气体分离膜制造技术

技术编号：40431025 阅读：15 留言：0更新日期：2024-02-20 22:53

一种气体分离膜，其包括以下的层：(i)支撑体层；(ii)缓冲层；(iii)辨别层；(iv)可选的氟化聚合物层；以及(v)可选的保护层；其中，(a)所述缓冲层(ii)和所述辨别层(iii)各自独立地包含式(1)的基团：M‑(O‑)<subgt;x</subgt;式(1)其中：各个M独立地为金属或类金属原子；O为氧原子；并且各个x的值独立地至少为4；(b)所述缓冲层(ii)包含含有4至10原子％的式(1)的基团的M的表面，其中M如上述定义；(c)所述辨别层(iii)包含含有大于10原子％的式(1)的基团的M的表面，其中M如上述定义；并且(d)层(ii)位于层(i)与(iii)之间。

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【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

技术介绍

技术实现思路

【技术保护点】

1.一种气体分离膜，其包括以下的层：

2.如权利要求1所述的气体分离膜，其中，所述缓冲层(ii)包含含有4.5至9原子％的式(1)的基团的M的表面。

3.如权利要求1或2所述的气体分离膜，其中，各个M独立地为硅、钛、锆或铝。

4.如前述权利要求中任一项所述的气体分离膜，其中，所述缓冲层(ii)的氧-碳(O/C)比为大于0.7至1.7。

5.如前述权利要求中任一项所述的气体分离膜，其中，所述缓冲层(ii)的氧-碳(O/C)比为0.7至1.5。

6.如前述权利要求中任一项所述的气体分离膜，其中，所述辨别层(iii)的氧-硅(O/总Si)比为1.8至100。

7.如前述权利要求中任一项所述的气体分离膜，其中，所述缓冲层(ii)中的M的原子％在所述缓冲层(ii)的整个厚度上基本上恒定，并且所述辨别层(iii)中的M的原子％随着与所述缓冲层(ii)的距离减小而降低。

8.一种用于形成前述权利要求中任一项所述的气体分离膜的方法，其包括以下步骤：

9.如权利要求8所述的方法，其中，步骤(a)在一种或

10.如权利要求8或9所述的方法，其中，步骤(a)在不含氧的气氛中进行，并且步骤(b)在含氧的气氛中进行。

11.如权利要求8至10中任一项所述的方法，其中，通过等离子体处理过程将层(ii)施加到层(i)上。

12.一种气体分离模块，其包含权利要求1至7中任一项所述的气体分离膜。

13.权利要求1至7中任一项所述的气体分离膜或权利要求12所述的气体分离模块用于分离气体和/或净化进料气体的用途。

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【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种气体分离膜，其包括以下的层：

2.如权利要求1所述的气体分离膜，其中，所述缓冲层(ii)包含含有4.5至9原子％的式(1)的基团的m的表面。

3.如权利要求1或2所述的气体分离膜，其中，各个m独立地为硅、钛、锆或铝。

4.如前述权利要求中任一项所述的气体分离膜，其中，所述缓冲层(ii)的氧-碳(o/c)比为大于0.7至1.7。

5.如前述权利要求中任一项所述的气体分离膜，其中，所述缓冲层(ii)的氧-碳(o/c)比为0.7至1.5。

6.如前述权利要求中任一项所述的气体分离膜，其中，所述辨别层(iii)的氧-硅(o/总si)比为1.8至100。

7.如前述权利要求中任一项所述的气体分离膜，其中，所述缓冲层(ii)中的m的原子％在所述缓冲层(ii)的整个厚度上基本上恒定，并且所述辨别层(iii)中的m的原子％随着与所述缓冲层(ii)的距离减小而降低。

8.一种用于形成前述权利要求中任一项所述的气体分离膜的方法，其包括以下步骤：

9.如权利要求8所述的方法，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：S·A·斯塔罗斯京，E·A·M·弗米尔，伊丹雄二郎，
申请(专利权)人：富士胶片制造欧洲有限公司，
类型：发明
国别省市：

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