【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种晶锭生长装置，更具体地说，涉及一种通过供应固体硅和掺杂剂来生长晶锭的晶锭生长装置。
技术介绍
1、单晶硅被用作大多数半导体组件的基本材料，并且这些材料被制造成高纯度的单晶，并且其制造方法之一是直拉法。
2、在直拉晶体方法中，将固体硅材料和掺杂剂放置在腔室中的坩埚中，并且通过使用加热元件加热基座以熔融硅和掺杂剂。另外，当将单晶籽晶在与该熔融硅接触的状态下旋转的同时通过线沿向上的方向拉起时，通过晶冠(crown)过程生长具有预定直径的晶锭，在该晶冠过程中，直径增加以接近晶锭的目标直径。
3、连续直拉法(ccz)是直拉法中的一种，其是将固体多晶硅和掺杂剂连续注入坩埚以连续生长晶锭的方法。
4、然而，当通过连续直拉法生长晶锭时，掺杂剂在晶锭中不均匀分布，并且存在晶锭的产率和质量降低的问题。
技术实现思路
1、【技术问题】
2、本专利技术是为了解决上述问题而设计，并旨在提供一种晶锭生长装置，该晶锭生长装置用于控制掺杂剂的供应，使得掺杂剂均匀地分布在晶锭中。
3、此外，本专利技术旨在提供一种晶锭生长设备，该晶锭生长设备能够将晶锭的质量和产率管理在恒定水平上。
4、【技术方案】
5、为了解决上述问题，根据本专利技术示例性实施方式的晶锭生长装置可以包括：生长炉，其中布置有容纳用于生长晶锭的熔融硅的主坩埚；初步熔融部，该初步熔融部接收并熔融固体硅材料和掺杂剂，并且具有将熔融硅供应到主坩埚的初步坩埚；
6、在这种情况下，掺杂剂供应部可以包括主体部和掺杂剂转移部，该主体部布置在转移部的上侧上，该掺杂剂转移部布置在主体部内部并容纳掺杂剂以控制掺杂剂的供应。
7、在这种情况下，掺杂剂转移部可以包括第一旋转部，该第一旋转部布置在主体部内部并沿顺时针或逆时针方向旋转；第二旋转部，该第二旋转部布置成在主体部内部与第一旋转部间隔开并沿与第一旋转部相同的方向旋转；带，该带与第一旋转部和第二旋转部接触并由所述第一旋转部和所述第二旋转部旋转；多个掺杂剂支撑部，该多个掺杂剂支撑部布置在带的外侧上；以及多个掺杂剂容纳部，该多个掺杂剂容纳部可旋转地连接到多个掺杂剂支撑部中的每个掺杂剂支撑部并容纳掺杂剂。
8、在这种情况下，掺杂剂转移部可以进一步包括锁定部，该锁定部布置在主体部的下侧上，并且接触掺杂剂容纳部以使掺杂剂容纳部旋转。
9、在这种情况下，掺杂剂支撑部可以包括第一支撑部，该第一支撑部联接到带的外侧；第一旋转轴，该第一旋转轴布置在第一支撑部的一侧上；以及第二支撑部，该第二支撑部可旋转地连接到第一旋转轴。
10、在这种情况下，掺杂剂容纳部可以包括第一容纳部，该第一容纳部制成平板形状；第二容纳部，该第二容纳部从第一容纳部延伸并形成为与第一容纳部成预定角度地倾斜；和第二旋转轴，该第二旋转轴可旋转地连接到第二支撑部并布置在第一容纳部和第二容纳部之间，其中掺杂剂容纳部可以绕第二旋转轴沿顺时针方向或逆时针方向旋转。
11、在这种情况下，当掺杂剂支撑部沿着带旋转并邻接锁定部时，第一旋转轴的中心和第二旋转轴的中心之间的距离可以大于第一旋转轴的中心和锁定部的中心之间的距离。
12、在这种情况下，减速部可以包括排放管和多个突起，该排放管连接到主体部的下侧，该多个突起从排放管的内侧表面突出并接触沿重力方向下落的掺杂剂。
13、在这种情况下，多个突起可以包括多个第一突起和多个第二突起，该多个第一突起形成为沿着重力方向变窄，该多个第二突起布置成与多个第一突起间隔开并布置成沿着重力方向彼此间隔开。
14、【有益效果】
15、在根据本专利技术的示例性实施方式的晶锭生长装置中，根据在主坩埚中熔融的掺杂剂的浓度来控制掺杂剂的供应，使得掺杂剂均匀地分布在晶锭中，并且提高了晶锭的质量和产率。
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1.一种晶锭生长装置，包括：
2.根据权利要求1所述的晶锭生长装置，其中，所述掺杂剂供应部包括：
3.根据权利要求2所述的晶锭生长装置，其中，所述掺杂剂转移部包括：
4.根据权利要求3所述的晶锭生长装置，其中，所述掺杂剂转移部进一步包括锁定部，所述锁定部布置在所述主体部的下侧上，并接触所述掺杂剂容纳部以使所述掺杂剂容纳部旋转。
5.根据权利要求4所述的晶锭生长装置，其中，所述掺杂剂支撑部包括：
6.根据权利要求5所述的晶锭生长装置，其中，所述掺杂剂容纳部包括：
7.根据权利要求6所述的晶锭生长装置，其中，当所述掺杂剂支撑部沿着所述带旋转并与所述锁定部邻接时，所述第一旋转轴的中心和所述第二旋转轴的中心之间的距离大于所述第一旋转轴的中心和所述锁定部的中心之间的距离。
8.根据权利要求7所述的晶锭生长装置，其中，减速部包括：
9.根据权利要求8所述的晶锭生长装置，其中，所述多个突起包括：
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种晶锭生长装置，包括：
2.根据权利要求1所述的晶锭生长装置，其中，所述掺杂剂供应部包括：
3.根据权利要求2所述的晶锭生长装置，其中，所述掺杂剂转移部包括：
4.根据权利要求3所述的晶锭生长装置，其中，所述掺杂剂转移部进一步包括锁定部，所述锁定部布置在所述主体部的下侧上，并接触所述掺杂剂容纳部以使所述掺杂剂容纳部旋转。
5.根据权利要求4所述的晶锭生长装置，其中，所述掺杂剂支撑部包括：...
【专利技术属性】
技术研发人员：朴镇成，全韩雄，李京锡，金漌镐，李泳敏，
申请(专利权)人：韩华思路信，
类型：发明
国别省市：
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