【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及太阳能电池，具体是一种perc电池前氧增加吸杂效果的制备方法。
技术介绍
1、在制备p型perc单晶太阳能电池的perc技术路线中，前氧工艺通过在恒定的温度下进行氧化，修复se激光重掺杂过程中激光对硅片的损伤，同时在激光重掺杂区域生成一层氧化层在后续碱抛过程中保护发射极不被破坏。
2、由于硅片中含有一定量的金属杂质，金属杂质会提高载流子复合、降低少子寿命，降低开路电压短路电流及填充因子。
3、而采用额外的工艺降低硅片中的杂质，又会提高太阳能电池片的成本。因此，如何在简化工艺的前提下，降低硅片中的金属杂质，降低太阳能电池片的成本，成为了本领域技术人员亟待解决的问题。
技术实现思路
1、为解决
技术介绍
中的技术问题，本专利技术公开了一种perc电池前氧增加吸杂效果的制备方法。
2、本专利技术提供一种perc电池前氧增加吸杂效果的制备方法，包括以下步骤：
3、s1、将p型硅片垂直插入石英舟内，并放入炉管；
4、s2、升温至680-710℃并保温；
5、s3、对炉管内抽真空；
6、s4、充入氧气；
7、s5、继续升温至740-760℃，使得硅片中金属杂质产生热运动；
8、s6、保温，使得硅片中的金属杂质逐渐扩散入硅片的psg层；
9、s7、降温至710-730℃，使得金属杂质失去热运动的能力，并稳定在硅片的psg层；
10、s8、继续降温至步骤s2
11、s9、炉管内充入氮气，直至炉管内的压力与大气压相等，然后从炉管内取出石英舟，完成硅片前氧化的同时，实现金属杂质的除杂。
12、本专利技术通过在p型硅片前氧工艺过程中调整氧化过程中的温度，依次经过升温、恒温和降温；升温有利于硅片中的金属杂质释放，恒温有利于硅片中的金属杂质扩散，最后降温有利于将金属杂质捕获至硅片的psg层中，后续清洗psg层时，金属杂质会跟随psg层一起被洗掉。本专利技术通过调整氧化过程中的温度，在完成前氧工艺的同时增加对硅片的吸杂效果，减少硅片中金属杂质的含量，降低载流子复合，提升少子寿命，从而提升开路电压短路电流及填充因子。再者本专利技术省去了额外的清除金属杂质的工序，在硅片前氧工艺中实现金属除杂，工艺简单，降低了成本。
13、氧气流量过大，容易造成炉管内气流不稳引起气流湍流；过小，则会导致氧化层偏薄，降低吸杂效果，基于此，进一步的设计是：氧气流量为8000sccm。
14、步骤s5中的升温时间过长，增加工艺时间，降低生产产能，过短，则升不到所需要的工艺温度，基于此，进一步的设计是：步骤s5中的升温时间为3-5min。
15、步骤s6中的保温时间过长，增加工艺时间，降低生产产能，过短，则金属杂质热扩散时间较短，无法完全扩散至psg层，基于此，进一步的设计是：步骤s6中保温时间为2-4min。
16、步骤s7中的降温时间过长，增加工艺时间，降低生产产能，过短，则降不到工艺设定温度，不利于金属杂质被psg层捕获，基于此，进一步的设计是：步骤s7中的降温时间为6-8min。
17、步骤s1中的p型硅片具体为：选用完成制绒、扩散、激光掺杂工序的p型硅片。
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1.一种PERC电池前氧增加吸杂效果的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种PERC电池前氧增加吸杂效果的制备方法，其特征在于：氧气流量为8000sccm。
3.根据权利要求1所述的一种PERC电池前氧增加吸杂效果的制备方法，其特征在于：步骤S5中的升温时间为3-5min。
4.根据权利要求3所述的一种PERC电池前氧增加吸杂效果的制备方法，其特征在于：步骤S6中保温时间为2-4min。
5.根据权利要求4所述的一种PERC电池前氧增加吸杂效果的制备方法，其特征在于：步骤S7中的降温时间为6-8min。
6.根据权利要求1所述的一种PERC电池前氧增加吸杂效果的制备方法，其特征在于：步骤S1中选用完成制绒、扩散、激光掺杂工序的P型硅片。
【技术特征摘要】
1.一种perc电池前氧增加吸杂效果的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种perc电池前氧增加吸杂效果的制备方法，其特征在于：氧气流量为8000sccm。
3.根据权利要求1所述的一种perc电池前氧增加吸杂效果的制备方法，其特征在于：步骤s5中的升温时间为3-5min。
4.根据权利要求3所述的一...
【专利技术属性】
技术研发人员：肖奇，胡琴，张飞，孙铁囤，
申请(专利权)人：常州亿晶光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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