【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种阵列基板的制备，具体涉及一种避免深浅孔的内嵌式触控阵列基板制造方法。
技术介绍
1、随着液晶显示技术发展，薄膜晶体管液晶显示器越来越受欢迎。在lcd阵列基板的制造过程中，常常存在膜层间的过孔接触，不同膜层之间过孔搭接往往会产生深浅孔问题，浅孔与深孔同时蚀刻，蚀刻深度不同，导致浅孔上不该被蚀刻的膜层受到影响，进而导致接触电阻变大，严重甚至导致上方膜层搭接异常断线，影响产品品质和可靠性。
2、如图1所述现有技术一种lcd阵列基板结构示意图，其包括aa区、ic区及esd区，阵列基板结构由下至上分别是：tft(由第一金属层1+第一绝缘层2+半导体有源层3+第二金属层4组成，第一金属层控制器件开关，第二金属层4进行数据传输)→第二绝缘层5、平坦层6→触控层(第三金属层(触控层)7+第三绝缘层8)→电极信号层(画素电极层9+第四绝缘层10+公共电极层11)，位于aa区触控层7通过第四绝缘层浅孔a2与公共电极层11搭接，画素电极层9通过第三绝缘层深孔a1从第二金属层4得到信号，与公共电极层11形成压差，从而控制液晶翻转达到显示；位于ic区信号与最上方的公共电极层11接触，通过第四绝缘层深孔a2与第二金属层4/第一金属层1(sd/ge)搭接降低电阻，通过第四绝缘层浅孔a2传递给下方的触控层7触控线，最后传入aa区；位于esd区触控层7的信号线信号通过第三绝缘层浅孔a1传给画素电极层9，画素电极层9再通过第三绝缘层深孔a1传给第二金属层4/第一金属层1(sd/ge)导走静电。
3、现有的深浅孔存在的问题在
4、以往改善深浅孔的方法通常有：①通过增加浅孔下方金属层整体厚度，②调整蚀刻工艺参数。③改变膜层架构。前两种方法，不能完全改善深浅孔蚀刻问题。本专利技术主要是针对内嵌式触控阵列基板的深浅孔进行优化，触控层与画素电极层之间通过开浅孔相互搭接，因此容易受到深浅孔蚀刻影响，导致触控层被蚀刻，表面缺损，搭接阻抗增大，进而影响讯号传递，造成面板显示不良。
技术实现思路
1、本专利技术要解决的技术问题，在于本专利技术是一种避免深浅孔的内嵌式触控阵列基板制造方法，主要从工艺和设计两个方面来改善深浅孔带来的负面阻抗影响，进而提升产品品质和可靠性。
2、本专利技术是这样实现的：一种避免深浅孔的内嵌式触控阵列基板制造方法，包括如下步骤：
3、s1、提供一玻璃基板，将所述玻璃基板分为aa区、ic区和esd区，在所述玻璃基板的aa区、ic区和esd区上依次制备第一金属层、第一绝缘层、半导体有源层、第二金属层、第二绝缘层和平坦层，所述半导体有源层仅位于所述aa区上，所述平坦层仅位于所述aa区和esd区；
4、s2、通过显影工艺在aa区和esd区的所述平坦层深孔部上开孔，形成oc孔，使所述第二绝缘层显露，在aa区、ic区和esd区的所述第二绝缘层深孔部再次通过显影蚀刻工艺开孔，形成第二绝缘层过孔，使所述第二金属层显露，所述第二绝缘层过孔直径小于所述oc孔直径；
5、s3、在aa区、ic区和esd区的平坦层上依次制备第三金属层和第三绝缘层，并将位于aa区和esd区所述深孔部的第三绝缘层蚀刻掉，显露所述第二金属层，形成aa区和esd区的第三绝缘层深孔，同时将位于esd区浅孔部的第三绝缘层同步蚀刻掉，显露所述第三金属层，形成第三绝缘层浅孔；
6、s4、在所述第三绝缘层上依次制备画素电极层和第四绝缘层，位于aa区和esd区的所述画素电极层通过所述第三绝缘层深孔与第二金属层搭接，位于esd区的所述画素电极层通过第三绝缘层浅孔与第三金属层搭接；通过显影蚀刻工艺将位于aa区和ic区的浅孔部及ic区深孔部的第三绝缘层和第四绝缘层同时蚀刻掉，显露出aa区和ic区第三金属层，形成第四绝缘层浅孔，及显露出ic区所述深孔部的第二金属层，形成ic区的第四绝缘层深孔；
