本发明专利技术提供了一种芳胺化合物及其有机电致发光器件，涉及有机电致发光材料技术领域。本发明专利技术的芳胺化合物具备合适的HOMO能级，与相邻功能层能级匹配良好，能够降低空穴在注入过程中的能量势垒，提高空穴的注入效率，并且可以有效的将电子阻挡在发光层，实现载流子的最大复合，提高器件的发光效率和延长器件的使用寿命。应用在OLED器件中作为覆盖层材料时，具有较高的折射率，能够将限制在器件内部的光线折射出去，从而提高器件的发光效率并延长器件的使用寿命。同时，该有机化合物制备方法简单，原料易得，可广泛应用于平板显示和固态照明领域等多个领域，具有良好的应用效果和产业化前景。
1、电子器件是指有机集成电路(oic)、有机场效应晶体管(ofet)、有机薄膜晶体管(otft)、有机发光晶体管(olet)、有机太阳能电池(osc)、有机发光电化学电池(olec)、有机激光二极管(o-laser)和有机电致发光器件(oled)等。其中在现今以网络为中心支撑的高度视觉信息化社会下需要特别关注的是被称为oled的电子器件。
2、oled的一般结构是按照由透明电极构成的阳极、包括发光区域的有机薄膜以及金属电极的顺序形成在玻璃基板上。对oled元件施加电场，则从阳极注入空穴，从阴极注入电子，注入的空穴与电子分别经过空穴传输层与电子传输层在发光层重组形成发光激子。形成的发光激子转变为基态的同时发光。为了实现oled优秀的寿命特性，对于适合插入于诸如空穴传输层、发光辅助层的缓冲层或覆盖层的有机材料正在进行开发研究。
3、oled在显示器件中或作为光源具有广泛商业用途，因此需要oled的寿命、效率和工作电压都达到可商业应用的期望值。良好的空穴传输材料能够提高空穴在器件中的传输速率，有效的将电子阻挡在发光层，实现载流子的最大复合，同时降低空穴在注入过程中的能量势垒，提高空穴的注入效率，从而提高器件的亮度、效率和寿命。良好的覆盖层材料能够改变器件的出光模式，具有较高的折射率，将限制在器件内部的光线折射出去，从而提高器件的性能。因此为改进器件结构、提高器件的发光效率、延长器件的使用寿命，开发出新的材料迫在眉睫。
r/>技术实现思路
1、为了解决上述问题，本专利技术目的在于提供了一种芳胺化合物及其有机电致发光器件，可提高有机电致发光器件的发光效率以及延长器件的使用寿命。
2、本专利技术提供了一种芳胺化合物，所述芳胺化合物选自式i表示的结构：
3、
4、其中，所述ar1选自化学式ii；
5、所述ar2选自化学式iii；
6、
7、所述ar3选自下列结构中的任意一种：
8、
9、所述l1选自组1结构中的任意一种；
10、组1：
11、
12、所述y选自ch、n中的任意一种，且至少有一个选自n；
13、所述j选自ch、n中的任意一种，且至少有一个选自n；
14、所述y1选自o、s、c(rmrn)中的任意一种；
15、所述y2选自o、s、c(rmrn)、n(re)中的任意一种；
16、所述ar、ar’独立地选自取代或未取代的c6～c30的芳基、取代或未取代的c2～c30的杂芳基、取代或未取代的c3～c30的脂环和c6～c30的芳环的稠合环基、取代或未取代的c1～c25的杂环烷烃和c6～c30的芳环的稠合环基、取代或未取代的c3～c25的脂环和c2～c30的杂芳环的稠合环基中的任意一种，或ar、ar’之间连接形成取代或未取代的环；
17、所述l2、l3独立地选自单键、取代或未取代的c6～c30的亚芳基、取代或未取代的c2～c30的亚杂芳基、取代或未取代的c3～c30的脂环和c6～c30的芳环的亚稠合环基、取代或未取代的c3～c25的脂环和c2～c30的杂芳环的亚稠合环基中的任意一种；
18、所述r选自取代或未取代的c1～c25的烷基、取代或未取代的c3～c25的脂环基、取代或未取代的c1～c25的杂环烷基中的任意一种；
19、所述r1、r2、ra、rm、rn独立地选自氢、氘、氚、卤素、氰基、硝基、取代或未取代的c1～c25的烷基、取代或未取代的c3～c25的脂环基、取代或未取代的c1～c25的杂环烷基、取代或未取代的c6～c30的芳基、取代或未取代的c2～c30的杂芳基、取代或未取代的c3～c30的脂环和c6～c30的芳环的稠合环基、取代或未取代的c1～c25的杂环烷烃和c6～c30的芳环的稠合环基、取代或未取代的c3～c25的脂环和c2～c30的杂芳环的稠合环基中的任意一种，或rm、rn之间连接形成取代或未取代的环；
20、所述rb选自氢、氘、氚、卤素、氰基、硝基、取代或未取代的c1～c25的烷基、取代或未取代的c1～c25的杂环烷基、取代或未取代的c6～c30的芳基、取代或未取代的c2～c30的杂芳基、取代或未取代的c3～c30的脂环和c6～c30的芳环的稠合环基、取代或未取代的c1～c25的杂环烷烃和c6～c30的芳环的稠合环基、取代或未取代的c3～c25的脂环和c2～c30的杂芳环的稠合环基中的任意一种；
