存储器、存储器的控制方法和形成方法、电子设备技术

技术编号：40423961 阅读：8 留言：0更新日期：2024-02-20 22:43

本申请实施例提供一种存储器、存储器的控制方法和形成方法、电子设备。涉及半导体存储器技术领域。主要用于提升存储单元的集成密度。该存储器包括衬底和集成在衬底上的至少一个存储单元，该存储单元包括第一晶体管和第二晶体管，也就是说该存储单元属于一种2T0C的gain‑cell的单元结构；另外，存储单元还包括第一控制线、第二控制线和第三控制线，第一晶体管的第一极与第二晶体管的栅极电连接，第一晶体管的第二极与第二晶体管的第二极电连接，第一晶体管的栅极与第一控制线电连接，第二晶体管的第一极与第二控制线电连接，电连接的第一晶体管的第二极和第二晶体管的第二极均与第三控制线电连接。也就是通过减少控制线数量，以提升存储密度。

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【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

技术介绍

技术实现思路

【技术保护点】

PCT国内申请，权利要求书已公开。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

pct国内申请，权...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄凯亮，景蔚亮，冯君校，王正波，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：

全部详细技术资料下载我是这个专利的主人