【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，具体的，涉及一种晶圆键合方法，还涉及一种晶圆。
技术介绍
1、在晶圆加工生产过程中，通常需要进行将两个晶圆进行键合的操作，例如，在micro led生产过程中，需要进行gan晶圆和cmos晶圆的键合。并对gan晶圆的衬底进行去除，从而进行后面工艺步骤。但由于gan晶圆的外延层(缓冲层、n型gan层、量子阱层和p型gan层)之间存在较大的应力，当gan晶圆和cmos晶圆完成键合去除衬底后，gan各层的应力会导致外延层剥落和裂纹的风险。
2、因此，需要考虑更加优化的晶圆结构以及加工方式。
技术实现思路
1、本专利技术的第一目的是提供一种可避免晶圆键合后去除晶圆衬底时释放应力发生剥落和裂纹的晶圆键合方法。
2、本专利技术的第二目的是提供一种可避免晶圆键合后去除晶圆衬底时释放应力发生剥落和裂纹的晶圆。
3、为了实现上述第一目的，本专利技术提供的晶圆键合方法包括：对第一晶圆进行多个应力释放孔的加工，其中，第一晶圆包括衬底层、外延层和键合层，外延层覆盖在外延层上，键合层覆盖在外延层上，应力释放孔由第一晶圆的键合层的表面向第一晶圆的衬底层垂直延伸；将第一晶圆的键合层与第二晶圆的键合层进行键合；去除第一晶圆的衬底层。
4、由上述方案可见，本专利技术的晶圆键合方法在将将第一晶圆的键合层与第二晶圆的键合层进行键合之前，先对第一晶圆进行多个应力释放孔的加工，可通过应力释放孔释放第一晶圆中外延层各层之间的应力，避免在去除第一晶圆的衬底层
5、进一步的方案中，对第一晶圆进行多个应力释放孔加工的步骤包括：沿第一晶圆的切割道加工应力释放孔，多个应力释放孔均匀排布在第一晶圆上。
6、由此可见，沿第一晶圆的切割道加工应力释放孔，避免影响到器件，同时，多个应力释放孔均匀排布在第一晶圆上，可提高应力释放的均匀性。
7、进一步的方案中，在同一切割道上，任意两个相邻应力释放孔的间距相等。
8、由此可见，在同一切割道上，任意两个相邻应力释放孔的间距相等，可提高应力释放的均匀性。
9、进一步的方案中，切割道包括横向切割道和纵向切割道；至少一部分应力释放孔位于横向切割道和纵向切割道的交接处。
10、由此可见，应力释放孔位于横向切割道和纵向切割道的交接处，可优化应力释放孔的设置。
11、进一步的方案中，应力释放孔呈为圆形孔或椭圆形孔。
12、由此可见，由于应力释放孔采用有尖角的形状时，不单制作困难，在尖角位置还容易有应力集中的现象，从而导致裂痕，因此，采用为圆形孔或椭圆形孔的应力释放孔，可减少裂痕产生的几率。
13、为了实现本专利技术的第二目的，本专利技术提供晶圆包括衬底层、外延层和键合层，外延层覆盖在外延层上，键合层覆盖在外延层上，晶圆还设置有多个应力释放孔，应力释放孔由晶圆的键合层的表面向晶圆的衬底层方向垂直延伸，应力释放孔贯穿外延层和键合层。
14、由上述方案可见，本专利技术的晶圆通过多个应力释放孔，可通过应力释放孔释放晶圆中外延层各层之间的应力，避免晶圆键合加工时，在键合后去除晶圆衬底时外延层释放应力发生剥落和裂纹，提高晶圆加工的良率。
15、进一步的方案中，键合层设置有切割道；多个应力释放孔沿切割道设置，多个应力释放孔均匀排布在晶圆上。
16、由此可见，应力释放孔沿切割道设置，可避免应力释放孔影响到晶圆内部的器件，同时，多个应力释放孔均匀排布在晶圆上，可提高应力释放的均匀性。
17、进一步的方案中，在同一切割道上，任意两个相邻应力释放孔的间距相等。
18、由此可见，在同一切割道上，任意两个相邻应力释放孔的间距相等，可提高应力释放的均匀性。
19、进一步的方案中，切割道包括横向切割道和纵向切割道；至少一部分应力释放孔位于横向切割道和纵向切割道的交接处。
20、由此可见，应力释放孔位于横向切割道和纵向切割道的交接处，可优化应力释放孔的设置。
21、进一步的方案中，应力释放孔呈为圆形孔或椭圆形孔。
22、由此可见，由于应力释放孔采用有尖角的形状时，不单制作困难，在尖角位置还容易有应力集中的现象，从而导致裂痕，因此，采用为圆形孔或椭圆形孔的应力释放孔，可减少裂痕产生的几率。
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1.一种晶圆键合方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆键合方法，其特征在于：
3.根据权利要求2所述的晶圆键合方法，其特征在于：
4.根据权利要求3所述的晶圆键合方法，其特征在于：
5.根据权利要求1至4任一项所述的晶圆键合方法，其特征在于：
6.一种晶圆，包括衬底层、外延层和键合层，所述外延层覆盖在所述外延层上，所述键合层覆盖在所述外延层上，其特征在于：
7.根据权利要求6所述的晶圆，其特征在于：
8.根据权利要求7所述的晶圆，其特征在于：
9.根据权利要求7所述的晶圆，其特征在于：
10.根据权利要求6至9任一项所述的晶圆，其特征在于：
【技术特征摘要】
1.一种晶圆键合方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆键合方法，其特征在于：
3.根据权利要求2所述的晶圆键合方法，其特征在于：
4.根据权利要求3所述的晶圆键合方法，其特征在于：
5.根据权利要求1至4任一项所述的晶圆键合方法，其特征在于：
6.一种晶圆，包...
【专利技术属性】
技术研发人员：王思维，
申请(专利权)人：星钥珠海半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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