【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及磁控溅射，尤其是涉及一种磁控溅射阴极装置及其工作方法。
技术介绍
1、在包括溅射的真空制造过程中，尽可能地减少更换靶材的次数，以提高工作效率，降低制造成本是重要的。于是，往往增加溅射靶材的厚度来延长靶材的使用寿命。
2、在磁控溅射中，阴极磁体被设置在溅射靶材的后方，使得在溅射靶材的放电面上形成磁场以束缚电子，从而降低起辉的气压要求并提高溅射效率。
3、在上述磁控溅射处理中，特别地，在制造磁读头、磁随机存储器和磁传感器的过程中，需要使用诸如纯铁、纯钴、铁钴合金、镍铁合金等强磁性材料制成的溅射靶材。这些强磁性材料具有很高的磁导率和饱和磁通密度，因此，即使将强磁材料作为阴极磁体安装在溅射靶材的后方，几乎所有的磁力线也都通过强磁靶材的内部。于是，在靶材放电面上无法得到足够的磁场强度，溅射效率很低。
4、为了解决上述问题，传统的磁控溅射阴极已经采用了如下方法：尽可能降低靶材厚度，使得阴极磁体的磁力线能穿透靶材。但此时，靶材的使用寿命下降，更换频率将上升，不利于提高工作效率，即在提高磁控溅射效率和延长靶材寿命两方面存在矛盾。
技术实现思路
1、针对现有技术存在的不足，本专利技术的目的是提供一种磁控溅射阴极装置及其工作方法，在所述装置中，即使当靶材是厚的强磁性体时，也能产生足够大的在靶材面上辅助起辉的磁场。
2、本专利技术的上述专利技术目的是通过以下技术方案得以实现的：
3、一种磁控溅射阴极装置，包括：
4、靶
5、第一磁体，所述第一磁体位于所述靶材的第二面；
6、第二磁体，所述第二磁体位于所述靶材的第二面，且所述第二磁体位于所述第一磁体的外侧，且所述第二磁体与所述第一磁体间由非磁材料或真空形成间隔区域，且所述第二磁体具有与所述第一磁体的极性相反的极性。
7、作为本专利技术的进一步的技术方案：所述第一磁体与所述第二磁体均呈圆环形。
8、作为本专利技术的进一步的技术方案：所述第一磁体外径小于所述靶材的外径。
9、作为本专利技术的进一步的技术方案：所述第二磁体内径大于或等于所述靶材的外径。
10、本专利技术还公开了一种如上述的磁控溅射阴极装置的工作方法，包括以下步骤：所述第一磁体和所述第二磁体所在所述靶材的第一面上方形成磁场，且所述磁场有大于400gauss的水平方向分量。
11、综上所述，本专利技术包括以下至少一种有益技术效果：
12、本专利技术公开了一种磁控溅射阴极装置及其工作方法，在此装置中第二磁体不再被靶材覆盖，大大增加了靶材，特别是厚磁性靶材第一面上方的径向磁场。借助于此磁场，可以束缚电子，降低起辉所需的气压，提高溅射效率，延长靶材寿命。
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1.一种磁控溅射阴极装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种磁控溅射阴极装置，其特征在于，所述第一磁体(2)与所述第二磁体(3)均呈圆环形。
3.根据权利要求2所述的一种磁控溅射阴极装置，其特征在于，所述第一磁体(2)外径小于所述靶材(1)的外径。
4.根据权利要求2所述的一种磁控溅射阴极装置，其特征在于，所述第二磁体(3)内径大于或等于所述靶材(1)的外径。
5.一种如上述权利要求1-4的任意一项所述的磁控溅射阴极装置的工作方法，其特征在于，包括以下步骤：所述第一磁体(2)和所述第二磁体(3)所在所述靶材(1)的第一面上方形成磁场，且所述磁场有大于400Gauss的水平方向分量。
【技术特征摘要】
1.一种磁控溅射阴极装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种磁控溅射阴极装置，其特征在于，所述第一磁体(2)与所述第二磁体(3)均呈圆环形。
3.根据权利要求2所述的一种磁控溅射阴极装置，其特征在于，所述第一磁体(2)外径小于所述靶材(1)的外径。
4.根据权利要求2所述的一...
【专利技术属性】
技术研发人员：金朝，牛华林，张宁波，郭盘林，
申请(专利权)人：上海夯业真空设备科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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