半导体激光元件制造技术

技术编号：40448829 阅读：18 留言：0更新日期：2024-02-22 23:08

提供一种具有周期结构且降低阈值电流的半导体激光元件。一种半导体激光元件，具备有光波导的氮化物半导体层叠体，所述氮化物半导体层叠体依次具有：第1n侧氮化物半导体层(31)，其具有沿着所述光波导的共振方向，折射率周期性地变化的周期结构；第2n侧氮化物半导体层(32)；活性层(40)，其具有一个以上的阱层以及一个以上的阻挡层；p侧氮化物半导体层(50)；所述活性层(40)具有所述一个以上的阱层中的位于最接近所述第2n侧氮化物半导体层(32)的位置的n侧阱层、所述一个以上的阻挡层中的位于所述n侧阱层和所述第2n侧氮化物半导体层(32)之间的位置的的n侧阻挡层，所述第2n侧氮化物半导体层(32)为具有In和Ga的氮化物半导体层，所述第2n侧氮化物半导体层(32)的厚度比所述n侧阻挡层的厚度更大。

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【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本公开涉及半导体激光元件。

技术介绍

1、现在，具有氮化物半导体的半导体激光元件能够振荡发出从紫外域到绿色的光，其用于光盘或投影仪用光源、医疗用光源、车载用前照灯等多种用途。在分光用光源或可视光通信等的用途中，存在期望波长的光谱宽度窄或波长的控制性高的情况。分布反馈型(distributed feedback：dfb)激光元件被期待用于这样的用途。例如，专利文献1上记载有具有衍射光栅的dfb激光元件。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1:国际公开2019/146321号公报

技术实现思路

1、专利技术要解决的技术问题

2、在具有氮化物半导体的半导体激光元件中，存在设置有衍射光栅的dfb激光元件比未设置有衍射光栅的法布里-珀罗型的半导体激光元件，产生阈值电流的增大的倾向。

3、用于解决技术问题的技术方案

4、本公开包含以下专利技术(1)。

5、(1)一种半导体激光元件，具备具有光波导的氮化物半导体层叠体，

6、所述氮化物半导体层叠体依次具有：

7、第1n侧氮化物半导体层，其具有沿着所述光波导的共振方向，折射率周期性地变化的周期结构；

8、第2n侧氮化物半导体层；

9、活性层，其具有一个以上的阱层以及一个以上的阻挡层；

10、p侧氮化物半导体层；

11、所述活性层具有所述一个以上的阱层中的位于最靠近所述第2n侧氮化物半导

12、所述第2n侧氮化物半导体层为具有in和ga的氮化物半导体层，

13、所述第2n侧氮化物半导体层的厚度比所述n侧阻挡层的厚度更大。

14、专利技术效果

15、根据上述的专利技术，在具有周期结构的半导体激光元件中，能够降低阈值电流。

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【技术保护点】

1.一种半导体激光元件，其具备具有光波导的氮化物半导体层叠体，

2.根据权利要求1所述的半导体激光元件，其中，

3.根据权利要求1或2所述的半导体激光元件，其中，

4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体激光元件，其中，

5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体激光元件，其中，

6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体激光元件，其中，

7.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体激光元件，其中，

8.根据权利要求1～7中任一项所述的半导体激光元件，其中，

9.根据权利要求8所述的半导体激光元件，其中，

10.根据权利要求8或9所述的半导体激光元件，其中，

11.根据权利要求10所述的半导体激光元件，其中，具有：

12.根据权利要求8或9所述的半导体激光元件，其中，

13.根据权利要求12所述的半导体激光元件，其中，

14.根据权利要求13所述的半导体激光元件，其中，

15.根据权利要求1～14中任一项所述的半导体激光元件，其中，

16.根据权利要求1～15中任一项所述的半导体激光元件，其中，

17.根据权利要求1～16中任一项所述的半导体激光元件，其中，

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【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】