【技术实现步骤摘要】
本专利技术大体上涉及制造电子器件的方法，且更特定来说涉及包括存储器单元的器件。
技术介绍
1、包括存储器的电子器件例如包括存储器单元阵列。存储器单元阵列包括存储器单元的行和列，同一行的单元由位线耦合且同一列的单元由字线耦合。
技术实现思路
1、实施例克服了已知电子器件制造方法的全部或部分缺点。
2、实施例提供一种制造器件的方法，所述器件包括其中形成有存储器单元阵列的第一部分和其中形成有晶体管的第二部分，每一存储器单元位于衬底的区域上，所述方法包括以下步骤：
3、形成将同一单元行的衬底区域彼此分隔的第一绝缘沟槽，以及
4、形成将同一单元列的衬底区域彼此分隔的第二沟槽，所述第二沟槽具有大于所述第一沟槽的高度的高度，
5、步骤a。包括以下步骤：
6、a1。每个第一沟槽的下部的形成，以及
7、a2。每个第一沟槽的上部的形成，
8、上部的形成包括第一绝缘层的沉积和第一绝缘层的不位于上部上的部分的蚀刻。
9、根据实施例，衬底是器件的第二部分中的绝缘体上衬底类型。
10、根据一个实施例，该方法在步骤a和b之前包括步骤c。在第一部分中，沿着至少等于衬底的上半导体层的高度的高度去除半导体上衬底类型的衬底的上半导体层和生长半导体上衬底类型的衬底的中间绝缘层的绝缘材料，中间层由第一绝缘材料制成。
11、根据一个实施例，该方法在步骤a和b之前并且在步骤c.之后包括步骤d。在第一和第二部分
12、根据一个实施方案，步骤a2。包括在所述区域的位置前面的第一层中形成第一开口。以及步骤a1包括通过第一开口蚀刻中间层。步骤a2在步骤a1之后包括去除位于该第二部分中的该第一层的这些部分，该第一层是由一种第二绝缘材料制成的。
13、根据一个实施方案，步骤a2。包括去除位于第一部分外部的第一层的部分以及去除位于第一沟槽位置处的中间层和第一层的部分，第一层由第一绝缘材料制成。
14、根据一个实施例，该方法包括，在步骤a之后。以及在步骤b之前的步骤e。在所述区域的位置生长绝缘体上半导体型衬底的下层。
15、根据一个实施例，该方法在步骤e之后包括步骤f。在所述第一和第二部分上形成包括由所述第一材料制成的第二层和由所述第二材料制成的第三层的叠层。
16、根据实施例，第一和第二材料可相对于彼此选择性地蚀刻。
17、根据一个实施例，第一材料是氧化硅，第二材料是氮化硅。
18、根据一个实施方案，在步骤f.之后，步骤b包括在第二沟槽的位置前面的堆叠的第三层中形成第二开口，形成穿过第二开口的腔体，以及在第一和第二部分上形成由足够厚以填充腔体的第一材料制成的第四层。
19、根据一个实施例，该方法在步骤b之后的步骤g和步骤h。步骤g通过化学机械抛光去除位于叠层第三层上方的第四层部分。步骤h，去除第三层。
20、根据一个实施例，该方法在步骤h.之后包括掺杂衬底的步骤。
21、根据实施例，该方法包括在第一沟槽的上部上沉积硅条。
22、另一实施例提供一种器件，其包括具有布置于其中的存储器单元阵列的第一部分和具有布置于其中的晶体管的第二部分，每一存储器单元位于衬底的区域上，所述器件包括将同一单元行的衬底区域彼此分隔的第一绝缘沟槽和将同一单元列的衬底区域彼此分隔的第二沟槽，所述第二沟槽具有大于所述第一沟槽的高度的高度，其中所述第一和第二沟槽的上表面分隔短于10nm的距离。
23、另一实施例提供一种器件，其包括其中布置有存储器单元阵列的第一部分和其中布置有晶体管的第二部分，每一存储器单元位于衬底的区域上，所述器件包括将同一单元行的衬底区域彼此分隔的第一绝缘沟槽和将同一单元列的衬底区域彼此分隔的第二沟槽，所述第二沟槽具有大于所述第一沟槽的高度的高度，其中每一第一沟槽包括由第一材料制成的下部和由不同于所述第一材料的第二材料制成的下部，其中所述第二沟槽不包括所述第二材料。
