等离子体处理装置制造方法及图纸

一种等离子体处理装置（Ａ），穿设有与包覆电极（３）及散热器（６）连通的定位用孔（Ｂ）。将螺栓（７１）插通在该定位用孔（Ｂ）中，借此来正确且容易地实现包覆电极（３）的定位。另外，将螺旋弹簧（７３）配设在螺栓（７１）的头部（７１ａ）与散热器（６）之间。借此，可使头部（７１ａ）与散热器（６）之间具有由螺旋弹簧（７３）的弹性力引起的余隙，从而可有包覆电极（３）进行变形的余地。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种等离子体处理装置，被应用在针对存在于被处理物表面的有机物 等的异物的清洁(cleaning)、光阻剂(光刻胶，resisit)的剥离及蚀刻(etching)、有机薄 膜(film)的密着性的改善、金属氧化物的还原、成膜、镀敷预处理、涂敷(coating)预处理、 涂装预处理、以及各种材料及零件的表面改性等的表面处理中，该等离子体处理装置特别 可适用于对要求精密接合的电子零件的表面进行清洁。
技术介绍
现有技术是，相向地配置多个电极，将电极之间的空间形成为放电空间，将等离子 体(plasma)产生用气体(gas)供给至放电空间，并且将电压施加至电极之间，借此来在放 电空间中产生放电而产生等离子体，从放电空间中喷出等离子体或等离子体的活性种，并 喷射至被处理物，由此对被处理物实施表面改性等的等离子体处理(参照专利文献1)。现有技术文献专利文献“专利文献1”日本专利早期公开的特开2008-205209号公报对于如上所述的等离子体处理装置而言，若相向的电极的定位不正确，或电极因 等离子体放电所引起的发热而变形，致使放电空间的形状变形，则有可能会引起如下的问 题，即，无法获得预期的性能，或会由于放电的停止或异常放电、异常的放电集中而使电极 破损。另外，如上所述的等离子体处理装置的电极在使用时，会因等离子体放电的热量 而发生热膨胀等，从而会产生某程度的变形。但是，利用螺钉等的固定单元来将相向的电极 予以固定之后，电极中处于固定单元周边的部位由于被固定单元固定，因此，无法进行热变 形。由此存在如下的问题，即，在1个电极中，固定单元周边与该固定单元以外的位置处的 变形量会产生差异，放电空间的形状容易变形。
技术实现思路
本专利技术是鉴于上述问题点而形成的专利技术，目的在于提供一种等离子体处理装置， 能够使电极的定位变得正确且容易，而且可抑制放电空间的形状的变形。为了实现所述目的，第1专利技术提供一种等离子体处理装置，隔着间隔件部 (spacer)来相向地配置多个电极，将这些电极与间隔件部所包围的空间作为放电空间，将 等离子体产生用气体供给至该放电空间，并且将电压施加至所述电极之间，借此来使该放 电空间内产生放电而产生等离子体。所述等离子体处理装置的特征在于用以对所述电极 进行冷却的散热器与所述电极相向地配置于所述多个电极与间隔件部所构成的放电容器 的外侧，并且在所述电极、所述间隔件部、及所述散热器上，沿着所述电极的相向方向穿设 有彼此连通的定位用孔。在所述定位用孔中贯通设置有安装构件，该安装构件借由沿着所 述定位用孔的穿孔方向的弹性力来使所述电极、所述间隔件部、及所述散热器彼此压接。根据第1专利技术，在电极、间隔件部、及散热器上穿设定位用孔，并将安装构件贯通设置于该定位用孔，借此来正确且容易地实现电极的定位。另外，由于借由具有弹性力的安 装构件来使电极、间隔件部、及散热器彼此压接，因此，可使这些构件的压接具有由弹性力 引起的余隙。即，即使在定位用孔周边，电极也有与余隙相当的变形(热膨胀等)的余地。 因此，与借由不具有弹性力的安装构件来将电极等予以固定的情况相比较，电极的变形的 不均一受到抑制，从而可抑制放电空间的形状的变形。第2专利技术的特征在于，在第1专利技术所述的等离子体处理装置中，所述安装构件包 括贯通设置在所述定位用孔中的螺钉、以及螺旋弹簧(coil spring)。螺旋弹簧(coil spring)供所述螺钉插通至螺旋弹簧(coil spring)的轴心，且螺旋弹簧(coil spring)配 设在所述螺钉的头部与所述散热器之间。根据第2专利技术，将螺钉贯通设置在穿设于电极、间隔件部、及散热器的定位用孔 中，借此来正确且容易地实现电极的定位。另外，使螺旋弹簧介于螺钉的头部与散热器之 间，在压接时，螺旋弹簧的弹性力残留有余隙，借此，当电极等变形时，定位用孔周边的电极 也可进行与余隙相当的变形。由此，电极的变形的不均一受到抑制，从而可抑制放电空间的 形状的变形。