【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及硅片加工，具体涉及一种抛光头浸泡去除结晶的工艺方法。
技术介绍
1、抛光化学机械抛光作为硅片加工过程中的重要步骤，直接关系到ic器件的质量和成品率。化学机械抛光中硅片与研磨液首先发生化学反应，生成易于去除的表面层，之后表面层在抛光头和硅片的相对运动中磨去，实现全局表面平坦化。抛光过程中使用的研磨液呈现碱性，极易产生结晶，在抛光头转动时，结晶的不定期脱落会导致机械作用过强，从而在硅片表面产生划伤。
技术实现思路
1、本专利技术主要解决现有技术中存在的不足，提供了一种抛光头浸泡去除结晶的工艺方法，其具有操作便捷、省时省力和效果好的特点。解决了硅片抛光过程中抛光头遗留结晶引起划伤的问题。有效去除抛光头上残留的结晶，减少硅片划伤。
2、本专利技术的上述技术问题主要是通过下述技术方案得以解决的：
3、一种抛光头浸泡去除结晶的工艺方法，包括如下操作步骤：
4、第一步：抛光头浸泡在koh稀溶液中进行粗抛，抛光头在溶液中浸泡5～8h，浸泡清洗过程中抛头转速4～8rpm，辅以超声，超声功率1200w。粗抛完成后用纯水冲洗抛光头，并用抛光布将抛光头表面擦拭干净。
5、第二步：抛光头浸泡在koh稀溶液中进行中抛，抛光头在溶液中浸泡3～5h，浸泡清洗过程中抛头转速4～8rpm，辅以超声，超声功率1200w。中抛完成后用纯水冲洗抛光头，并用抛光布将抛光头表面擦拭干净。
6、第三步：抛光头浸泡在koh稀溶液中进行精抛，抛光头在溶液中浸泡
7、第四步：完成粗抛、中抛和精抛后，将抛光头浸泡在浸泡桶内配制koh稀溶液进行清洗，最后使用清水清洗干净，完成抛光头浸泡去除结晶过程。
8、作为优选，在粗抛、中抛和精抛时配置的koh稀溶液，体积比koh:h2o=1:1～3。
9、作为优选，抛光头在koh稀溶液中浸泡时的温度为35～40℃，溶液加热概率为2.8～3.0kw。
10、作为优选，在浸泡桶内配制koh稀溶液，体积比koh:h2o=1:10～15。
11、本专利技术能够达到如下效果：
12、本专利技术提供了一种抛光头浸泡去除结晶的工艺方法，与现有技术相比较，具有操作便捷、省时省力和效果好的特点。解决了硅片抛光过程中抛光头遗留结晶引起划伤的问题。有效去除抛光头上残留的结晶，减少硅片划伤。
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1.一种抛光头浸泡去除结晶的工艺方法，其特征在于包括如下操作步骤：
2.根据权利要求1所述的抛光头浸泡去除结晶的工艺方法，其特征在于：在粗抛、中抛和精抛时配置的KOH稀溶液，体积比KOH:H2O=1:1～3。
3.根据权利要求2所述的抛光头浸泡去除结晶的工艺方法，其特征在于：抛光头在KOH稀溶液中浸泡时的温度为35～40℃，溶液加热概率为2.8～3.0KW。
4.根据权利要求1所述的抛光头浸泡去除结晶的工艺方法，其特征在于：在浸泡桶内配制KOH稀溶液，体积比KOH:H2O=1:10～15。
【技术特征摘要】
1.一种抛光头浸泡去除结晶的工艺方法，其特征在于包括如下操作步骤：
2.根据权利要求1所述的抛光头浸泡去除结晶的工艺方法，其特征在于：在粗抛、中抛和精抛时配置的koh稀溶液，体积比koh:h2o=1:1～3。
3.根据权利要求2所述的抛光头浸...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄明洋，李鹏，
申请(专利权)人：杭州中欣晶圆半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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