画素结构及其制作方法技术

一种画素结构，其包括一基板、一彩色滤光层、一导电遮光层、一缓冲层、一扫描线、一数据线、一主动组件及一画素电极。基板具有一画素区域。彩色滤光层对应于基板的画素区域。导电遮光层对应于基板的画素区域的周围。缓冲层覆盖导电遮光层以及彩色滤光层。扫描线及数据线位于缓冲层上。主动组件位于缓冲层上并与扫描线以及数据线电性连接。画素电极位于缓冲层上，并且与主动组件电性连接，其中画素电极与导电遮光层之间具有一重叠区域以构成一储存电容器。本发明专利技术亦提出一种制作上述画素结构的方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种结构及其制作方法，且特别是有关于一种画素结制作方法。
技术介绍
随着计算机性能的大幅进步以及互联网、多媒体技术的高度发展，视像装置的体 积日渐趋于轻薄。在显示器的发展上，随着光电技术与半造技术的进步，具有高画质、空间 利用效率佳、低消耗功率、无辐射特性的液晶显示器已逐渐成为市场的主流。着显示面板的 发展，近年来一种被称为「矩阵层在彩色滤光基板上」y On Color Filter，A0C)及一具有一 共通电极的对向基板架构的液面板被提出。一般来说，AOC基板通常会包括彩色滤光层及传 统的主数组的膜层，其中主动组件数组的膜层通常是位于彩色滤光层上方。然而，在一般的 AOC基板上，由于画素电极通常会与一共享电极形成容，其中共享电极通常会占据画素显示 区的空间，如此而造成AOC基用于显示面板时，其开口率便会被限制而无法获得有效地提 升。
技术实现思路
本专利技术提供一种画素结构，具有较佳的开口率。本专利技术另提供一种画素数组的制造方法，其可制作出上述的画素结构。本专利技术提出一种画素结构，其包括一基板、一彩色滤光层、一导电遮一缓冲层、一 扫描线、一数据线、一主动组件及一画素电极。基板具有一画素区域。彩色滤光层对应于基 板的画素区域。导电遮光层对应于基板的画素区域的周围。缓冲层覆盖导电遮光层以及彩 色滤光层。扫描线及数据线位于缓冲层上。主动组件位于缓冲层上并与扫描线以及数据线 电性连接。画素电极位于缓冲层上，并且与主动组件电性连接，其中画素电极与导电遮光层 之间具有一重叠区域以构成一储存电容器。本专利技术另提出一种画素结构，其包括一基板、一彩色滤光层、一扫描线、一数据线、 一主动组件、一画素电极、一缓冲层及一导电遮光层。基板具有一画素区域。彩色滤光层设 置于基板上并对应于画素区域。扫描线及数据线位于彩色滤光层的上方。主动组件位于彩 色滤光层的上方并与扫描线以及数据线电性连接。画素电极位于彩色滤光层的上方并且与 主动组件电性连接。缓冲层覆盖画素电极。导电遮光层设置于缓冲层上并对应于画素区域 的周围，其中画素电极与导电遮光层之间具有一重叠区域以构成一储存电容器。本专利技术又提出一种画素数组的制造方法，其至少包括下列步骤。首先，提供一基 板，其中基板上具有多个画素区域。接着，在基板上形成一彩色滤光层，其对应这些画素区 域。而后，在基板上的这些画素区域的周围形成一导电遮光层。接着，在基板上形成一缓冲 层，以覆盖导电遮光层以及彩色滤光层。之后，在缓冲层上形成多条扫描线、多条数据线以 及与这些扫描线及这些数据线电性连接的多个主动组件。然后，在缓冲层上形成多个画素 电极，其中每一画素电极与其中一个主动组件电性连接，且每一画素电极与导电遮光层之 间具有一重叠区域以构成一储存电容器。本专利技术再提出一种画素数组的制造方法，其至少包括下列步骤。首先，提供一基 板，其中基板上具有多个画素区域。接着，在基板上形成一彩色滤光层，其对应这些画素区 域。而后，在彩色滤光层的上方形成多条扫描线、多条数据线以及与这些扫描线及这些数据 线电性连接的多个主动组件。接着，在彩色滤光层的上方形成多个画素电极，其中每一画素 电极与其中一个主动组件电性连接。之后，形成一缓冲层，以覆盖这些主动组件以及这些画 素电极。然后，在缓冲层上的这些画素区域的周围形成一导电遮光层，其中每一画素电极与 导电遮光层之间具有一重叠区域以构成一储存电容器。本专利技术提出一种画素结构，其包括一基板、一彩色滤光层、一扫瞄线、一数据线、一 主动组件、一缓冲层、一导电遮光层、一平坦层以及一画素电极。基板其具有一画素区域。彩 色滤光层设置于基板上并对应于画素区域。扫描线及数据线位于彩色滤光层的上方。主动 组件位于彩色滤光层的上方并与扫描线以及数据线电性连接。