一种封装结构和LED模组制造技术

技术编号:40436965 阅读:9 留言:0更新日期:2024-02-22 23:01
本技术涉及LED封装技术领域,特别涉及一种封装结构和LED模组,该封装结构包括单面覆铜基板、LED芯片、半固化片和双面覆阴阳铜基板;单面覆铜基板包括含铜层和无铜层,在单面覆铜基板上沿含铜层向无铜层的方向铣出盲凹槽,盲凹槽的槽底开设第一通孔;半固化片贴近无铜层设置并对应第一通孔开设有第二通孔,双面覆阴阳铜基板包括阳铜面和阴铜面,阳铜面与阴铜面相对设置且阳铜面贴近半固化片,阳铜面上设置有焊盘,LED芯片设置在盲凹槽内,第一通孔和第二通孔形成电连接通道,焊盘穿设于电连接通道,即单面覆铜基板、半固化片和双面覆阴阳铜基板依次设置形成层状结构,提高产品的结构强度,在单面覆铜基板开设盲凹槽内置LED芯片,降低其封装高度。

【技术实现步骤摘要】

【】本技术涉及led封装,特别涉及一种封装结构和led模组。


技术介绍

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技术介绍

1、随着电子产品功能化、智能化的发展,倒装led具有高效、节能、环保、体积小、超薄等优点,在照明、显示、信号、车载、手持式装置、可穿戴设备等领域获得广泛应用,但随着产品升级,终端产品对于倒装led的封装高度也提出了新的需求。

2、但是当前的产品通常是在基板上开槽内设芯片或者直接基板内埋芯片来实现产品的电气连接,但是该种设计方式在机械加工时无法给出足够的支撑,使得加工过程中无铜保护树脂区域易发生撕裂;另外,内埋芯片的处理方式易导致成品的封装高度大于0.2mm,无法满足产品的轻薄化需求。


技术实现思路

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技术实现思路

1、为解决现有产品的支撑强度不够、无法实现轻薄化的技术问题,本技术提供了一种封装结构和led模组。

2、本技术解决技术问题的方案是提供一种封装结构,包括单面覆铜基板、led芯片、半固化片和双面覆阴阳铜基板;所述单面覆铜基板包括含铜层和无铜层,在所述单面覆铜基板上沿所述含铜层向所述无铜层的方向铣出盲凹槽,所述盲凹槽的槽底开设第一通孔;所述半固化片贴近所述无铜层设置并对应所述第一通孔开设有第二通孔,所述双面覆阴阳铜基板包括阳铜面和阴铜面,所述阳铜面与所述阴铜面相对设置且所述阳铜面贴近所述半固化片,所述阳铜面上设置有焊盘,所述led芯片设置在所述盲凹槽内,所述第一通孔和所述第二通孔形成电连接通道,所述焊盘穿设于所述电连接通道。

3、优选地,所述封装结构的高度小于0.2mm。

4、优选地,所述led芯片为倒装芯片。

5、优选地,所述led芯片的厚度范围为0.02mm-0.05mm。

6、优选地,所述led芯片的厚度小于所述盲凹槽的深度。

7、优选地,所述第一通孔、所述第二通孔和所述焊盘大小均保持一致。

8、优选地,所述半固化片的厚度小于2mil。

9、优选地,所述半固化片的树脂含量大于70%。

10、优选地,所述封装结构还包括封装层,所述封装层填充于所述盲凹槽内,且所述封装层的高度与所述盲凹槽的深度相同。

11、本技术解决技术问题的又一方案是提供一种led模组,包括承载件和如前述任一项所述的封装结构,所述封装结构分布在所述承载件上。

12、与现有技术相比,本技术提供的一种封装结构和led模组,具有以下优点:

13、1、本技术实施例中提供的封装结构,包括单面覆铜基板、led芯片、半固化片和双面覆阴阳铜基板;单面覆铜基板包括含铜层和无铜层,在单面覆铜基板上沿含铜层向无铜层的方向铣出盲凹槽,盲凹槽的槽底开设第一通孔;半固化片贴近无铜层设置并对应第一通孔开设有第二通孔,双面覆阴阳铜基板包括阳铜面和阴铜面,阳铜面与阴铜面相对设置且阳铜面贴近半固化片,阳铜面上设置有焊盘,led芯片设置在盲凹槽内,第一通孔和第二通孔形成电连接通道,焊盘穿设于电连接通道,即单面覆铜基板、半固化片和双面覆阴阳铜基板依次设置以形成一个层状结构,其结构强度更高,产品成品的可靠性得以提高;另外,单面覆铜基板上开设盲凹槽以内置led芯片,不仅能够降低成品的封装高度,还能降低led芯片受外部环境的影响度;而第一通孔和第二通孔的设置使得led芯片的电连接通道能够隐层显现,保证电气通道的同时增强了封装结构的支撑强度,且电连接通道还能保证led芯片与电源板连通,为led芯片发热提供散热通道,可靠性更高。