第3专利技术的特征在于，在第1专利技术或第2专利技术所述的等离子体处理装置中，所述电 极是将导电体埋设于绝缘基板而成的包覆电极。根据第3专利技术，借由将电极设为包覆电极，在放电时，不易引起绝缘击穿 (insulation breakdown)，放电的稳定性提高。第4专利技术的特征在于，在第3专利技术所述的等离子体处理装置中，所述包覆电极是借 由将所述导电体设置于多片绝缘片(sheet)材之间并予以一体成型而形成。根据第4专利技术，由绝缘片材形成绝缘基板，将导电体插在绝缘片材之间并一体成 型，借此，可容易地形成均一的包覆电极，从而可在空间中均一地产生等离子体放电。第5专利技术的特征在于，在第1专利技术或第2专利技术所述的等离子体处理装置中，所述间 隔件部是与所述电极一体地形成，所述放电空间由凹部形成，该凹部形成于相向地配置且 成对的所述电极中的至少任一方的电极的表面。根据第5专利技术，在相向的电极中的至少任一方的电极的表面上形成凹部，并将该 凹部设为放电空间，借此，可与电极一体地形成间隔件部，装置的制作变得容易。第6专利技术的特征在于，在第1专利技术或第2专利技术所述的等离子体处理装置中，所述散 热器包括压接于所述放电容器的外表面的接触部、以及突出设置于该接触部的散热鳍片 (fin)。根据第6专利技术，在散热器上设置散热鳍片，借此，利用热辐射来对电极进行冷却， 从而可抑制由电极的热变形引起的放电空间的形状的变形。第7专利技术的特征在于，在第1专利技术至第2专利技术所述的等离子体处理装置中，还包括 对所述散热器进行冷却的冷却单元。根据第7专利技术，由于包括对散热器进行冷却的冷却单元，因此，与第6专利技术相比，可 效率更好地对电极进行冷却，从而可抑制由电极的热变形引起的放电空间的形状的变形。专利技术的效果本专利技术可提供一种等离子体处理装置，能够使电极的定位变得正确且容易，而且 抑制了放电空间的形状的变形。所述说明仅是本专利技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本专利技术的技术手段， 并可依照说明书的内容予以实施，以下以本专利技术的较佳实施例并配合附图详细说明如后。附图说明图1是本专利技术的实施方式1的横剖面图。图2是本专利技术的实施方式1的立体图。图3是本专利技术的实施方式1的纵剖面图。图4是表示本专利技术的实施方式1的包覆电极的制造的剖面图。图5(a)、5(b)是表示本专利技术的实施方式1的一部分的剖面图，其中图5 (a)是未使 用中点接地的图，图5(b)是使用了中点接地的图。图6是本专利技术的实施方式2的横剖面图。图7是本专利技术的实施方式3的横剖面图。符号的说明1 绝缘基板2:导电层3:包覆电极4 放电空间5 电源6 :散热器8 温度调整单元11 绝缘片材21:导电体30 放电容器31 间隔件部(spacer)41:气体流通口42:下表面开口61 接触部62 散热鳍片63 冷却风扇64 冷却套管64a 循环路径71 螺栓71a 头部72 螺母 73 螺旋弹簧A 等离子体处理装置Ar 电弧B 定位用孔G 等离子体产生用气体H 被处理物P 等离子体具体实施例方式实施方式1参照图1 图5 (a)、图5 (b)来对本专利技术的第1实施方式进行说明。下述说明中的 上下方向对应于图2中的上下方向。图1、图2表示本实施方式的等离子体处理装置A的一例。该等离子体处理装置A 包括由彼此相向的多个包覆电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体处理装置，隔着间隔件部来相向地配置多个电极，将这些电极与所述间隔件部所包围的空间作为放电空间，将等离子体产生用气体供给至该放电空间，并且将电压施加至所述电极之间，借此来使该放电空间内产生放电而产生等离子体，所述等离子体处理装置的特征在于：用以对所述电极进行冷却的散热器与所述电极相向地配置于所述多个电极与所述间隔件部所构成的放电容器的外侧，并且在所述电极、所述间隔件部、及所述散热器上，沿着所述电极的相向方向穿设有彼此连通的定位用孔，在所述定位用孔中贯通设置有安装构件，该安装构件借由沿着所述定位用孔的穿孔方向的弹性力来使所述电极、所述间隔件部、及所述散热器彼此压接。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：中园佳幸，弓削政郎，
申请(专利权)人：松下电工株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]