【技术实现步骤摘要】
本技术实施例涉及一种图像传感器器件。
技术介绍
1、数码相机和其他光学成像设备通常采用光学结构，例如半导体图像传感器。光学结构可用于感测辐射并可将光学图像转换为可表示为数码图像的数码资料。举例来说，互补金属氧化物半导体(cmos)图像传感器(cis)和电荷耦合元件(ccd)传感器广泛用于各种应用，例如是数码相机、移动电话、侦测器等。光学结构利用光侦测区域来感测光，其中光侦测区域可以包括像素阵列、照明图像传感器或其他类型的图像传感器器件。
技术实现思路
1、本技术实施例提供一种图像传感器器件，包括：器件衬底，具有正面和与所述正面相对的背面；多个图像感测元件，排列于所述器件衬底内；透光层，形成于所述多个图像感测元件的上方，其中所述透光层包含背面与所述背面相对的正面，所述透光层的正面邻近所述器件衬底的背面；光阻挡栅格，上覆于所述器件衬底，由围绕所述多个图像感测元件的外周边的多个金属栅格段组成，其中所述多个金属栅格段上覆于所述多个图像感测元件；以及隔离栅格结构，延伸到所述器件衬底中并且由围绕所述多个图像感测元件的外周边的多个隔离栅格段组成，其中所述隔离栅格结构包括：钝化衬垫；和导电层，与所述钝化衬垫接触。
2、本技术实施例提供一种图像传感器器件，包括：像素阵列区域，包括：器件衬底，具有正面和与所述正面相对的背面；多个图像感测元件，排列于所述器件衬底内；以及隔离栅格结构，延伸到所述器件衬底中并且由围绕所述多个图像感测元件的外周边的多个隔离栅格段组成，其中所述隔离栅格结构包括氧化铟
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种图像传感器器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的图像传感器器件，其特征在于，所述导电层包括氧化铟锡层。
3.根据权利要求1所述的图像传感器器件，其特征在于，还包括：
4.根据权利要求1所述的图像传感器器件，其特征在于，还包括：
5.根据权利要求1所述的图像传感器器件，其特征在于，还包括：
6.一种图像传感器器件，其特征在于，包括：
7.根据权利要求6所述的图像传感器器件，其特征在于，还包括：
8.根据权利要求6所述的图像传感器器件，其特征在于，所述偏置接垫层与所述接垫区域中的缓冲氧化物层和介电填充层接触。
9.根据权利要求6所述的图像传感器器件，其特征在于，所述隔离栅格结构还包括钝化衬垫，且其中所述氧化铟锡结构的顶表面和所述钝化衬垫的顶表面实质上共面。
10.根据权利要求6所述的图像传感器器件，其特征在于，所述隔离栅格结构还包括钝化衬垫，所述氧化铟锡结构与所述钝化衬垫接触。
【技术特征摘要】
1.一种图像传感器器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的图像传感器器件，其特征在于，所述导电层包括氧化铟锡层。
3.根据权利要求1所述的图像传感器器件，其特征在于，还包括：
4.根据权利要求1所述的图像传感器器件，其特征在于，还包括：
5.根据权利要求1所述的图像传感器器件，其特征在于，还包括：
6.一种图像传感器器件，其特征在于，包括：
7.根据权利要求6所述的图像传...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄裕崴，林政贤，许慈轩，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。