【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于压力传感器，具体是一种钢基纳米薄膜、压力变送器及其制备方法与应用。
技术介绍
1、压力变送器是一种将压力转换成气动信号或电动信号进行控制和远传的设备；它能将测压元件传感器感受到的气体、液体等物理压力参数转变成标准的电信号，以供给指示报警仪、记录仪、调节器等二次仪表进行测量、指示和过程调节；而相关技术中为了进一步提升测试可靠性，而采用齐平膜型压力变送器。
2、齐平膜型压力变送器是在通用压力变送器原型基础上，加装焊接密封隔离膜片结构而形成的；齐平膜压力变送器采用扩散硅传感器作为感压元件(而扩散硅传感器必须封油，封油膜片厚度在0.08mm左右，且成波纹型)，且齐平膜压力变送器的按压部分膜层厚度较小，导致耐压性能较差(耐压普遍为200％fs)；过载后会破坏膜片，从而导致压力变送器损坏；且相关技术中压力变送器的上压力接口大小为g1/2附近，体积较大，不便于安装。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种芯体用不锈钢，以解决上述
技术介绍
中提出的问题和缺陷的至少一个方面。
2、本专利技术还提供了一种压力变送器。
3、本专利技术还提供了上述压力变送器的应用。
4、具体如下，本专利技术第一方面提供了一种芯体用不锈钢，
5、所述不锈钢为17-4ph不锈钢经过固溶处理和时效处理后得到；
6、所述固溶处理的温度为1000℃～1100℃；
7、所述固溶处理的时间为2h～4h；
8、所述时效处理
9、根据本专利技术不锈钢技术方案中的一种技术方案，至少具备如下有益效果：
10、本专利技术通过对17-4ph不锈钢进行时效处理，通过对时效时间和温度进行控制，从而制得的马氏体形态的不锈钢，进一步提升了芯体用不锈钢的屈服强度；将上述不锈钢用于制备压力变送器，其耐过载能力强。
11、根据本专利技术的一些实施方式，所述时效处理的温度为580℃～620℃。
12、根据本专利技术的一些实施方式，所述时效处理的时间为2h～4h。
13、根据本专利技术的一些实施方式，所述芯体用不锈钢的屈服强度为1100mpa以上。
14、根据本专利技术的一些实施方式，所述芯体用不锈钢的屈服强度为1200mpa以上。
15、根据本专利技术的一些实施方式，所述芯体用不锈钢的屈服强度为1100mpa～1400mpa。
16、根据本专利技术的一些实施方式，所述芯体用不锈钢的屈服强度为1200mpa～1400mpa。
17、根据本专利技术的一些实施方式，所述芯体用不锈钢的屈服强度为1300mpa～1400mpa。
18、本专利技术第二方面公开了一种压力变送器，包括齐平膜芯体；
19、所述齐平膜芯体由钢基和纳米薄膜组成；
20、所述钢基由上述的芯体用不锈钢制备得到。
21、根据本专利技术的一些实施方式，所述纳米薄膜包括绝缘层、应变电阻层和保护层。
22、根据本专利技术的一些实施方式，所述绝缘层为氮化硅层。
23、根据本专利技术的一些实施方式，所述绝缘层的厚度为100nm～800nm。
24、根据本专利技术的一些实施方式，所述绝缘层的厚度为400nm～600nm。
25、根据本专利技术的一些实施方式，所述保护层为二氧化硅层。
26、根据本专利技术的一些实施方式，所述保护层的厚度为200nm～400nm。
27、根据本专利技术的一些实施方式，所述应变电阻层电连接焊盘。
28、根据本专利技术的一些实施方式，所述焊盘为金焊盘。
29、根据本专利技术的一些实施方式，所述焊盘的厚度为500nm～1500nm。
30、根据本专利技术的一些实施方式，所述应变电阻层由以下质量分数的元素组成：
31、镓65％～75％、氮13％～15％、硅5％～10％、硫6％～8％。
32、根据本专利技术的一些实施方式，所述齐平膜芯体的厚度为0.2mm～0.4mm。
33、根据本专利技术的一些实施方式，所述纳米薄膜形成惠斯通电桥。
34、根据本专利技术的一些实施方式，所述纳米薄膜通过溅射形成。
35、根据本专利技术的一些实施方式，所述压力应变器还包括引压嘴；
36、所述引压嘴的引压入口的内径为g1/4。。
37、本专利技术第三方面公开了上述的压力变送器在大颗粒混合物和/或冲击频率高的混合物压力测量中的应用。
38、本专利技术的压力应变器基于纳米薄膜且引压口小(g1/4)、引压嘴为齐平膜形态，在如含颗粒物较大及杂质较多的流体压力测量中，本可以有效解决应压通道堵塞，不易清洗，在低温环境下压力通道结冰而无法引压的难题。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种芯体用不锈钢，其特征在于，
2.一种压力变送器，其特征在于，包括齐平膜芯体；
3.根据权利要求2所述的压力变送器，其特征在于，所述纳米薄膜包括绝缘层、应变电阻层和保护层。
4.根据权利要求2所述的压力变送器，其特征在于，所述绝缘层为氮化硅层。
5.根据权利要求2所述的压力变送器，其特征在于，所述保护层为二氧化硅层。
6.根据权利要求2所述的压力变送器，其特征在于，所述应变电阻层由以下质量分数的元素组成：
7.根据权利要求2所述的压力变送器，其特征在于，所述齐平膜芯体的厚度为0.2mm～0.4mm。
8.根据权利要求2所述的压力变送器，其特征在于，所述纳米薄膜形成惠斯通电桥。
9.根据权利要求2至8任一项所述的压力变送器，其特征在于，还包括引压嘴；
10.一种如权利要求4至9任一项所述的压力变送器在大颗粒混合物和/或冲击频率高的混合物压力测量中的应用。
【技术特征摘要】
1.一种芯体用不锈钢，其特征在于，
2.一种压力变送器，其特征在于，包括齐平膜芯体；
3.根据权利要求2所述的压力变送器，其特征在于，所述纳米薄膜包括绝缘层、应变电阻层和保护层。
4.根据权利要求2所述的压力变送器，其特征在于，所述绝缘层为氮化硅层。
5.根据权利要求2所述的压力变送器，其特征在于，所述保护层为二氧化硅层。
6.根据权利要求2所述的压力变送器，其特征在于，所述...
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