【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及固态摄像装置和电子设备，尤其涉及能够有效防止光晕(blooming)的固态摄像装置和电子设备。
技术介绍
1、已知一种光晕现象，其中，在诸如互补金属氧化物半导体(cmos)图像传感器等固态摄像装置中，当由光电二极管光电转换的电荷达到或超过一定电平时，电荷从饱和像素溢出到相邻的像素中。
2、例如，已经提出了在专利文献1中公开的技术作为用于防止这种光晕的技术。专利文献1公开了：设置电荷释放部，使得控制施加到其栅极的控制脉冲以防止由于光电二极管的饱和而引起的电荷溢出。
3、引用列表
4、专利文献
5、专利文献1：日本专利申请公开第2011-216672号
技术实现思路
1、技术问题
2、顺便提及，通常需要有效防止固态摄像装置中的光晕的技术。
3、鉴于这种情况做出了本公开，并且本公开旨在能够有效防止光晕。
4、技术问题的解决方案
5、根据本公开的一个方面的固态摄像装置包括：像素阵列部，其中多个像素二维布置，其中，所述像素均包括像素内电容和所述像素内电容的对向电极，所述像素内电容设置在与设于半导体基板中的光电转换元件的光入射表面相对的一侧，所述对向电极设置在所述半导体基板中。
6、根据本公开的一个方面的电子设备具有安装在其上的固态摄像装置，其中，所述固态摄像装置包括多个像素二维布置的像素阵列部，并且所述像素均包括像素内电容和所述像素内电容的对向电极，所述像素内电容设置在与
7、在根据本公开的一个方面的固态摄像装置和其上安装有固态摄像装置的电子设备中，设有多个像素二维布置的像素阵列部，并且所述像素均包括像素内电容和所述像素内电容的对向电极，所述像素内电容设置在与设于半导体基板中的光电转换元件的光入射表面相对的一侧，所述对向电极设置在所述半导体基板中。
8、根据本公开的一个方面的固态摄像装置包括：像素阵列部，其中多个像素二维布置，其中，像素均包括具有层叠的第一导电层和第二导电层的电容，所述电容设置在与设于半导体基板中的光电转换元件的光入射表面相对的一侧。
9、在根据本公开的一个方面的固态摄像装置中，设有像素阵列部，其中多个像素二维布置，并且像素均包括具有层叠的第一导电层和第二导电层的电容，所述电容设置在与设于半导体基板中的光电转换元件的光入射表面相对的一侧。
10、本专利技术的有益效果
11、根据本公开的一方面，能够有效防止光晕。
12、注意，要实现的效果并不局限于这里说明的那些效果，并且可以是本公开中说明的任何效果。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种固态摄像装置，其包括：
2.根据权利要求1所述的固态摄像装置，其中，
3.根据权利要求1所述的固态摄像装置，其中，
4.根据权利要求1所述的固态摄像装置，其中，
5.根据权利要求1所述的固态摄像装置，其中，
6.根据权利要求5所述的固态摄像装置，其中，
7.一种安装有固态摄像装置的电子设备，其中，
8.一种固态摄像装置，其包括：
9.根据权利要求8所述的固态摄像装置，其中，
10.根据权利要求8所述的固态摄像装置，其中，
【技术特征摘要】
1.一种固态摄像装置，其包括：
2.根据权利要求1所述的固态摄像装置，其中，
3.根据权利要求1所述的固态摄像装置，其中，
4.根据权利要求1所述的固态摄像装置，其中，
5.根据权利要求1所述的固态摄像装置，其中，
...【专利技术属性】
技术研发人员：滝沢正明，坂野頼人，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：
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