【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于锡膏领域，尤其涉及一种低空洞无卤锡膏及其制备方法。
技术介绍
1、锡膏是由锡粉或其合金、助焊剂等通过充分混合形成的一种稳定的膏状物。通常情况下，锡膏在常温下具有一定或特定的粘结性，可以将电子元器件初步粘结固定在特定的位置上，在焊接温度下，随着锡粉合金及某些助剂的融化、部分溶剂及添加助剂的挥发或升华，锡膏将电子元器件永久有效的粘合在电路板或其它器件上。
2、现有的锡粉如锡单质或锡合金，在形成焊料后容易发生团聚，造成热量传递不均匀，导致焊接处性能较差。为了解决锡粉易发生团聚带来的问题，现有技术通常在锡膏中加入具有分散作用的表面活性剂来分散锡粉，但现有采用的表面活性剂在焊接过程中不稳定，容易产生气体，使得焊点出现大量孔洞。
3、此外，传统上通常采用sac系列合金(锡银铜系列合金)作为焊接锡膏，焊接温度通常需要高于240℃，导致焊接过程中集成度高的微型电子器件易产生器件变形等问题，因此目前多采用以锡铋系列合金为低温焊料的锡膏。
4、但以锡铋系列合金为低温焊料的锡膏中含有大量的铋金属，导致焊点的韧性较低。现有技术通常采用碳纳米管为增强相，增强锡膏的韧性。但由于碳纳米管的纳米尺寸效应和表面惰性，导致碳纳米管在锡膏中不易分散，在溶剂中的溶解度低，与其他组分特别是锡铋系列合金的相容性差，导致难以发挥碳纳米管在焊锡膏中的增韧补强作用。目前，为提高碳纳米管与锡铋系列合金的相容性，大多对碳纳米管进行表面金属化处理，但该法存在工艺复杂、成本较高、产品质量不稳定等问题。
技术实
1、针对现有技术的不足，本专利技术提供一种低空洞无卤锡膏，在助焊剂加入两性离子表面活性剂，两性离子表面活性剂对锡粉起到良好的分散作用，且稳定性高，在焊接过程中不易产生气体，使得焊点较少出现孔洞，此外，两性离子表面活性剂的阴离子与锡铋合金存在配位作用，由于碳纳米管的zeta电位是负的，两性离子表面活性剂的阳离子对碳纳米管进行吸附，促进碳纳米管与锡铋合金的相容性，大大改善了碳纳米管在焊锡膏中的分散性，防止碳纳米管发生团聚结块，增强了锡膏的储存稳定性，且本专利技术的锡膏无铅无卤。
2、本专利技术的目的在于提供一种低空洞无卤锡膏，包括如下质量百分比的原料：焊料85～90％、助焊剂10～15％；所述助焊剂按质量百分比计，包括两性离子表面活性剂8～12％；所述两性离子表面活性剂的结构如式(ⅰ)所示：
3、
4、其中，r为
5、即所述两性离子表面活性剂的结构为：
6、
7、优选地，所述焊料包括锡铋合金和碳纳米管。
8、优选地，以质量百分比计，所述碳纳米管占所述焊料的0.4～0.6％。
9、更优选地，以质量百分比计，所述碳纳米管占所述焊料的0.5％。
10、优选地，所述助焊剂还包括松香32～43％、触变剂5～9％、抗氧剂1～5％、活性剂4～12％、余量的溶剂。
11、优选地，所述触变剂包括乙二撑双硬脂酸酰胺、聚酰胺改性的氢化蓖麻油、纳米级硅藻土的组合物。
12、优选地，所述二撑双硬脂酸酰胺、聚酰胺改性的氢化蓖麻油、纳米级硅藻土的质量比为1：0.5～1.5：2～4。
13、更优选地，所述二撑双硬脂酸酰胺、聚酰胺改性的氢化蓖麻油、纳米级硅藻土的质量比为1：1：3。
14、优选地，所述抗氧剂包括2-巯基苯并咪唑、2,6-二叔丁基-4-甲基苯酚、1-乙烯基咪唑、2-甲基咪唑、苯并三氮唑、甲基苯并三氮唑、苯基咪唑中的至少一种。
15、优选地，所述活性剂包括富马酸二异辛酯、水杨酰胺、吡啶甲酸的组合。
16、优选地，所述富马酸二异辛酯、水杨酰胺、吡啶甲酸的质量比为1：2～3：0.8～1.5。
17、更优选地，所述富马酸二异辛酯、水杨酰胺、吡啶甲酸的质量比为1：1.5：1。
18、优选地，所述溶剂包括乙基辛二醇、乙基己二醇、甲基戊二醇、四乙二醇二甲醚、二乙二醇二甲单己醚中的至少一种。