缓冲层覆盖主动组件。导电 遮光层设置于缓冲层上并对应于画素区域的周围。平坦层覆盖于导电遮光层上。画素电极 设置于平坦层上并位于彩色滤光层的上方，且画素电极与主动组件电性连接。画素电极与 导电遮光层之间具有一重叠区域以构成一储存电容器。本专利技术更提出一种画素数组的制造方法，其至少包括下列步骤。首先，提供一基 板，其中基板上具有多个画素区域。然后，在基板上形成一彩色滤光层，其对应这些画素区 域。接着，在彩色滤光层的上方形成多条扫描线、多条数据线以及与这些扫描线及这些数据 线电性连接的多个主动组件。而后，形成一缓冲层，以覆盖这些主动组件。接着，在缓冲层 上的这些画素区域的周围形成一导电遮光层。之后，形成一平坦层，以覆盖导电遮光层。接 着，于平坦层上并位于彩色滤光层的上方形成多个画素电极，其中每一画素电极与其中一 个主动组件电性连接，且每一画素电极与导电遮光层之间具有一重叠区域以构成一储存电 容器。基于上述，本专利技术的画素结构通过将导电遮光层对应设置于画素区域的周围，并 使画素电极与导电遮光层之间具有一重叠区域而构成画素结构的储存电容器。换言之，导 光遮光层除了可具有一般用于显示技术上的黑矩阵的用途外，亦可通过与画素电极部分重 叠而具有储存电容器的功用。换言的，可通过省略传统采用共享电极用来作为储存电容的 设计，而使得画素结构具有较高的开口率。本专利技术亦提供一种制作出上述的画素结构及其 数组的方法。为让本专利技术之上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式 作详细说明如下。附图说明图1为本专利技术一实施例的画素数组中的画素结构的局部俯视图。图2为沿图1的AA’线所绘示的画素结构的剖面示意图。图3A至图3G为沿图1的AA’线所绘示的画素结构的剖面流程示意图。图3H为一种荫罩幕制程的实施方式的示意图。图4A与图4B分别为依据图2所绘示的画素结构采用其它可能的光学结构的剖面 示意图。图5为沿图1的AA’线所绘示的另一种画素结构的剖面示意图。7图6A 图6E为图5所绘示的画素结构的剖面流程示意图。图7为本专利技术又一实施例的画素结构的剖面示意图。主要组件符号说明100、100a、100b、200、300 画素结构110、210、310 基板112、212、312 画素区域120、220、320 彩色滤光层130、230、330 导电遮光层140、240、340 缓冲层150,250,350 扫描线160,260,360 数据线170,270,370 主动组件172:源极174 栅极176 漏极180、280、380 画素电极192、292、392 平坦层194、294 保护层196:配向图案层198a 绝缘层198b:共享电极图案层AA，线C1 储存电容器P1 重叠区域T1 对位图案Ml 荫罩幕具体实施方式图1为本专利技术一实施例的画素数组中的画素结构的局部俯视图，而图2为沿图1 的AA’线所绘示的画素结构的剖面示意图。请同时参考图1与图2，本实施例的画素结构 100包括一基板110、一彩色滤光层120、一导电遮光层130、一缓冲层140、一扫描线150、一 数据线160、一主动组件170及一画素电极180。基板110具有一画素区域112，且彩色滤光 层120对应于基板110的画素区域112。在本实施例中，基板110可以是玻璃基板或是其它 适当的透光基板。另外，本实施例的彩色滤光层120可以是以红色滤光层、绿色滤光层与蓝 色滤光层交替排列或是数组排列而本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种画素结构，包括：一基板，其具有一画素区域；一彩色滤光层，对应于该基板的该画素区域；一导电遮光层，对应于该基板的该画素区域的周围；一缓冲层，覆盖该导电遮光层以及该彩色滤光层；一扫描线以及一数据线，位于该缓冲层上；一主动组件，位于该缓冲层上并与该扫描线以及该数据线电性连接；以及一画素电极，位于该缓冲层上，并且与该主动组件电性连接，其中该画素电极与该导电遮光层之间具有一重叠区域以构成一储存电容器。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：程琮钦，陈政德，李锡烈，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]