【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，具体涉及一种半导体器件的制造方法及半导体器件。
技术介绍
1、对于现有的高压mos（hvmos）器件，为保证mos器件的有源区层上硅表面不被损毁，需要确保其上表面的氧化层在干法蚀刻后仍保留一定余量，即氧化层沟槽底部具有一定的蚀刻余量。然而，氧化层沟槽在蚀刻过程中，通常会遇到底部氧化层余量（oxide remainloading）蚀刻不均匀的问题，其主要原因有：
2、其一，同一蚀刻沟槽内，在蚀刻过程中，与沟槽侧壁距离越近的氧化层蚀刻速率越大，对应的蚀刻余量越少，导致沟槽底面的两边的蚀刻余量会比沟槽底面中部的蚀刻余量少，会呈现沟槽底面中部高、两边低的不均匀现象；其二，每个沟槽的宽度不同，在蚀刻后氧化层蚀刻余量出现差异，即沟槽的宽度越大，在蚀刻完成后，氧化层的蚀刻余量越大，会出现每个沟槽的蚀刻余量不同，而表现为不同沟槽的底面的水平面不一致。
技术实现思路
1、鉴于此，本申请实施例提供一种半导体器件的制造方法及半导体器件，可以使具有不同宽度的氧化层沟槽底部的氧化层厚度相同。
2、第一方面，本申请提供的半导体器件的制造方法，包括：
3、提供一待蚀刻半导体结构，所述待蚀刻半导体结构包括由下至上依次层叠设置的半导体衬底、氧化层和抗反射层；
4、在所述抗反射层上形成具有预设图案的光刻胶层；
5、以所述光刻胶层为掩膜，对所述抗反射层和所述氧化层进行一步蚀刻工艺，形成第一氧化层沟槽和第二氧化层沟槽，所述第一氧化层沟槽和所述第
6、去除所述光刻胶层和所述抗反射层。
7、在本申请实施例提供的半导体器件的制造方法中，所述蚀刻设备的工艺参数包括腔体压力、高频射频功率、低频射频功率、第一反应气体流量和第二反应气体流量。
8、在本申请实施例提供的半导体器件的制造方法中，所述腔体压力为20 ~ 100 mt。
9、在本申请实施例提供的半导体器件的制造方法中，所述高频射频功率为600 ~1000 w。
10、在本申请实施例提供的半导体器件的制造方法中，所述低频射频功率为150 ~500 w。
11、在本申请实施例提供的半导体器件的制造方法中，所述第一反应气体的流量为30~ 50 sccm。
12、在本申请实施例提供的半导体器件的制造方法中，所述第二反应气体的流量为100 ~ 200 sccm。
13、在本申请实施例提供的半导体器件的制造方法中，所述第一反应气体为cf4。
14、在本申请实施例提供的半导体器件的制造方法中，所述第二反应气体为ar。
15、第二方面，本申请实施例提供了一种半导体器件，所述半导体器件采用如上述任一项半导体器件的制造方法形成。
16、综上所述，本申请实施例提供的半导体器件的制造方法包括提供一待蚀刻半导体结构，所述待蚀刻半导体结构包括由下至上依次层叠设置的半导体衬底、氧化层和抗反射层；在所述抗反射层上形成具有预设图案的光刻胶层；以所述光刻胶层为掩膜，在蚀刻设备的反应腔内通过调整所述蚀刻设备的工艺参数对所述抗反射层和所述氧化层进行一步蚀刻工艺，形成第一氧化层沟槽和第二氧化层沟槽，所述第一氧化层沟槽和所述第二氧化层沟槽的宽度不同，所述第一氧化层沟槽和所述第二氧化层沟槽底部的氧化层厚度相同，以达到通过一步蚀刻工艺控制刻蚀余量均匀性的目的；去除所述光刻胶层和所述抗反射层。本方案可以通过一步蚀刻工艺形成具有不同宽度的氧化层沟槽，且其底部的氧化层厚度相同。
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1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述蚀刻设备的工艺参数包括腔体压力、高频射频功率、低频射频功率、第一反应气体流量和第二反应气体流量。
3.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述腔体压力为20 ~ 100mT。
4.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述高频射频功率为600~ 1000 W。
5.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述低频射频功率为150~ 500 W。
6.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一反应气体的流量为30 ~ 50 sccm。
7.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第二反应气体的流量为100 ~ 200 sccm。
8.如权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一反应气体为CF4。
9.如权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第二反应气体为Ar。
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【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述蚀刻设备的工艺参数包括腔体压力、高频射频功率、低频射频功率、第一反应气体流量和第二反应气体流量。
3.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述腔体压力为20 ~ 100mt。
4.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述高频射频功率为600~ 1000 w。
5.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述低频射频功率为150~ 500 w。
【专利技术属性】
技术研发人员：陈峰，陈勇树，李晓怡，
申请(专利权)人：粤芯半导体技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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