21、所述re选自取代或未取代的c1～c12的烷基、取代或未取代的c3～c25的脂环基、取代或未取代的c1～c25的杂环烷基、取代或未取代的c6～c30的芳基、取代或未取代的c2～c30的杂芳基、取代或未取代的c3～c30的脂环和c6～c30的芳环的稠合环基、取代或未取代的c1～c25的杂环烷烃和c6～c30的芳环的稠合环基、取代或未取代的c3～c25的脂环和c2～c30的杂芳环的稠合环基中的任意一种；
22、所述n1选自0、1、2、3、4、5、6、7或8；当存在两个或多个r1时，两个或多个r1之间彼此相同或不同；
23、所述n2选自0、1、2、3、4、5、6或7；当存在两个或多个r2时，两个或多个r2之间彼此相同或不同，或者相邻的两个r2之间彼此连接形成取代或未取代的环；
24、所述a1选自0、1、2、3或4；所述a2选自0、1、2、3、4、5或6；所述a3选自0、1、2或3；所述a4选自0、1、2、3、4或5；当存在两个或多个ra时，两个或多个ra之间彼此相同或不同，或者相邻的两个ra之间彼此连接形成取代或未取代的环；
25、所述b1选自0、1、2、3或4；所述b2选自0、1、2、3、4或5；当存在两个或多个rb时，两个或多个rb之间彼此相同或不同，或者相邻的两个rb之间彼此连接形成取代或未取代的饱和脂环或取代或未取代的不饱和芳环。
26、本专利技术还提供了一种有机电致发光器件，包括阳极、阴极、和位于所述阳极和所述阴极之间或位于所述阴极背离所述阳极的一侧的有机物层，所述有机物层包含本专利技术所述的芳胺化合物中的至少一种。
27、有益效果
28、本专利技术提供一种芳胺化合物，该化合物具备合适的homo能级，与相邻功能层能级匹配良好，能够降低空穴在注入过程中的能量势垒，提高空穴的注入效率，并且可以有效的将电子阻挡在发光层，实现载流子的最大复合，提高器件的发光效率和延长器件的使用寿命；同时，该化合物具有较高的折射率，能够将限制在器件内部的光线折射出去，从而提高器件的发光效率并延长器件的使用寿命。
29、综上所述，本专利技术化合物应用于有机电致发光器件中时，性能优良，可有效降低有机电致发光器件的驱动电压，提高器件的发光效率，延长器件的寿命，并且该化合物的制备方法简单，原料易得，能够满足工业化需求，具有良好的产业化本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种芳胺化合物，其特征在于，所述芳胺化合物具有式I表示的结构：
2.根据权利要求1所述的一种芳胺化合物，其特征在于，所述Ar1选自下列结构中的任意一种：
3.根据权利要求1所述的一种芳胺化合物，其特征在于，所述Ar2选自下列结构中的任意一种：
4.根据权利要求1所述的一种芳胺化合物，其特征在于，所述Ar3选自下列结构中的任意一种：
5.根据权利要求1所述的一种芳胺化合物，其特征在于，所述L1选自下列结构中的任意一种：
6.根据权利要求1所述的一种芳胺化合物，其特征在于，所述L2、L3独立地选自单键或着选自下列结构中的任意一种或着选自下列结构中的两种或多种组合：
7.根据权利要求1所述的一种芳胺化合物，其特征在于，所述芳胺化合物选自下列结构中的任意一种：
8.一种有机电致发光器件，包括阳极、阴极、和位于所述阳极和所述阴极之间或位于所述阴极背离所述阳极的一侧的有机物层，其特征在于，所述有机物层包含权利要求1至7任一项所述的芳胺化合物中的至少一种。
9.根据权利要求8所述的一种有机电致发光器件，所述有机物层位于所述阳极和所述阴极之间，其特征在于，所述有机物层包含空穴传输层，所述空穴传输层包含权利要求1至7任一项所述的芳胺化合物中的至少一种。
10.根据权利要求8所述的一种有机电致发光器件，所述有机物层位于所述阴极背离所述阳极的一侧，其特征在于，所述有机物层包含覆盖层，所述覆盖层包含权利要求1至7任一项所述的芳胺化合物中的至少一种。
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【技术特征摘要】
1.一种芳胺化合物，其特征在于，所述芳胺化合物具有式i表示的结构：
2.根据权利要求1所述的一种芳胺化合物，其特征在于，所述ar1选自下列结构中的任意一种：
3.根据权利要求1所述的一种芳胺化合物，其特征在于，所述ar2选自下列结构中的任意一种：
4.根据权利要求1所述的一种芳胺化合物，其特征在于，所述ar3选自下列结构中的任意一种：
5.根据权利要求1所述的一种芳胺化合物，其特征在于，所述l1选自下列结构中的任意一种：
6.根据权利要求1所述的一种芳胺化合物，其特征在于，所述l2、l3独立地选自单键或着选自下列结构中的任意一种或着选自下列结构中的两种或多种组合：
7.根据权利要求1所述的一种芳胺化...
【专利技术属性】
技术研发人员：董秀芹，韩春雪，周雯庭，孙敬，
申请(专利权)人：长春海谱润斯科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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