【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体制造,特别是涉及一种半导体制造用的真空阀门和真空设备。
技术介绍
1、半导体制造用的真空设备,采用高腐蚀性反应腔体或电浆反应腔体。针对该腔体设有用于进出芯片的真空阀门(slit valve door),现有技术中,真空阀门上设有一橡胶密封圈。
2、由于装配后的真空阀门在关闭状态下,反应腔内充有高腐蚀性反应气体,真空阀门上的密封圈需要同时起到良好的密封作用和抗腐蚀作用。然而,随着长时间与高腐蚀性反应气体接触,密封圈容易腐蚀,导致密封失效,而在密封圈完全失效前需要更换该真空阀门,即直接影响真空阀门的寿命,严重影响成本控制。
技术实现思路
1、为了解决现有技术中存在的至少一个问题,本申请的目的在于提供一种半导体制造用的真空阀门和真空设备,在实现反应腔正常抽真空的同时,还能够有效抑制高腐蚀性气体扩散到稳压的环空间与密封圈接触,从而可以减少对密封圈的腐蚀,延长真空阀门的寿命,有助于成本控制。
2、为实现上述目的,本申请提供的半导体制造用的真空阀门,用于半导体制造用的真空设备;
3、所述真空阀门包括,
4、所述真空阀门的本体,所述本体包括第一门板面;
5、密封圈,定位于所述第一门板面上;用于对所述真空设备的反应腔的腔口进行密封;
6、耐腐蚀环,定位于所述第一门板面上,且位于所述密封圈内侧;所述耐腐蚀环与所述反应腔的腔口匹配且间隙设置,以使所述本体、所述密封圈、所述耐腐蚀环和所述反应腔界定一个具有环缝隙的环空
7、进一步地,所述真空阀门在装配后的关闭状态下,所述环缝隙的缝隙宽度范围为0.04mm-0.06mm。
8、进一步地,所述真空阀门在装配后的关闭状态下,所述耐腐蚀环相对于所述第一门板面的高度为第一高度,所述反应腔的腔口与所述第一门板面之间的距离为第一间距;所述第一高度小于所述第一间距。
9、更进一步地,在所述关闭状态下,所述耐腐蚀环的外周上的接近所述反应腔的腔口的外缘,在所述第一门板面上的投影为第一投影,所述反应腔的腔口在所述第一门板面上的投影为第二投影;所述第一投影位于所述第二投影的内侧。
10、进一步地,所述耐腐蚀环的横截面为梯形。
11、进一步地,所述第一门板面上设有第一凹槽,所述密封圈通过嵌入所述第一凹槽定位于所述第一门板面上。
12、进一步地,所述第一门板面上设有第二凹槽,所述密封圈通过嵌入所述第二凹槽定位于所述第一门板面上。
13、进一步地,所述密封圈的材料为高氟橡胶或全氟橡胶。
14、进一步地,所述耐腐蚀环的材料为聚四氟乙烯。
15、为实现上述目的,本申请还提供的半导体制造用的真空设备,包括:如上所述的半导体制造用的真空阀门。
16、本申请的一种半导体制造用的真空阀门和真空设备,通过密封圈对反应腔的腔口进行密封,并通过耐腐蚀环与反应腔的腔口匹配且间隙设置,使得本体、密封圈、耐腐蚀环和反应腔界定一个稳压的环空间,该环空间通过一条沿环方向的环缝隙连通反应腔腔体。由此,在实现反应腔正常抽真空的同时,还能够有效抑制高腐蚀性气体扩散到稳压的环空间与密封圈接触,从而减少对密封圈的腐蚀,延长真空阀门的寿命,有助于成本控制。
17、本申请的其他特征和优点将在随后的说明书中阐述,并且,部分地从说明书中变得显而易见,或者通过实施本申请而了解。
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1.一种半导体制造用的真空阀门,其特征在于,用于半导体制造用的真空设备;
2.根据权利要求1所述的半导体制造用的真空阀门,其特征在于,所述真空阀门在装配后的关闭状态下,所述环缝隙的缝隙宽度范围为0.04mm-0.06mm。
3.根据权利要求1所述的半导体制造用的真空阀门,其特征在于,所述真空阀门在装配后的关闭状态下,所述耐腐蚀环相对于所述第一门板面的高度为第一高度,所述反应腔的腔口与所述第一门板面之间的距离为第一间距;所述第一高度小于所述第一间距。
4.根据权利要求3所述的半导体制造用的真空阀门,其特征在于,在所述关闭状态下,所述耐腐蚀环的外周上的接近所述反应腔的腔口的外缘,在所述第一门板面上的投影为第一投影,所述反应腔的腔口在所述第一门板面上的投影为第二投影;所述第一投影位于所述第二投影的内侧。
5.根据权利要求1所述的半导体制造用的真空阀门,其特征在于,所述耐腐蚀环的横截面为梯形。
6.根据权利要求1所述的半导体制造用的真空阀门,其特征在于,所述第一门板面上设有第一凹槽,所述密封圈通过嵌入所述第一凹槽定位于所述第一门
7.根据权利要求1所述的半导体制造用的真空阀门,其特征在于,所述第一门板面上设有第二凹槽,所述密封圈通过嵌入所述第二凹槽定位于所述第一门板面上。
8.根据权利要求1所述的半导体制造用的真空阀门,其特征在于,所述密封圈的材料为高氟橡胶或全氟橡胶。
9.根据权利要求1-8任一项所述的半导体制造用的真空阀门,其特征在于,所述耐腐蚀环的材料为聚四氟乙烯。
10.一种半导体制造用的真空设备,其特征在于,包括:权利要求1-9任一项所述的半导体制造用的真空阀门。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体制造用的真空阀门,其特征在于,用于半导体制造用的真空设备;
2.根据权利要求1所述的半导体制造用的真空阀门,其特征在于,所述真空阀门在装配后的关闭状态下,所述环缝隙的缝隙宽度范围为0.04mm-0.06mm。
3.根据权利要求1所述的半导体制造用的真空阀门,其特征在于,所述真空阀门在装配后的关闭状态下,所述耐腐蚀环相对于所述第一门板面的高度为第一高度,所述反应腔的腔口与所述第一门板面之间的距离为第一间距;所述第一高度小于所述第一间距。
4.根据权利要求3所述的半导体制造用的真空阀门,其特征在于,在所述关闭状态下,所述耐腐蚀环的外周上的接近所述反应腔的腔口的外缘,在所述第一门板面上的投影为第一投影,所述反应腔的腔口在所述第一门板面上的投影为第二投影;所述第一投影位于所述第二投影的内侧。
<...【专利技术属性】
技术研发人员:周朝礼,
申请(专利权)人:东芯苏州科技有限公司,
类型:新型
国别省市:
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