【技术实现步骤摘要】
本申请涉及玻璃，尤其是涉及一种导电玻璃的制备方法和导电玻璃。
技术介绍
1、导电玻璃通常是通过在玻璃基材表面制备导电薄膜而得到。其中，ito薄膜是使用范围较广的导电薄膜之一。ito薄膜的导电性对导电玻璃的性能具有重要影响。随着导电玻璃的进一步发展，ito薄膜的导电性有待进一步提高。
技术实现思路
1、基于此，有必要提供一种能够提高ito薄膜导电性的导电玻璃的制备方法和导电玻璃。
2、一种导电玻璃的制备方法，包括如下步骤：于玻璃基材的表面制作ito薄膜，得到预成品；对所述预成品进行保温处理，所述保温处理的保温温度为200℃~310℃。
3、上述导电玻璃的制备方法中，在玻璃基材的表面制作ito薄膜之后，将预成品在200℃~310℃温度下进行保温处理。在保温过程中，可以使ito重结晶，改善ito的结晶度，进而提高ito薄膜的导电性。
4、进一步地，上述导电玻璃的制备方法中，通过保温处理还可以降低ito薄膜的辐射率，进而提高导电玻璃的综合性能。
5、进一步地，上述导电玻璃的制备方法中，通过保温处理可以提高玻璃基材的透过率，可以使玻璃基材变得更加清透，并且可以使玻璃基材的颜色变得更加中性，进而提高导电玻璃的综合性能。
6、在一些实施方式中，所述保温处理的保温温度为260℃~310℃。
7、在一些实施方式中，所述保温处理的保温时间为5min~30min。
8、在一些实施方式中，对所述预成品进行保温处理之前还包括
9、在一些实施方式中，所述初始温度为常温。
10、在一些实施方式中，对所述预成品进行保温处理之后还包括：以2℃/min~5℃/min的降温速率将所述预成品从所述保温温度降温至50℃以下。
11、在一些实施方式中，在常温条件下，于所述玻璃基材的表面制作所述ito薄膜。
12、在一些实施方式中，通过磁控溅射的方式于所述玻璃基材的表面制作所述ito薄膜。
13、在一些实施方式中，所述磁控溅射包括如下步骤：在工艺气氛下，对所述玻璃基材进行磁控溅射；所述工艺气氛包括氩气和氧气。
14、一种导电玻璃，由所述制备方法制备而成。
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1.一种导电玻璃的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：于玻璃基材的表面制作ITO薄膜，得到预成品；对所述预成品进行保温处理，所述保温处理的保温温度为200℃~310℃。
2.根据权利要求1所述的导电玻璃的制备方法，其特征在于，所述保温处理的保温温度为260℃~310℃。
3.根据权利要求1所述的导电玻璃的制备方法，其特征在于，所述保温处理的保温时间为5min~30min。
4.根据权利要求1所述的导电玻璃的制备方法，其特征在于，对所述预成品进行保温处理之前还包括：以2℃/min~5℃/min的升温速率将所述预成品从初始温度升温至所述保温温度。
5.根据权利要求4所述的导电玻璃的制备方法，其特征在于，所述初始温度为常温。
6.根据权利要求4所述的导电玻璃的制备方法，其特征在于，对所述预成品进行保温处理之后还包括：以2℃/min~5℃/min的降温速率将所述预成品从所述保温温度降温至50℃以下。
7.根据权利要求1所述的导电玻璃的制备方法，其特征在于，在常温条件下，于所述玻璃基材的表面制作所述ITO薄膜。
...【技术特征摘要】
1.一种导电玻璃的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：于玻璃基材的表面制作ito薄膜，得到预成品；对所述预成品进行保温处理，所述保温处理的保温温度为200℃~310℃。
2.根据权利要求1所述的导电玻璃的制备方法，其特征在于，所述保温处理的保温温度为260℃~310℃。
3.根据权利要求1所述的导电玻璃的制备方法，其特征在于，所述保温处理的保温时间为5min~30min。
4.根据权利要求1所述的导电玻璃的制备方法，其特征在于，对所述预成品进行保温处理之前还包括：以2℃/min~5℃/min的升温速率将所述预成品从初始温度升温至所述保温温度。
5.根据权利要求4所述的导电玻璃的制备方法，其特征在于，所述初始温度为常温。
6.根...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭杨，熊岳锋，刘双，胡冰，
申请(专利权)人：天津南玻节能玻璃有限公司，
类型：发明
国别省市：
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