2.根据权利要求1所述的一种调节CMOS器件阈值的方法,其特征在于,加液装置(11)包括底板(12)、立板(13)、转杆(14)、转板(16)、夹持板(17)、滑板一(18)、滑板二(19)、扭动板(20)以及导流机构,底板(12)可拆卸连接于湿法腐蚀机(9)顶壁,立板(13)固接于底板(12)顶壁,转杆(14)转动连接于立板(13)上,转杆(14)上固接有直齿轮一(15),转板(16)固接于转杆(14)上,夹持板(17)固接于转板(16)底壁,滑板一(18)滑动连接于转板(16)上,滑板二(19)滑动连接于滑板一(18)上,滑板二(19)上固接有电机一(21)、连接板一(34)、永磁铁一(37)以及直齿条三(38),电机一(21)的输出轴上固接有传动杆(22),传动杆(22)上固接有蜗轮一(23),扭动板(20)固接于传动杆(22)下端,扭动板(20)上开设有传动腔(25),传动腔(25)通过通道一(26)以及通道二(27)和扭动板(20)底壁连通,传动腔(25)侧壁固接有电机二(28),直齿轮二(29)固接于电机二(28)输出轴上,传动腔(25)顶壁滑动连接有直齿条一(31),直齿条一(31)上固接有夹持件一(30),夹持件一(30)穿过通道一(26)延伸至扭动板(20)下方,传动腔(25)底壁滑动连接有直齿条二(33),直齿条二(33)上固接有夹持件二(32),夹持件二(32)穿过通道二(27)延伸至扭动板(20)下方,直齿条一(31)以及直齿条二(33)分别和直齿轮二(29)啮合,连接板一(34)上转动连接有蜗杆(341),滑板二(19)上转动连接有直齿轮三(36),直齿轮三(36)上固接有蜗轮二(35),蜗轮一(23)以及蜗轮二(35)分别和蜗杆(341)啮合,直齿轮三(36)和直齿条三(38)啮合,滑板二(19)底壁固接有直齿条四(39),滑板一(18)上固接有连接板二(40)、永磁铁二(42)以及连接座(43),滑板一(18)通过弹性件一(41)和连接板二(40)连接,连接座(43)上转动连接有转轴(44),转轴(44)上固接有直齿轮四(45)以及直齿轮五(46),直齿轮五(46)和直齿轮一(15)啮合,夹持板(17)上开设有夹持槽(47),夹持槽(47)内设有夹持机构,导流机构连接于湿法腐蚀机(9)上。

3.根据权利要求2所述的一种调节CMOS器件阈值的方法,其特征在于,夹持机构包括夹持片(48)以及弹性件二(49),夹持片(48)滑动连接于夹持槽(47)底壁,夹持片(48)通过弹性件二(49)和夹持槽(47)侧壁连接。

4.根据权利要求3所述的一种调节CMOS器件阈值的方法,其特征在于,夹持板(17)上镶嵌有震动传导杆(50),震动传导杆(50)一端延伸至夹持板(17)外部,震动传导杆(50)另一端延伸至夹持槽(47)侧壁上,立板(13)上固接有两个以上震动凸起(51)。

5.根据权利要求4所述的一种调节CMOS器件阈值的方法,其特征在于,导流机构包括导流槽(53)、支撑柱(54)、导流带(55)、浮块(56)以及固定环(57),导流槽(53)通过支撑柱(54)连接于湿法腐蚀机(9)顶壁,导流槽(53)倾斜设置,导流带(55)固接于导流槽(53)上,浮块(56)滑动连接于化剂槽(10)侧壁,固定环(57)固接于浮块(56)上,导流带(55)一端延伸至化剂槽(10)内且穿过固定环(57),导流带(55)由软质材料制成。

6.根据权利要求5所述的一种调节CMOS器件阈值的方法,其特征在于,滑板一(18)上固接有滑轨一(181),滑板一(18)滑动连接于滑轨一(181)上,滑板一(18)上固接有滑轨二(24),滑板二(19)滑动连接于滑轨二(24)上。

7.根据权利要求6所述的一种调节CMOS器件阈值的方法,其特征在于,导流带(55)上涂有耐腐蚀涂层。

8.一种CMOS器件,利用如权利要求1-7任一所述调节CMOS器件阈值的方法调节而成,其特征在于,包括衬底,衬底包括NMOS区域和PMOS区域,NMOS区域包括鳍片一(1)和鳍片二(3),PMOS区域包括鳍片三(2)和鳍片四(4);

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【技术特征摘要】

1.一种调节cmos器件阈值的方法,其特征在于,包括:在cmos器件上设置衬底,衬底包括nmos区域和pmos区域,nmos区域包括鳍片一(1)和鳍片二(3),pmos区域包括鳍片三(2)和鳍片四(4);

2.根据权利要求1所述的一种调节cmos器件阈值的方法,其特征在于,加液装置(11)包括底板(12)、立板(13)、转杆(14)、转板(16)、夹持板(17)、滑板一(18)、滑板二(19)、扭动板(20)以及导流机构,底板(12)可拆卸连接于湿法腐蚀机(9)顶壁,立板(13)固接于底板(12)顶壁,转杆(14)转动连接于立板(13)上,转杆(14)上固接有直齿轮一(15),转板(16)固接于转杆(14)上,夹持板(17)固接于转板(16)底壁,滑板一(18)滑动连接于转板(16)上,滑板二(19)滑动连接于滑板一(18)上,滑板二(19)上固接有电机一(21)、连接板一(34)、永磁铁一(37)以及直齿条三(38),电机一(21)的输出轴上固接有传动杆(22),传动杆(22)上固接有蜗轮一(23),扭动板(20)固接于传动杆(22)下端,扭动板(20)上开设有传动腔(25),传动腔(25)通过通道一(26)以及通道二(27)和扭动板(20)底壁连通,传动腔(25)侧壁固接有电机二(28),直齿轮二(29)固接于电机二(28)输出轴上,传动腔(25)顶壁滑动连接有直齿条一(31),直齿条一(31)上固接有夹持件一(30),夹持件一(30)穿过通道一(26)延伸至扭动板(20)下方,传动腔(25)底壁滑动连接有直齿条二(33),直齿条二(33)上固接有夹持件二(32),夹持件二(32)穿过通道二(27)延伸至扭动板(20)下方,直齿条一(31)以及直齿条二(33)分别和直齿轮二(29)啮合,连接板一(34)上转动连接有蜗杆(341),滑板二(19)上转动连接有直齿轮三(36),直齿轮三(36)上固接有蜗轮二(35),蜗轮一(23)以及蜗轮二(35)分别和蜗杆(341)啮合,直齿轮三(36)和直齿条三(38)啮合,滑板二(19)底壁固接有直齿条四(39),滑板一(18)上固接有连接板二(40)、永磁铁二(42)以及连接座(43),滑...

【专利技术属性】
技术研发人员:余毅郭同健
申请(专利权)人:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
类型:发明
国别省市:

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