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1.一种制造器件的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底是所述器件的所述第二部分中的绝缘体上衬底类型的。
3.根据权利要求1所述的方法，包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其中所述方法包括：在所述器件的第一部分和第二部分上形成第一绝缘层。
5.根据权利要求4所述的方法，其中形成每个第一沟槽的所述第二部分包括：在所述第一绝缘层中形成第一多个开口，并且形成每个第一沟槽的所述第一部分包括：
6.根据权利要求4所述的方法，包括：去除所述器件的所述第一部分上的所述第一绝缘层的第一多个部分，以及去除所述中间层的和所述第一多个沟槽上的所述第一绝缘层的第二多个部分，所述第一绝缘层包括所述第一绝缘材料。
7.根据权利要求5所述的方法，包括：膨胀绝缘体上半导体型的所述衬底的下层。
8.根据权利要求7所述的方法，其中所述方法包括：在所述器件的第一部分和第二部分上形成包括所述第一材料的第二层和包括所述第二材料的第三层的堆叠。
9.根据权利要求8所述的方法，其中第一材料是氧化硅，第二材料是氮
10.根据权利要求8所述的方法，其中形成所述第二多个沟槽包括：
11.根据权利要求10所述的方法，包括：
12.根据权利要求11所述的方法，包括：掺杂所述衬底。
13.根据权利要求1所述的方法，包括：在所述第一沟槽中的每个第一沟槽的多个第二部分上沉积多个硅条。
14.一种器件，包括：
15.根据权利要求15所述的器件，其中所述第一多个沟槽中的每一沟槽包括：
16.一种器件，包括：
17.根据权利要求16所述的器件，其中所述衬底包括：
18.根据权利要求16所述的器件，包括所述衬底上的存储器单元阵列。
19.根据权利要求18所述的器件，其中所述存储器单元阵列包括多个行和多个列，所述多个列由所述第一多个沟槽分隔并且所述多个行由所述第二多个沟槽分隔。
20.根据权利要求16所述的器件，其中所述第二多个沟槽由多个绝缘区域分隔，所述多个绝缘区域包括所述第一绝缘材料。
...【技术特征摘要】
1.一种制造器件的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底是所述器件的所述第二部分中的绝缘体上衬底类型的。
3.根据权利要求1所述的方法，包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其中所述方法包括：在所述器件的第一部分和第二部分上形成第一绝缘层。
5.根据权利要求4所述的方法，其中形成每个第一沟槽的所述第二部分包括：在所述第一绝缘层中形成第一多个开口，并且形成每个第一沟槽的所述第一部分包括：
6.根据权利要求4所述的方法，包括：去除所述器件的所述第一部分上的所述第一绝缘层的第一多个部分，以及去除所述中间层的和所述第一多个沟槽上的所述第一绝缘层的第二多个部分，所述第一绝缘层包括所述第一绝缘材料。
7.根据权利要求5所述的方法，包括：膨胀绝缘体上半导体型的所述衬底的下层。
8.根据权利要求7所述的方法，其中所述方法包括：在所述器件的第一部分和第二部分上形成包括所述第一材料的第二层和包括所述第二材料的第三层的堆叠。
9.根据权利要求8所...
【专利技术属性】
技术研发人员：R·贝特隆，O·韦伯，
申请(专利权)人：意法半导体克洛尔二公司，
类型：发明
国别省市：
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