19、本专利技术再一目的在于提供所述低空洞无卤锡膏的制备方法，包括如下步骤：
20、s1.将松香、抗氧剂和溶剂混合，得混合物a；
21、s2.在所述混合物a中加入活性剂，加热搅拌，加入触变剂，得混合物b；
22、s3.将焊料和两性离子表面活性剂混合，搅拌，得混合物c；
23、s4.将混合物b和混合物c混合，搅拌，得低空洞无卤锡膏。
24、优选地，s2中，所述加热搅拌的温度为80～90℃，时间为30～50min。
25、更优选地，s2中，所述加热搅拌的温度为85℃，时间为40min。
26、与现有技术相比，本专利技术的有益效果如下：
27、(1)本专利技术的触变剂能够有效的调控锡膏的粘稠度及印刷使用性能，在印刷中可以有效的避免拖尾、黏连等现象的出现。
28、(2)本专利技术的活性剂可以有效的去除锡粉表面与被焊接材料表面氧化物，形成良好的焊接作用，同时，在230℃以下进行焊接时，所添加的活性剂不发生分解或挥发，不会导致焊点内部出现空洞。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种低空洞无卤锡膏，其特征在于，包括如下质量百分比的原料：焊料85～90％、助焊剂10～15％；所述助焊剂按质量百分比计，包括两性离子表面活性剂8～12％；所述两性离子表面活性剂的结构如式(Ⅰ)所示：
2.根据权利要求1所述的低空洞无卤锡膏，其特征在于，所述焊料包括锡铋合金和碳纳米管。
3.根据权利要求2所述的低空洞无卤锡膏，其特征在于，以质量百分比计，所述碳纳米管占所述焊料的0.4～0.6％。
4.根据权利要求1所述的低空洞无卤锡膏，其特征在于，所述助焊剂还包括松香32～43％、触变剂5～9％、抗氧剂1～5％、活性剂4～12％、余量的溶剂。
5.根据权利要求4所述的低空洞无卤锡膏，其特征在于，所述触变剂包括乙二撑双硬脂酸酰胺、聚酰胺改性的氢化蓖麻油、纳米级硅藻土的组合物。
6.根据权利要求5所述的低空洞无卤锡膏，其特征在于，所述二撑双硬脂酸酰胺、聚酰胺改性的氢化蓖麻油、纳米级硅藻土的质量比为1：0.5～1.5：2～4。
7.根据权利要求4所述的低空洞无卤锡膏，其特征在于，所述抗氧剂包括2-巯基苯并咪唑、
8.根据权利要求4所述的低空洞无卤锡膏，其特征在于，所述活性剂包括富马酸二异辛酯、水杨酰胺、吡啶甲酸的组合。
9.根据权利要求8所述的低空洞无卤锡膏，其特征在于，所述富马酸二异辛酯、水杨酰胺、吡啶甲酸的质量比为1：2～3：0.8～1.5。
10.权利要求1～9任一项所述低空洞无卤锡膏的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
...【技术特征摘要】
1.一种低空洞无卤锡膏，其特征在于，包括如下质量百分比的原料：焊料85～90％、助焊剂10～15％；所述助焊剂按质量百分比计，包括两性离子表面活性剂8～12％；所述两性离子表面活性剂的结构如式(ⅰ)所示：
2.根据权利要求1所述的低空洞无卤锡膏，其特征在于，所述焊料包括锡铋合金和碳纳米管。
3.根据权利要求2所述的低空洞无卤锡膏，其特征在于，以质量百分比计，所述碳纳米管占所述焊料的0.4～0.6％。
4.根据权利要求1所述的低空洞无卤锡膏，其特征在于，所述助焊剂还包括松香32～43％、触变剂5～9％、抗氧剂1～5％、活性剂4～12％、余量的溶剂。
5.根据权利要求4所述的低空洞无卤锡膏，其特征在于，所述触变剂包括乙二撑双硬脂酸酰胺、聚酰胺改性的氢化蓖麻油、纳米级硅藻土的组合物。...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄永逸，张兴贤，黄永钦，江伟龙，邓璟琳，
申请(专利权)人：深圳市华远金属有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。