14、2、本技术实施例中提供的封装结构的高度小于0.2mm,此设置用于控制封装结构成品的高度,进而满足产品的轻薄化需求。

15、3、本技术实施例中提供的led芯片为倒装芯片,此设置提高了led芯片的散热性能,能够减少发光效率的损失,其在封装过程中能够调整led芯片的布局和位置,使得光线的出射方向更加均匀和广泛,增加了led芯片的照明范围和视角,且结构简单,效率更高。

16、4、本技术实施例中提供的led芯片的厚度范围为0.02mm-0.05mm,且led芯片的厚度小于盲凹槽的深度,此设置用于控制封装结构的整体高度,而盲凹槽的深度大于led芯片的厚度能够避免外部环境对led芯片的影响,提高整体结构的可靠性。

17、5、本技术实施例中提供的第一通孔、第二通孔和焊盘大小均保持一致,此设置能够确保整个电连接通道的一致性,能够提高信号传输的质量和稳定性,减少尺寸差异而导致的焊接不良或者连接不稳定的问题,还能减少焊接过程中的不良现象,提高焊接质量。

18、6、本技术实施例中提供的半固化片的厚度小于2mil,且半固化片的树脂含量大于70%,控制半固化片的厚度使其变得薄且灵活,以适用于轻薄化市场;而半固化片的树脂含量大于70%能够提供良好的绝缘性能和电气性能,减少电气故障的风险,确保电路的稳定性和可靠性,同时还具有较好的耐热性能,在高温环境下也能够保持稳定,增加了抗弯曲、抗撕裂和抗拉伸等方面的性能,提高了半固化片的耐用性。

19、7、本技术实施例中提供的封装结构还包括封装层,封装层填充于盲凹槽内,且封装层的高度与盲凹槽的深度相同,即通过封装层的设置能够更好的防止外界的物质对封装结构的内部元件和电路造成侵蚀和损坏,且封装层的设置使得封装结构的内部元件以固定在盲凹槽中,减少了震动对其的影响,结构强度更高,提高了结构的稳定性。

20、8、本技术还提供一种led模组,此led模组具有与上述封装结构相同的有益效果,在此不做赘述。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种封装结构,其特征在于:包括单面覆铜基板、LED芯片、半固化片和双面覆阴阳铜基板;所述单面覆铜基板包括含铜层和无铜层,在所述单面覆铜基板上沿所述含铜层向所述无铜层的方向铣出盲凹槽,所述盲凹槽的槽底开设第一通孔;所述半固化片贴近所述无铜层设置并对应所述第一通孔开设有第二通孔,所述双面覆阴阳铜基板包括阳铜面和阴铜面,所述阳铜面与所述阴铜面相对设置且所述阳铜面贴近所述半固化片,所述阳铜面上设置有焊盘,所述LED芯片设置在所述盲凹槽内,所述第一通孔和所述第二通孔形成电连接通道,所述焊盘穿设于所述电连接通道。

2.如权利要求1所述的封装结构,其特征在于:所述封装结构的高度小于0.2mm。

3.如权利要求1所述的封装结构,其特征在于:所述LED芯片为倒装芯片。

4.如权利要求3所述的封装结构,其特征在于:所述LED芯片的厚度范围为0.02mm-0.05mm。

5.如权利要求3所述的封装结构,其特征在于:所述LED芯片的厚度小于所述盲凹槽的深度。

6.如权利要求1所述的封装结构,其特征在于:所述第一通孔、所述第二通孔和所述焊盘大小均保持一致。

7.如权利要求1所述的封装结构,其特征在于:所述半固化片的厚度小于2mil。

8.如权利要求7所述的封装结构,其特征在于:所述半固化片的树脂含量大于70%。

9.如权利要求1所述的封装结构,其特征在于:所述封装结构还包括封装层,所述封装层填充于所述盲凹槽内,且所述封装层的高度与所述盲凹槽的深度相同。

10.一种LED模组,其特征在于:包括承载件和如权利要求1-9任一项所述的封装结构,所述封装结构分布在所述承载件上。

...

【技术特征摘要】

1.一种封装结构,其特征在于:包括单面覆铜基板、led芯片、半固化片和双面覆阴阳铜基板;所述单面覆铜基板包括含铜层和无铜层,在所述单面覆铜基板上沿所述含铜层向所述无铜层的方向铣出盲凹槽,所述盲凹槽的槽底开设第一通孔;所述半固化片贴近所述无铜层设置并对应所述第一通孔开设有第二通孔,所述双面覆阴阳铜基板包括阳铜面和阴铜面,所述阳铜面与所述阴铜面相对设置且所述阳铜面贴近所述半固化片,所述阳铜面上设置有焊盘,所述led芯片设置在所述盲凹槽内,所述第一通孔和所述第二通孔形成电连接通道,所述焊盘穿设于所述电连接通道。

2.如权利要求1所述的封装结构,其特征在于:所述封装结构的高度小于0.2mm。

3.如权利要求1所述的封装结构,其特征在于:所述led芯片为倒装芯片。

4.如权利要求3所述的封装结构,其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员:杜振龙张嘉显龚伟斌
申请(专利权)人:浙江瑞丰光电有限公司
类型:新型
国别省市:

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