【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体，尤其是一种密封环结构及射频芯片。
技术介绍
1、密封环(sealring)是完成芯片版图设计之后，在芯片外围增加的一项结构设计，主要目的在于保护芯片不受伤害。密封环往往是一种金属层、氧化层和钝化层结构，将芯片围在圈内进行保护，位置往往介于晶圆上的芯片(chip)和划片槽(scribeline)之间，由多个层(layer)按照一定的规则逐步叠加组成。密封环往往可以通过接地，屏蔽芯片外的干扰，并将切割所产生的静电就近接地，共同分摊所产生的电流，从而令对晶粒(die)本体产生的冲击降到最小。图1为密封环在晶圆上的位置示意图。
2、由于密封环往往包含导体环状结构，因此对于射频芯片设计而言，可能会对高频信号产生耦合，从而造成干扰并降低芯片质量，因此需要从结构上消除这种耦合。对于消除耦合的密封环结构设计，现有技术中有两种典型的方案
3、方案一，如图2所示，采用双环或者单环堆砌，从而保护晶粒在切割时受到物理性损伤，分段进行切割以阻断高频信号的耦合路径，就近接地，同时在切口靠近芯片内部的一侧增加水汽挡块，避免水汽穿透进晶粒从而影响芯片的可靠性。内部电路距密封环约5-15um。
4、方案二，如图3所示，采用双环堆砌，每层环岔开进行切割，相比于方案一，因为不用向内堆砌多个＜10um的水汽挡块，因此晶粒内部电路的可布局面积更大，灵活性也更高，但是缺点也很明显，即必须使用双环，不能使用单环，造成更高的成本以及额外的对面积的占用。
技术实现思路
1、为解
2、本技术的第一方面，提出了一种密封环结构，包括：
3、至少一个密封环；
4、其中，每个所述密封环，具有：
5、第一金属层，被配置为具有多个第一金属层段，每相邻的两个所述第一金属层段间具有第一段隙；
6、至少一个第二金属层，依次叠层设置于所述第一金属层，被配置为具有多个第二金属层段，每相邻的两个所述第二金属层段具有第二段隙；
7、其中，相邻金属层的段隙在所述第一金属层远离所述第二金属层的表面的垂直投影无重叠区域。
8、可选的，所述第一金属层被配置为与晶粒有源区相接的有源区金属层。
9、可选的，所述第二金属层被配置为至少两层。
10、可选的，还包括设置于相邻金属层之间的过孔层。
11、可选的，所述过孔层包括至少一个过孔条，每个所述过孔条被配置为所述相邻金属层的至少一个段隙在所述第一金属层远离所述第二金属层的表面的垂直投影，落入所述过孔条在所述第一金属层远离所述第二金属层的表面的垂直投影区域内。
12、可选的，至少一个所述过孔层被配置为所述相邻金属层中的至少一个金属层的全部段隙在所述第一金属层远离所述第二金属层的表面的垂直投影，落入所述过孔条在所述第一金属层远离所述第二金属层的表面的垂直投影区域内。
13、可选的，所述密封环被配置为至少两个。
14、可选的，所述密封环包括围绕晶粒设置的第一密封环和围绕所述第一密封环远离晶粒一侧设置的至少一个第二密封环。
15、可选的，相邻密封环中的一个密封环的段隙在所述密封环与相邻密封环接触面的垂直投影不与另一个密封环的任何一个段隙在所述密封环与相邻密封环接触面的垂直投影重叠。
16、本技术的第二方面，提出了一种射频芯片，包括：
17、晶粒；
18、如前所述的密封环结构，所述密封环结构围绕所述晶粒设置。
19、本技术的有益效果体现在：提供了一种密封环结构及射频芯片，通过将密封环配置为相邻金属层被切割的段隙位置不对应，在降低射频信号通过密封环进行耦合可能性的同时，由于每一层的段隙与相邻层的金属层段相对，在一定程度上能够防止水汽通过密封环进入晶粒，避免了传统水汽挡块对晶粒内部电路的布局面积的影响。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种密封环结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的密封环结构，其特征在于，所述第一金属层被配置为与晶粒有源区相接的有源区金属层。
3.根据权利要求1所述的密封环结构，其特征在于，所述第二金属层被配置为至少两层。
4.根据权利要求1所述的密封环结构，其特征在于，还包括设置于相邻金属层之间的过孔层。
5.根据权利要求4所述的密封环结构，其特征在于，所述过孔层包括至少一个过孔条，每个所述过孔条被配置为所述相邻金属层的至少一个段隙在所述第一金属层远离所述第二金属层的表面的垂直投影，落入所述过孔条在所述第一金属层远离所述第二金属层的表面的垂直投影区域内。
6.根据权利要求5所述的密封环结构，其特征在于，至少一个所述过孔层被配置为所述相邻金属层中的至少一个金属层的全部段隙在所述第一金属层远离所述第二金属层的表面的垂直投影，落入所述过孔条在所述第一金属层远离所述第二金属层的表面的垂直投影区域内。
7.根据权利要求1所述的密封环结构，其特征在于，所述密封环被配置为至少两个。
8.根据权利要求7所述的
9.根据权利要求8所述的密封环结构，其特征在于，相邻密封环中的一个密封环的段隙在所述密封环与相邻密封环接触面的垂直投影不与另一个密封环的任何一个段隙在所述密封环与相邻密封环接触面的垂直投影重叠。
10.一种射频芯片，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种密封环结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的密封环结构，其特征在于，所述第一金属层被配置为与晶粒有源区相接的有源区金属层。
3.根据权利要求1所述的密封环结构，其特征在于，所述第二金属层被配置为至少两层。
4.根据权利要求1所述的密封环结构，其特征在于，还包括设置于相邻金属层之间的过孔层。
5.根据权利要求4所述的密封环结构，其特征在于，所述过孔层包括至少一个过孔条，每个所述过孔条被配置为所述相邻金属层的至少一个段隙在所述第一金属层远离所述第二金属层的表面的垂直投影，落入所述过孔条在所述第一金属层远离所述第二金属层的表面的垂直投影区域内。
6.根据权利要求5所述的密封环结构，其特征在于，至少一个所述过...
【专利技术属性】
技术研发人员：丁子琪，高安明，郑磊，姜伟，
申请(专利权)人：浙江星曜半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。