一种可控硅控制电路及远红外理疗仪制造技术

技术编号:40464272 阅读:8 留言:0更新日期:2024-02-22 23:18
本技术公开了一种可控硅控制电路及包含此电路的远红外理疗仪。可控硅控制电路包括可控硅电路,整流滤波电路,所述整流滤波电路连接市电,对交流市电进行整流滤波,输出半正弦函数的全波直流电;直流稳压电路,所述直流稳压电路连接所述整流滤波电路,将整流后的半正弦函数直流电转换成5V稳压直流电为主控模块供电;主控模块,所述主控模块分别连接可控硅电路,直流稳压电路和整流滤波电路,用于控制可控硅电路的开启或关闭。本技术采用可控硅控制电路精确控温、噪音小;全波整流电源输出效率高;采用紧凑型芯片电路占用体积小等优点。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及控制电路,特别涉及一种可控硅控制电路及包含此电路的远红外理疗仪。


技术介绍

1、红外线是一种波长为1mm,介于微波与可见光之间的电磁波,其物理特征具有热效应,穿透性强;红外线有远有近,波长在2.5微米以上的红外线统称为远红外线;红外线理疗仪是基于红外线和远红外线的热效应,让血液循环加快,加速带走废物并运来营养物质,使得局部组织细胞代谢加强。

2、一般远红外理疗仪的电路比较复杂,电路板体积较大。


技术实现思路

1、本技术的目的是提供一种可控硅控制电路,采用可控硅控制、全波直流输出,具有精确控温、输出效率高、体积小等优点。

2、本技术的上述技术目的是通过以下技术方案得以实现的:一种可控硅控制电路,包括可控硅电路,整流滤波电路,所述整流滤波电路连接市电,对交流市电进行整流滤波,输出半正弦函数的全波直流电;直流稳压电路,所述直流稳压电路连接所述整流滤波电路,将整流后的半正弦函数直流电转换成5v稳压直流电为主控模块供电;主控模块,所述主控模块分别连接可控硅电路,直流稳压电路和整流滤波电路,用于控制可控硅电路的开启或关闭。

3、通过采用上述技术方案,交流市电通过整流滤波电路后输出半正弦函数的全波直流电作为远红外加热装置的正极,输出效率高;可控硅电路连接远红外加热装置的负极,主控模块输出信号控制可控硅开或关,从而控制远红外理疗仪的启停,精确控温;直流稳压电路为主控模块提供5v电源电压。

4、本技术的进一步设置为:所述主控模块包括主控芯片u1、电容c3和电阻r2、电阻r3,所述电阻r2和电阻r3串联,连接所述整流滤波电路,用于主控芯片u1过零检测。

5、本技术的进一步设置为:所述主控芯片u1型号为mc32f7062,用于输出可控硅电路控制信号和定时。

6、本技术的进一步设置为:所述可控硅电路包括可控硅q1、电阻r15,所述可控硅q1阳极a接输入端out2,阴极k接地,栅极g接电阻r15一端,电阻r15另一端接主控芯片u1。

7、通过采用上述技术方案,可控硅电路控制远红外加热装置负极的通断,从而控制远红外理疗仪的启停。

8、本技术的进一步设置为:直流稳压电路,包括芯片u2,二极管d5,电阻r21、有极电容ce1,电容c4;所述芯片u2型号为kp3310,为紧凑型线性稳压器。

9、通过采用上述技术方案,芯片u2采用型号为kp3310的线性稳压芯片,使电路体积紧凑,缩小电路占用空间。

10、本技术的进一步设置为:所述主控芯片u1连接数码管显示器,输出定时显示信号。

11、一种远红外理疗仪,包括任意一项所述的可控硅控制电路。

12、本技术的进一步设置为:远红外理疗仪还包括远红外加热装置、定时显示器和电源开关、时间按键、档位按键,所述时间按键用于设定运行时间,所述档位按键用于设定可控硅控制电路的输出功率。

13、通过采用上述技术方案,远红外理疗仪可以设定运行时间和档位的功率调节。

14、与现有技术相比,本技术采用可控硅控制电路精确控温、噪音小;全波整流电源输出效率高;采用紧凑型芯片电路占用体积小等优点。

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【技术保护点】

1.一种可控硅控制电路,包括可控硅电路,其特征在于:还包括

2.根据权利要求1所述的一种可控硅控制电路,其特征在于:所述主控模块包括主控芯片U1、电容C3和电阻R2、电阻R3,所述电阻R2和电阻R3串联,连接所述整流滤波电路,用于主控芯片U1过零检测。

3.根据权利要求2所述的一种可控硅控制电路,其特征在于:所述主控芯片U1型号为MC32F7062,用于输出可控硅电路控制信号和定时。

4.根据权利要求1所述的一种可控硅控制电路,其特征在于:所述可控硅电路包括可控硅Q1、电阻R15,所述可控硅Q1阳极A接输入端OUT2,阴极K接地,栅极G接电阻R15一端,电阻R15另一端接主控芯片U1。

5.根据权利要求1所述的一种可控硅控制电路,其特征在于:直流稳压电路,包括芯片U2,二极管D5,电阻R21、有极电容CE1,电容C4;所述芯片U2型号为KP3310,为紧凑型线性稳压器。

6.根据权利要求3所述的一种可控硅控制电路,其特征在于:所述主控芯片U1连接数码管显示器,输出定时显示信号。

7.一种远红外理疗仪,其特征在于:包括权利要求1-6中任意一项所述的可控硅控制电路。

8.根据权利要求7所述的一种远红外理疗仪,其特征在于:还包括远红外加热管、定时显示器和电源开关、时间按键、档位按键,所述时间按键用于设定运行时间,所述档位按键用于设定可控硅控制电路的输出功率。

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【技术特征摘要】

1.一种可控硅控制电路,包括可控硅电路,其特征在于:还包括

2.根据权利要求1所述的一种可控硅控制电路,其特征在于:所述主控模块包括主控芯片u1、电容c3和电阻r2、电阻r3,所述电阻r2和电阻r3串联,连接所述整流滤波电路,用于主控芯片u1过零检测。

3.根据权利要求2所述的一种可控硅控制电路,其特征在于:所述主控芯片u1型号为mc32f7062,用于输出可控硅电路控制信号和定时。

4.根据权利要求1所述的一种可控硅控制电路,其特征在于:所述可控硅电路包括可控硅q1、电阻r15,所述可控硅q1阳极a接输入端out2,阴极k接地,栅极g接电阻r15一端,电阻r15另一端接主控芯片u1。...

【专利技术属性】
技术研发人员:谢其辉吴伟华
申请(专利权)人:宁波市航达电子科技有限公司
类型:新型
国别省市:

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