7、s5、在所述第四绝缘层上制备公共电极层，所述公共电极层仅位于aa区和ic区，且与显露的第三金属层和第二金属层搭接。
8、进一步的，所述第一金属层为栅极金属层，选自mo、al/mo、al/ti。
9、进一步的，所述第一绝缘层为栅极绝缘层，选自siox、sinx。
10、进一步的，所述半导体有源层选自铟镓锌氧化物、氧化锌、硫化镉。
11、进一步的，所述第二金属层选自mo、mo/al/mo、ti/al/ti。
12、进一步的，所述第二绝缘层为钝化层，选自siox、sinx。
13、进一步的，所述第三金属层为触控层，选自mo、mo/al/mo、ti/al/ti。
14、进一步的，所述第三绝缘层选自siox、sinx。
15、进一步的，所述公共电极层选用ito。
16、本专利技术的优点在于：为解决深浅孔蚀刻造成的影响，本专利技术通过增加一层光罩的数量情况下，使在aa区、ic区、esd区的深孔位置提前对第二绝缘层进行蚀刻开孔，使后续的第三绝缘层和第四绝缘层的开孔深度保持一致，避免存在深浅孔问题，使aa区与ic区的第三金属层能完整接触公共电极层，降低了阻抗风险，提高信号传输可靠性，同时aa区和esd区深孔原先的长爬坡变成两段式爬坡，进一步降低爬坡时带来的断线风险。
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1.一种避免深浅孔的内嵌式触控阵列基板制造方法，其特征在于：包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种避免深浅孔的内嵌式触控阵列基板制造方法，其特征在于：所述第一金属层为栅极金属层，选自Mo、Al/Mo、Al/Ti。
3.根据权利要求1所述的一种避免深浅孔的内嵌式触控阵列基板制造方法，其特征在于：所述第一绝缘层为栅极绝缘层，选自SiOx、SiNx。
4.根据权利要求1所述的一种避免深浅孔的内嵌式触控阵列基板制造方法，其特征在于：所述半导体有源层选自铟镓锌氧化物、氧化锌、硫化镉。
5.根据权利要求1所述的一种避免深浅孔的内嵌式触控阵列基板制造方法，其特征在于：所述第二金属层选自Mo、Mo/Al/Mo、Ti/Al/Ti。
6.根据权利要求1所述的一种避免深浅孔的内嵌式触控阵列基板制造方法，其特征在于：所述第二绝缘层为钝化层，选自SiOx、SiNx。
7.根据权利要求1所述的一种避免深浅孔的内嵌式触控阵列基板制造方法，其特征在于：所述第三金属层为触控层，选自Mo、Mo/Al/Mo、Ti/Al/Ti。
9.根据权利要求1所述的一种避免深浅孔的内嵌式触控阵列基板制造方法，其特征在于：所述公共电极层选用ITO。
...【技术特征摘要】
1.一种避免深浅孔的内嵌式触控阵列基板制造方法，其特征在于：包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种避免深浅孔的内嵌式触控阵列基板制造方法，其特征在于：所述第一金属层为栅极金属层，选自mo、al/mo、al/ti。
3.根据权利要求1所述的一种避免深浅孔的内嵌式触控阵列基板制造方法，其特征在于：所述第一绝缘层为栅极绝缘层，选自siox、sinx。
4.根据权利要求1所述的一种避免深浅孔的内嵌式触控阵列基板制造方法，其特征在于：所述半导体有源层选自铟镓锌氧化物、氧化锌、硫化镉。
5.根据权利要求1所述的一种避免深浅孔的内嵌式触控阵列基板制造方法，其特征在于：所...
【专利技术属性】
技术研发人员：张善霖，陈宇怀，
申请(专利权)人：华映科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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