【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及照射系统，例如用于在污染物检测、显微镜检查和/或光刻中使用的量测系统的相控阵列。
技术介绍
1、光刻设备是一种将期望的图案施加至衬底(通常是在衬底的目标部分上)上的机器。例如，光刻设备可以用于集成电路(ic)的制造中。在这种情况下，可以将替代地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于产生要在ic的单层上形成的电路图案。可以将所述图案转印到衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或若干个管芯)上。典型地，通过将图案成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上进行图案的转印。通常，单个衬底将包含被连续图案化的相邻目标部分的网格。已知的光刻设备包括所谓的步进器和所谓的扫描器，在步进器中，通过将整个图案一次曝光到目标部分上来辐照每个目标部分，在扫描器中，通过在辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描图案的同时平行或反向平行于这个扫描方向同步地扫描所述目标部分来辐照每个目标部分。还可以通过将图案压印到衬底上而将图案从图案形成装置转印到衬底上。
2、在光刻操作期间，不同的处理步骤可能需要被顺序地形成在所述衬底上的不同层。因此，可能需要以高准确度相对于形成在衬底上的先前的图案来定位所述衬底。通常，对准标记被放置在所述衬底上以相对于第二物体被对准和定位。光刻设备可以使用对准装置以检测所述对准标记的位置以及使用所述对准标记来对准所述衬底，以确保从掩模的准确曝光。测量在两个不同层处的对准标记之间的未对准，作为重叠误差。
3、为了监测所述光刻过程，测量所述经图案化的衬底的参数。参数可以包括例如形成在所述被图
4、这样的光学散射仪可以被用于测量参数，诸如经显影的光敏抗蚀剂的临界尺寸、或被形成在所述经图案化的衬底中或其上的两个层之间的重叠误差(ov)。可以通过比较照射束在其已由所述衬底反射或散射之前和之后的性质来确定所述衬底的性质。
5、随着ic变得越来越小并且封装越来越密集，每晶片必须被检查的特征的数目也在增加。期望改善量测系统的能力，以便跟上当前的大批量制造速率，并且改善超过当前可用的生产速度。因此，需要提供能够快速地且准确地测量大量光刻特征的量测工具。量测方案可以包括例如增加同时测量的数目和/或增加测量的速度。
技术实现思路
1、因此，期望开发允许增加的耐磨性和摩擦性质的衬底台的结构和方法。
2、在一些实施例中，量测系统包括辐射源、相控阵列、检测器和比较器。所述相位阵列包括光学元件、波导和相位调制器。所述相控阵列被配置成产生辐射束并且将所述辐射束朝向物体的表面引导。所述光学元件被配置成辐射辐射波。所述波导被配置成将辐射从所述辐射源引导到所述光学元件。所述相位调制器被配置成调整所述辐射波的相位，使得所述辐射波组合以形成所述束。所述检测器被配置成接收从所述表面散射的辐射并且基于所接收的辐射来产生检测信号。所述比较器被配置成分析所述检测信号，并且基于所述分析来确定所述表面上的缺陷的位置。
3、在一些实施例中，量测系统包括辐射源、相控阵列、控制器和检测器。所述相位阵列包括光学元件、波导和相位调制器。所述相控阵列被配置成产生辐射束并且将所述辐射束朝向物体的表面引导。所述光学元件被配置成辐射辐射波。所述波导被配置成将辐射从所述辐射源引导到所述光学元件。所述相位调制器被配置成调整所述辐射波的相位，使得所述辐射波积聚以形成所述束并且在特定方向上引导所述束。所述控制器被配置成控制所述相位调制器以提供所述束在所述表面上的多个入射角。所述检测器被配置成接收从所述表面散射的辐射并且基于所接收的辐射来产生检测信号，其中所述检测信号包括基于所述多个入射角的图像信息。
4、在下文中参考随附附图详细地描述本公开的另外的特征、以及各个实施例的结构和操作。应注意，本公开不限于本文中所描述的具体实施例。本文仅出于说明性的目的来呈现这样的实施例。基于本专利技术中包含的教导，另外的实施例将对于相关领域技术人员显而易见。
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1.一种量测系统，包括：
2.根据权利要求1所述的量测系统，其中，所述比较器还被配置成基于所述分析来区分寄生信号和与所述缺陷相对应的信号。
3.根据权利要求1所述的量测系统，其中：
4.根据权利要求1所述的量测系统，其中，所述束的方向基于所述相位，并且其中所述量测系统还包括控制器，所述控制器被配置成控制所述相位调制器以控制所述束的方向。
5.根据权利要求1所述的量测系统，其中：
6.根据权利要求1所述的量测系统，其中，所述辐射源被配置成产生宽带波长、或两个或更多个窄带波长。
7.根据权利要求6所述的量测系统，其中：
8.根据权利要求1所述的量测系统，还包括光谱滤波器，所述光谱滤波器被配置成从所述辐射源选择进入所述相控阵列的波长，其中所述束具有所述波长。
9.根据权利要求1所述的量测系统，其中：
10.根据权利要求1所述的量测系统，其中，所述量测系统的占用面积小于约100mm2、50mm2、25mm2或16mm2。
11.根据权利要求1所述的量测系统，还包括一个或
12.一种量测系统，包括：
13.根据权利要求12所述的量测系统，其中：
14.根据权利要求13所述的量测系统，其中，所述量测系统还被配置成聚合所述检测事件以用以产生所述表面的图像。
15.根据权利要求12所述的量测系统，还包括一个或更多个另外的相控阵列，所述一个或更多个另外的相控阵列被配置成产生相对应的一个或更多个另外的辐射束，并且将所述一个或更多个另外的辐射束朝向所述物体的表面的不同位置引导，其中：
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种量测系统，包括：
2.根据权利要求1所述的量测系统，其中，所述比较器还被配置成基于所述分析来区分寄生信号和与所述缺陷相对应的信号。
3.根据权利要求1所述的量测系统，其中：
4.根据权利要求1所述的量测系统，其中，所述束的方向基于所述相位，并且其中所述量测系统还包括控制器，所述控制器被配置成控制所述相位调制器以控制所述束的方向。
5.根据权利要求1所述的量测系统，其中：
6.根据权利要求1所述的量测系统，其中，所述辐射源被配置成产生宽带波长、或两个或更多个窄带波长。
7.根据权利要求6所述的量测系统，其中：
8.根据权利要求1所述的量测系统，还包括光谱滤波器，所述光谱滤波器被配置成从所述辐射源选择进入所述相控阵列的波长，其中所述束具有所述波长。
9.根据权利要求1所述的量测系统，其中：
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【专利技术属性】
技术研发人员：M·斯威拉姆，郭玮，S·鲁，
申请(专利权)人：ASML控股股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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