【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种制造半导体物品的方法及其系统。
技术介绍
1、近年来，随着集成电路封装的普及，对进一步减小其厚度有了更高的需求。相应的，现在要求将大约350μm的半导体芯片的厚度减小到大约50-100μm或更小。这种薄的半导体芯片可以通过先将表面保护片粘附到晶片的电路表面，随后研磨晶片并切割晶片来获得。当研磨后的晶圆厚度极薄时，在晶圆切割时容易发生芯片破损和芯片裂纹。
2、目前已经提出了许多与制造半导体制品相关的技术来进一步改进该系统。例如，一项公开号us8679895b2的美国专利公开了与使用薄晶圆制造技术制造的集成电路(ic)电路传感器相关的实施例，其中包括使用研磨前切割(dbg)的处理，这可以提高可靠性并最小化对晶圆的应力影响。虽然其他实施例使用面朝上安装，但面朝下安装通过直通触点成为可能。另一项公开号为us6558975b2的美国专利公开了一种用于生产半导体器件的工艺，包括以下步骤：提供具有配备有半导体电路的表面和背面的晶片；形成深度小于晶圆厚度的凹槽，所述凹槽从晶圆电路表面延伸；在晶圆电路表面贴上表面保护片，对晶圆背面进行打磨，使晶圆厚度变薄，进而将晶圆分割成具有间隔的单个芯片；将压敏胶片粘贴到晶圆的研磨背面上，将胶层暴露于能量源，剥离晶圆电路表面的表面保护片。此外，weng et.al在出版物上公开了一种在半导体器件上进行应力切割以减少缺陷以及提高裸片强度的方法，其中在晶圆裸片的研磨之前执行部分应力切割。该出版物进一步报告了消除机械和吸收式激光分割相关缺陷，例如正面和背面表面烧蚀，以及顶面、背面和边缘碎
3、上述专利文件描述了制造半导体制品的许多系统和方法，它们是本专利技术的关键组成部分。由于现有技术中公开的系统和方法缺乏一种无需将粘合片从所述晶片上剥离就可以从半导体晶片上去除粘合片的手段。因此，需要这样一种系统，能够在研磨工艺之前进行切割，并且还采用一种通过简单地在所述片上施加足够的压力和热量来消除粘合片的粘附性的方法。
技术实现思路
1、本专利技术的一个目的是减少由于在背面研磨之后切割晶片的传统方法而导致的背面碎裂的风险，由此本专利技术通过先切割再研磨来调换该步骤。本专利技术的另一个目的是提高晶片裸片强度。
2、除此之外，本专利技术的另一目的是提供一种无需剥离层压在晶片的一个表面上的粘合片就可将晶片裸片与载体分离的方法。
3、在本专利技术的一个方面，提供了一种用于制造半导体制品的方法，包括以下步骤：部分切割晶片，将一层或多层粘合片施加到载体上，将部分切割的晶片转移到载体上的粘合片上；将晶圆的背面打磨至预定厚度以形成分离的裸片，并从载体上移除分离的裸片，通过将另一层粘合片粘附到分离的裸片的背面来将分离的裸片从载体移除，随后将加热板压到所述粘合片上。
4、优选地，粘合片包括热胶带和紫外线(uv)胶带。
5、优选地，附加粘合片是切割胶带。
6、优选地，载体由硅和/或玻璃制成。
7、优选地，晶片被部分切割至总晶片厚度的20％。
8、优选地，以预定的时间将加热板压在粘合片和分离的裸片上。
9、在本专利技术的另一方面，提供了一种用于制造半导体制品的系统，包括用于部分切割晶片的锯片、用于将一层或多层粘合片施加到载体(203)上的粘合剂施加机构、用于将一层或多层粘合片施加到载体(203)上的转移机构将部分切割的晶圆(200)转移到载体(203)上，背面研磨轮用于研磨晶圆的背面以形成分离的裸片，其中，通过将另一层粘合片粘附到背面来将分离的裸片从载体上移除，随后将加热板压到所述粘合片上。
10、优选地，该系统还包括用于在检查时对裸片进行分类的分类机构。
11、优选地，载体由硅和/或玻璃制成。
12、优选地，粘合片包括热胶带、紫外线(uv)胶带和切割胶带。
13、本领域的技术人员将容易理解，本专利技术能够实现所述技术效果并能够获得所述目的和优点。此处所描述的实施例并不旨在限制本专利技术的范围。
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1.一种制造半导体产品的方法，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述粘合片包括热胶带(204)和紫外线(UV)胶带(209)。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述附加粘合片是切割胶带(206)。
4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述载体(203)由硅和/或玻璃制成。
5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述晶片(200)被部分切割至总晶片(200)厚度的20％。
6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，以预定时间将加热板(208)压到粘合片和分离的裸片(300)上。
7.一种用于制造半导体制品的系统，包括
8.根据权利要求7所述的系统，还包括用于在检查时对裸片进行分类的分类机构。
9.根据权利要求7或8所述的方法，其中，所述载体(203)由硅和/或玻璃制成。
10.根据前述权利要求中7-9任一项所述的方法，其中，所述粘合片包括热敏胶带(204)、紫外线(UV)胶带(209)和切割胶带(206)。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种制造半导体产品的方法，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述粘合片包括热胶带(204)和紫外线(uv)胶带(209)。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述附加粘合片是切割胶带(206)。
4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述载体(203)由硅和/或玻璃制成。
5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述晶片(200)被部分切割至总晶片(200)厚度的20％。
6.根...
【专利技术属性】
技术研发人员：张文成，
申请(专利权)人：益纳利科技私人有限公司，
类型：发明
国别省市：
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