System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 沉积设备制造技术_技高网

沉积设备制造技术

技术编号:40500997 阅读:23 留言:0更新日期:2024-02-26 19:28
提供了沉积设备。用于将沉积材料沉积在布置在掩模上的基础衬底上的沉积设备包括:掩模组件,包括在其中限定开口并且围绕开口的掩模框架以及布置在掩模框架上的掩模;布置在基础衬底上的静电卡盘;以及布置在静电卡盘上的板。静电卡盘包括多个磁体,并且多个磁体之中的至少一个磁体的磁性与多个磁体之中除至少一个磁体以外的其余磁体的磁性不同。

【技术实现步骤摘要】

本公开总体上涉及沉积设备


技术介绍

1、显示装置可包括像素。包括在像素中的每个中的发光元件可包括彼此间隔开的电极和布置在电极之间的发光层。电极和发光层可通过使用数种方法形成。在这些方法之中,独立沉积方法是其中掩模(例如,精细金属掩模(“fmm”))被拉伸并且然后将其紧密地粘附到掩模框架上,并且将沉积材料沉积在待沉积的表面上的方法。


技术实现思路

1、实施方式提供了能够改善工艺偏差(process variation)和产率的沉积设备。

2、根据本公开的方面,提供了用于将沉积材料沉积在布置在掩模上的基础衬底上的沉积设备,沉积设备包括:包括在其中限定开口并且围绕开口的掩模框架以及布置在掩模框架上的掩模的掩模组件、布置在基础衬底上的静电卡盘以及布置在静电卡盘上的板。静电卡盘包括多个磁体,并且多个磁体之中的至少一个磁体的磁性与多个磁体之中的其它磁体的磁性不同。

3、静电卡盘可包括磁性区域。磁性区域可包括与磁性区域的中心区域对应的第一区域以及布置在第一区域的一侧处的第二区域。

4、多个磁体可包括布置在第一区域中的第一磁体和布置在第二区域中的第二磁体。第一磁体的磁性可大于第二磁体的磁性。

5、第一磁体的磁导率可大于第二磁体的磁导率。

6、第一磁体的磁化率可大于第二磁体的磁化率。

7、在平面图中,磁性区域可与板重叠。

8、板可包括永磁体。

9、静电卡盘可在其中限定多个内部凹槽。多个磁体可分别布置在多个内部凹槽中。

10、静电卡盘可包括面对板的第一表面和作为第一表面的相对表面的第二表面。磁体可布置成与第二表面相比更靠近第一表面。

11、磁体可布置成与第一表面间隔开特定距离。

12、磁体中的每个可包括面对板的第三表面和作为第三表面的相对表面的第四表面。第三表面和第一表面可存在于相同的平面上。

13、至少一个磁体中的每个的尺寸可与其它磁体中的每个的尺寸不同。

14、根据本公开的另一方面,提供了用于将沉积材料沉积在布置在掩模上的基础衬底上的沉积设备,沉积设备包括:包括在其中限定开口并且围绕开口的掩模框架以及布置在掩模框架上的掩模的掩模组件、布置在基础衬底上的静电卡盘以及布置在静电卡盘上的板。静电卡盘包括多个磁体,并且多个磁体之中的至少一个磁体中的每个的尺寸与多个磁体之中的其它磁体的尺寸不同。

15、静电卡盘可包括磁性区域。磁性区域可包括与磁性区域的中心区域对应的第一区域以及布置在第一区域的一侧处的第二区域。

16、多个磁体可包括布置在第一区域中的第一磁体和布置在第二区域中的第二磁体。第一磁体的尺寸可大于第二磁体的尺寸。

17、在平面图中,磁性区域可与板重叠。

18、静电卡盘可包括面对板的第一表面和作为第一表面的相对表面的第二表面。磁体可布置成与第二表面相比更靠近第一表面。

19、磁体可布置成与第一表面间隔开特定距离。

20、磁体中的每个可包括面对板的第三表面和作为第三表面的相对表面的第四表面。第三表面和第一表面可存在于相同的平面上。

21、至少一个磁体的磁性可与其它磁体的磁性不同。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种沉积设备,所述沉积设备用于将沉积材料沉积在布置在掩模上的基础衬底上,所述沉积设备包括:

2.如权利要求1所述的沉积设备,其中,所述静电卡盘包括磁性区域,以及

3.如权利要求2所述的沉积设备,其中,所述多个磁体包括布置在所述第一区域中的第一磁体和布置在所述第二区域中的第二磁体,以及

4.如权利要求3所述的沉积设备,其中,所述第一磁体的磁导率大于所述第二磁体的磁导率。

5.如权利要求3所述的沉积设备,其中,所述第一磁体的磁化率大于所述第二磁体的磁化率。

6.如权利要求2所述的沉积设备,其中,在平面图中,所述磁性区域与所述板重叠。

7.如权利要求1所述的沉积设备,其中,所述板包括永磁体。

8.如权利要求1所述的沉积设备,其中,所述静电卡盘在其中限定多个内部凹槽,以及

9.如权利要求1所述的沉积设备,其中,所述静电卡盘包括面对所述板的第一表面和与所述第一表面相对的第二表面,以及

10.如权利要求9所述的沉积设备,其中,所述多个磁体布置成与所述第一表面间隔开特定距离。

11.如权利要求9所述的沉积设备,其中,所述多个磁体中的每个包括面对所述板的第三表面和与所述第三表面相对的第四表面,以及

12.如权利要求1所述的沉积设备,其中,所述至少一个磁体中的每个的尺寸与所述其余磁体中的每个的尺寸不同。

13.一种沉积设备,所述沉积设备用于将沉积材料沉积在布置在掩模上的基础衬底上,所述沉积设备包括:

14.如权利要求13所述的沉积设备,其中,所述静电卡盘包括磁性区域,以及

15.如权利要求14所述的沉积设备,其中,所述多个磁体包括布置在所述第一区域中的第一磁体和布置在所述第二区域中的第二磁体,以及

16.如权利要求14所述的沉积设备,其中,在平面图中,所述磁性区域与所述板重叠。

17.如权利要求14所述的沉积设备,其中,所述静电卡盘包括面对所述板的第一表面和与所述第一表面相对的第二表面,以及

18.如权利要求17所述的沉积设备,其中,所述多个磁体布置成与所述第一表面间隔开特定距离。

19.如权利要求17所述的沉积设备,其中,所述多个磁体中的每个包括面对所述板的第三表面和与所述第三表面相对的第四表面,

20.如权利要求13所述的沉积设备,其中,所述至少一个磁体的磁性与所述其余磁体的磁性不同。

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【技术特征摘要】

1.一种沉积设备,所述沉积设备用于将沉积材料沉积在布置在掩模上的基础衬底上,所述沉积设备包括:

2.如权利要求1所述的沉积设备,其中,所述静电卡盘包括磁性区域,以及

3.如权利要求2所述的沉积设备,其中,所述多个磁体包括布置在所述第一区域中的第一磁体和布置在所述第二区域中的第二磁体,以及

4.如权利要求3所述的沉积设备,其中,所述第一磁体的磁导率大于所述第二磁体的磁导率。

5.如权利要求3所述的沉积设备,其中,所述第一磁体的磁化率大于所述第二磁体的磁化率。

6.如权利要求2所述的沉积设备,其中,在平面图中,所述磁性区域与所述板重叠。

7.如权利要求1所述的沉积设备,其中,所述板包括永磁体。

8.如权利要求1所述的沉积设备,其中,所述静电卡盘在其中限定多个内部凹槽,以及

9.如权利要求1所述的沉积设备,其中,所述静电卡盘包括面对所述板的第一表面和与所述第一表面相对的第二表面,以及

10.如权利要求9所述的沉积设备,其中,所述多个磁体布置成与所述第一表面间隔开特定距离。

11.如权利要求9所述的沉积设备,其中,所述多个磁体中的每个包括面对...

【专利技术属性】
技术研发人员:高晙赫文在晳姜敏求金义圭宋珉澈柳锡河赵荣善
申请(专利权)人:三星显示有限公司
类型:发明
国别省市:

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