【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开总体上涉及电阻糊料、片式电阻器和玻璃粒子，并且具体地涉及包含金属粒子的电阻糊料、包括包含该电阻糊料作为材料的电阻元件的片式电阻器以及该电阻糊料中包含的玻璃粒子。
技术介绍
1、专利文献1描述了一种电阻糊料，该电阻糊料包含由金属粒子形成的导电部分、由低熔点玻璃粒子形成的无机粘结剂组分、由非导电性无机粒子(绝缘粒子)形成的电阻值调节组分和有机载体。金属粒子包含铜和镍。非导电性无机粒子包含例如氧化铝。
2、专利文献1中所述的电阻糊料包含添加到其中的电阻值调节组分，因此提高了包含该电阻糊料作为材料的电阻元件的比电阻，但是为了试图进一步提高比电阻而提高电阻值调节组分的添加量可能过度降低电阻元件的电阻温度系数(在下文中被称为“tcr”)。
3、引用清单
4、专利文献
5、专利文献1：jp 2015-46567a
技术实现思路
1、本公开的一个目的是提供被配置为同时实现电阻元件的高比电阻和低tcr的电阻糊料、片式电阻器和玻璃粒子。
2、根据本公开的一个方面的电阻糊料包含金属粒子、绝缘粒子、玻璃粒子和金属硅化物。所述金属粒子包含铜和镍。所述绝缘粒子包括氧化铝、氧化锆、氧化锌或氮化硼中的至少一种。
3、根据本公开的另一个方面的电阻糊料包含金属粒子、绝缘粒子、金属硅化物和玻璃粒子。所述金属粒子包含铜和镍。所述绝缘粒子包括氧化铝、氧化锆、氧化锌或氮化硼中的至少一种。所述玻璃粒子至少包含氧化硼和氧化铝。当由所述电阻糊料形成片式电
4、根据本公开的一个方面的片式电阻器包括电阻元件和基底。所述电阻元件包含所述电阻糊料作为材料并且设置在所述基底上。
5、根据本公开的一个方面的玻璃粒子被包含在所述电阻糊料中。
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1.一种电阻糊料，所述电阻糊料包含：
2.根据权利要求1所述的电阻糊料，所述电阻糊料包含以下各项中的至少一项作为所述金属硅化物：硅化钛、硅化锆、硅化铪、硅化铌、硅化钽、硅化铬、硅化钨、硅化钼、硅化铁、硅化镁、硅化钠或硅化铂。
3.一种电阻糊料，所述电阻糊料包含：
4.根据权利要求3所述的电阻糊料，其中
5.根据权利要求4所述的电阻糊料，其中
6.根据权利要求3至5中任一项所述的电阻糊料，其中
7.根据权利要求6所述的电阻糊料，其中
8.根据权利要求3至7中任一项所述的电阻糊料，其中
9.根据权利要求1至8中任一项所述的电阻糊料，所述电阻糊料还包含：
10.一种片式电阻器，所述片式电阻器包括：
11.根据权利要求10所述的片式电阻器，其中
12.一种根据权利要求3至9中任一项所述的电阻糊料中所包含的玻璃粒子。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种电阻糊料，所述电阻糊料包含：
2.根据权利要求1所述的电阻糊料，所述电阻糊料包含以下各项中的至少一项作为所述金属硅化物：硅化钛、硅化锆、硅化铪、硅化铌、硅化钽、硅化铬、硅化钨、硅化钼、硅化铁、硅化镁、硅化钠或硅化铂。
3.一种电阻糊料，所述电阻糊料包含：
4.根据权利要求3所述的电阻糊料，其中
5.根据权利要求4所述的电阻糊料，其中
6.根据权利要求3至...
【专利技术属性】
技术研发人员：青池祐树，伊藤浩克，松岛贤一，中山祥吾，藤田知宏，大林孝志，
申请(专利权)人：松下知识产权经营株式会社，
类型：发明
国别省市：
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