【技术实现步骤摘要】
本技术属于电容器，尤指一种高性能x2射频突波抑制电源电磁干扰电容器。
技术介绍
1、电容器成为各类设备电路板中必不可少的器件，电容器分为很多种，瓷片电容，涤纶电容，云母电容等。目前电容器的射频突波抑制特性较差，易出现接收到的信号不稳定，造成设备不稳定输出；对电磁电源的抗干扰性能不强，极大的影响电容器的性能。
技术实现思路
1、基于上述背景中出现的问题，本技术的目的是提供一种高性能x2射频突波抑制电源电磁干扰电容器，其具有良好抗干扰能力，提高其稳定性，增加了抗压性。
2、本技术的技术方案是：一种高性能x2射频突波抑制电源电磁干扰电容器，包括外壳、电芯体和壳盖，电芯体设在电芯座的内部并通过电芯座设置于外壳的内部,所述壳盖卡接在外壳下端的开口处，所述的电芯体与外壳内壁之间填充有突波抑制屏蔽层，所述的突波抑制屏蔽层为铁氧体层，所述的电芯体由两个y类电容器串联后与一个x类电容器并联组成，电芯体的两个引出脚分别穿过电芯座上对应的孔、壳盖上对应孔，且分别通过对应的固定点固定。
3、进一步地，所述电芯座包括底板，在底板上左侧设有竖板，且在竖板的右侧滑动设有限位板，在底板上设有滑槽，在限位板下端设有与滑槽相配合的滑块，滑块滑动设在滑槽内，所述的限位板右侧设有固定板，固定螺栓穿过固定板上的孔，且螺纹设在底板上的螺纹孔内，在底板上设有多个与固定板上的孔相配合的螺纹孔。
4、进一步地，所述壳盖上表面设有环形卡板，在外壳的下端开口处环周设有与环形卡板相配合的环形卡槽，环形
5、进一步地，所述的电芯体与外壳内顶壁之间设有限位柱。
6、进一步地，两个所述的y类电容器之间连接有中心电极引线，x类电容器两端设置有第二电极引线，两个y类电容器串联后通过其两端的第一电极引线与一个x类电容器的两端的第二电极引线并联，且并联后与对应的引出脚相连。
7、进一步地，所述的x类电容器为塑料薄膜上镀有金属膜，紧密卷绕而成的金属膜卷绕电容，所述的y类电容器为陶瓷电容。
8、进一步地，在x类电容器内部设有抗压导电介质，x类电容器为紧密沿着抗压导电介质卷绕而成的金属膜卷绕电容，增加了抗压性，提高了整体的安全性能，该种电容器整体结构比起以往提高了很多，性能高。
9、本技术具有的优点和积极效果是：通过采用上述技术方案，在突波抑制屏蔽层的作用下，可可抑制电源供应装置中所产生的突波电流，延长元件的使用寿命，提高网络设备供电的稳定性；电芯体由两个y类电容器串联后与一个x类电容器并联组成，具有良好的抗干扰能力；电容器内部增加了抗压导电介质，增加了抗压性，提高了整体的安全性能。
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1.一种高性能X2射频突波抑制电源电磁干扰电容器，其特征在于：包括外壳、电芯体和壳盖，电芯体设在电芯座的内部并通过电芯座设置于外壳的内部,所述壳盖卡接在外壳下端的开口处，所述的电芯体与外壳内壁之间填充有突波抑制屏蔽层，所述的突波抑制屏蔽层为铁氧体层，所述的电芯体由两个Y类电容器串联后与一个X类电容器并联组成，电芯体的两个引出脚分别穿过电芯座上对应的孔、壳盖上对应孔，且分别通过对应的固定点固定。
2.根据权利要求1所述的一种高性能X2射频突波抑制电源电磁干扰电容器，其特征在于：所述电芯座包括底板，在底板上左侧设有竖板，且在竖板的右侧滑动设有限位板，在底板上设有滑槽，在限位板下端设有与滑槽相配合的滑块，滑块滑动设在滑槽内，所述的限位板右侧设有固定板，固定螺栓穿过固定板上的孔，且螺纹设在底板上的螺纹孔内，在底板上设有多个与固定板上的孔相配合的螺纹孔。
3.根据权利要求1所述的一种高性能X2射频突波抑制电源电磁干扰电容器，其特征在于：所述壳盖上表面设有环形卡板，在外壳的下端开口处环周设有与环形卡板相配合的环形卡槽，环形卡板卡设在环形卡槽内。
4.根据权
5.根据权利要求1所述的一种高性能X2射频突波抑制电源电磁干扰电容器，其特征在于：两个所述的Y类电容器之间连接有中心电极引线，X类电容器两端设置有第二电极引线，两个Y类电容器串联后通过其两端的第一电极引线与一个X类电容器的两端的第二电极引线并联，且并联后与对应的引出脚相连。
6.根据权利要求1所述的一种高性能X2射频突波抑制电源电磁干扰电容器，其特征在于：所述的X类电容器为塑料薄膜上镀有金属膜，紧密卷绕而成的金属膜卷绕电容，所述的Y类电容器为陶瓷电容。
7.根据权利要求1所述的一种高性能X2射频突波抑制电源电磁干扰电容器，其特征在于：在X类电容器内部设有抗压导电介质，X类电容器为紧密沿着抗压导电介质卷绕而成的金属膜卷绕电容。
...【技术特征摘要】
1.一种高性能x2射频突波抑制电源电磁干扰电容器，其特征在于：包括外壳、电芯体和壳盖，电芯体设在电芯座的内部并通过电芯座设置于外壳的内部,所述壳盖卡接在外壳下端的开口处，所述的电芯体与外壳内壁之间填充有突波抑制屏蔽层，所述的突波抑制屏蔽层为铁氧体层，所述的电芯体由两个y类电容器串联后与一个x类电容器并联组成，电芯体的两个引出脚分别穿过电芯座上对应的孔、壳盖上对应孔，且分别通过对应的固定点固定。
2.根据权利要求1所述的一种高性能x2射频突波抑制电源电磁干扰电容器，其特征在于：所述电芯座包括底板，在底板上左侧设有竖板，且在竖板的右侧滑动设有限位板，在底板上设有滑槽，在限位板下端设有与滑槽相配合的滑块，滑块滑动设在滑槽内，所述的限位板右侧设有固定板，固定螺栓穿过固定板上的孔，且螺纹设在底板上的螺纹孔内，在底板上设有多个与固定板上的孔相配合的螺纹孔。
3.根据权利要求1所述的一种高性能x2射频突波抑制电源电磁干扰电容器，其特征在于：所述壳盖上表面设有环形卡板...
【专利技术属性】
技术研发人员：王健，张毅，吴光杰，乔水平，
申请(专利权)人：长兴立峰电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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