【技术实现步骤摘要】
本公开涉及自动压力控制装置、成膜装置和压力的控制方法。
技术介绍
1、在半导体器件的制造工序中，例如向调整为真空状态的处理容器内供给原料气体、反应气体，对作为基板的半导体晶圆(以下，记为晶圆)进行成膜处理。在专利文献1中记载有一种真空压力控制装置，在对晶圆进行的成膜技术中，在进行真空腔室内的排气以及调整真空腔室内的压力时，该真空压力控制装置利用设于配管的非密闭式的蝶形阀进行真空腔室内的压力控制。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开2021-124133号公报
技术实现思路
1、专利技术要解决的问题
2、本公开提供一种促进排气管内的气体置换并且抑制副产物的附着的影响地进行压力制御的技术。
3、用于解决问题的方案
4、本公开的自动压力控制装置控制被供给用于对基板进行成膜的原料气体的处理容器内的压力，其中，
5、该自动压力控制装置包括：
6、真空排气部，其用于对所述处理容器内的气体进行真空排气；
7、排气路径，其将所述处理容器与所述真空排气部相连；以及
8、蝶形阀，其具有阀芯和环状的阀座，该阀座的内壁面形成所述排气路径的局部，该阀芯构成为用于封堵将所述环状的阀座横截而得到的横截面的至少局部的板状体，并且该阀芯以能够借助轴相对于所述阀座转动的方式安装于该阀座，该阀芯利用所述轴使相对于所述横截面的倾斜角变化而倾斜配置，从而使所述排气路径的开口面积变化，
9、在从所述排气路径内的气体的流动方向上的上游侧观察而将所述阀芯的上游侧的面称为表面、将下游侧的面称为背面时，在所述阀芯的表面，在所述倾斜配置时位于所述流动方向上的下游侧的端部的区域形成有第1楔形面，在所述阀芯的背面，在所述倾斜配置时位于所述流动方向上的上游侧的端部的区域形成有第2楔形面，
10、所述阀芯在所述倾斜配置时被在所述倾斜角为10度～30度的范围内使用，所述表面的除了所述第1楔形面以外的区域与所述第1楔形面所成的角度以及所述背面的除了所述第2楔形面以外的区域与所述第2楔形面所成的角度均大于95度且为150度以下。
11、专利技术的效果
12、根据本公开，能够促进排气管内的气体置换并且抑制副产物的附着的影响地进行压力控制。
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1.一种自动压力控制装置，其控制被供给用于对基板进行成膜的原料气体的处理容器内的压力，其中，
2.根据权利要求1所述的自动压力控制装置，其中，
3.根据权利要求2所述的自动压力控制装置，其中，
4.根据权利要求1所述的自动压力控制装置，其中，
5.根据权利要求1所述的自动压力控制装置，其中，
6.一种成膜装置，其中，
7.一种压力的控制方法，其是被供给原料气体的成膜装置所包含的处理容器内的压力的控制方法，其中，
【技术特征摘要】
1.一种自动压力控制装置，其控制被供给用于对基板进行成膜的原料气体的处理容器内的压力，其中，
2.根据权利要求1所述的自动压力控制装置，其中，
3.根据权利要求2所述的自动压力控制装置，其中，
4.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：米仓总史，竹山环，谷村龙彦，大仓成幸，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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