【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及6n高纯铟的制备，具体而言，涉及一种6n高纯铟的制备方法。
技术介绍
1、传统制备6n高纯铟的主要方法包括：化合物熔炼除铊法、粗铟电解精炼法、精铟电解精炼法、真空挥发除铅法、区域熔炼法等，其中电解精炼法通常以粗铟为原料铸成阳极板，进行电解时，粗铟中的难除杂质为pb、tl、sn、cd，它们的电位与in相近，易于进入电解液中，影响电解的进行，尤其以pb为甚，电解液的ph值的极小变化，都会因pb导致阳极板钝化，严重影响电解的顺利进行，同时钝化后的阳极板即使是重新铸成阳极板后再使用，其效果也大不如前。传统工艺中多采用两次铟电解工艺方法制备6n高纯铟，工艺技术流程复杂，工艺流程长，耗费时间，物料浪费率也高。
2、鉴于此，提出本专利技术。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是为了克服上述现有技术存在的缺陷而提供一种6n高纯铟的制备方法。
2、本专利技术解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。
3、本专利技术提供一种6n高纯铟的制备方法，其包括：将原料铟在610-1185℃下进行第一次真空挥发熔炼使原料铟中的低沸点易挥发杂质以金属蒸气的形式挥发除去，随后在900-1280℃下进行第二次真空挥发熔炼，使原料铟中的金属主体铟挥发，同时在冷凝段将挥发的金属铟蒸气冷凝收集，获得6n高纯铟，高沸点难挥发杂质都留在残料中。
4、本专利技术具有以下有益效果：
5、本专利技术提供的一种6n高纯铟的制备方法。本专利技术中将原料铟通过两次真
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1.一种6N高纯铟的制备方法，其特征在于，其包括：将原料铟在610-1185℃下进行第一次真空挥发熔炼使所述原料铟中的低沸点易挥发杂质以金属蒸气的形式挥发除去，随后在900-1280℃下进行第二次真空挥发熔炼，使所述原料铟中的金属主体铟挥发，同时在冷凝段将挥发的金属铟蒸气冷凝收集，最后获得6N高纯铟，高沸点难挥发杂质留都在残料中。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，第一次真空挥发熔炼包括：将原料铟在610-1185℃温度范围内通过感应加热逐步升温的方式，将原料铟中的低沸点易挥发杂质以金属蒸气的形式挥发除去。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，第一次真空挥发熔炼的真空度为1.0-9.0×10-1-10-3Pa，时间为1.00-6.00h。
4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述低沸点易挥发杂质包括铊、铅、镉、铋、锌、锑、砷、铝和镁中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，第二次真空挥发熔炼包括：对经过第一次真空挥发熔炼的原料铟进行第二次真空挥发熔炼，在900-1280℃温度范围内
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，第二次真空挥发熔炼的真空度为1.0-9.0×10-2-10-5Pa，时间为1.50-5.00h。
7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述高沸点难挥发杂质包括锡、铁、钴、镍、铬、铜、银、镓、硅和锗中的至少一种。
8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述原料铟包括粗铟和精铟中的一种或多种。
9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，第一次真空挥发熔炼和第二次真空挥发熔炼在不同的熔炼设备内进行，或者在同一熔炼设备中使用不同的熔炼冷凝收集器进行。
10.根据权利要求1-9中任一项所述的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：先将原料铟在1.0-9.0x10-1-10-3Pa真空条件下，610-1185℃温度范围内通过感应加热逐步升温的方式，将原料铟中的低沸点易挥发杂质以金属蒸气的形式挥发除去，随后对经过第一次真空挥发熔炼的原料铟进行第二次真空挥发熔炼，在1.0-9.0x10-2-10-5Pa真空条件下，在900-1280℃温度范围内通过感应加热升温的方式，将金属主体铟挥发，同时在冷凝段将挥发的金属铟蒸气冷凝收集，获得6N高纯铟，高沸点难挥发杂质留在残料中。
...【技术特征摘要】
1.一种6n高纯铟的制备方法，其特征在于，其包括：将原料铟在610-1185℃下进行第一次真空挥发熔炼使所述原料铟中的低沸点易挥发杂质以金属蒸气的形式挥发除去，随后在900-1280℃下进行第二次真空挥发熔炼，使所述原料铟中的金属主体铟挥发，同时在冷凝段将挥发的金属铟蒸气冷凝收集，最后获得6n高纯铟，高沸点难挥发杂质留都在残料中。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，第一次真空挥发熔炼包括：将原料铟在610-1185℃温度范围内通过感应加热逐步升温的方式，将原料铟中的低沸点易挥发杂质以金属蒸气的形式挥发除去。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，第一次真空挥发熔炼的真空度为1.0-9.0×10-1-10-3pa，时间为1.00-6.00h。
4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述低沸点易挥发杂质包括铊、铅、镉、铋、锌、锑、砷、铝和镁中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，第二次真空挥发熔炼包括：对经过第一次真空挥发熔炼的原料铟进行第二次真空挥发熔炼，在900-1280℃温度范围内通过感应加热升温的方式，将金属主体铟挥发，同时在冷凝段将挥发的金属铟蒸气冷凝收集，获得6n高纯铟，高沸点难挥发杂质...
【专利技术属性】
技术研发人员：石华凤，潘锦功，傅干华，郑林，陈直，南长斌，孙艳容，李甍娜，
申请(专利权)人：成都中建材光电材料有限公司，
类型：发明
国别省市：
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