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基于多模SIW谐振腔和贴片的单层滤波天线制造技术

技术编号:40400531 阅读:16 留言:0更新日期:2024-02-20 22:26
本发明专利技术涉及一种基于多模SIW谐振腔和贴片的单层滤波天线,属于无线能量传输领域,包括中层介质基板、底层金属地板、上层金属板以及金属化通孔;所述底层金属地板设置在中层介质基板的下表面,所述上层金属板设置在中层介质基板的上表面;所述金属化通孔贯穿中层介质基板、底层金属地板及上层金属板,作为腔体柱,围成一个方形SIW腔体;所述上层金属板蚀刻有用于嵌入矩形贴片的矩形槽;所述矩形贴片设置在中层介质基板的上表面,并嵌入到上层金属板的矩形槽中。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于无线能量传输领域,涉及一种基于多模siw谐振腔和贴片的单层滤波天线。


技术介绍

1、随着通信系统的快速发展,对天线的要求也不再是单纯的信号收发器,往往要求天线具有高性能的同时还要兼备多种功能,这给天线领域提出了前所未有的挑战。

2、传统的滤波天线通常由滤波器和天线两部分组成,导致了系统复杂性和尺寸增加的问题,这往往会导致射频前端部件的体积过大,十分不利于系统的集成。多模siw谐振腔是一种在介质基板中形成的波导结构,具有多个模式的谐振频率。通过调整siw谐振腔的几何尺寸和形状,可以实现不同的滤波特性。贴片是一种常用的天线元件,具有小型化和宽频带的特点。贴片天线可以以非常薄的形式附着在siw谐振腔的金属壁上。这种结构的单层滤波天线能够将滤波和天线功能集成在一个设备中,实现紧凑的设计和方便的集成。


技术实现思路

1、有鉴于此,本专利技术的目的在于提供一种基于多模siw谐振腔和贴片的单层滤波天线,解决射频前端电路小型化的问题,同时天线具有良好的性能,通过设计和优化,简化了天线的结构,便于加工制作。

2、为达到上述目的,本专利技术提供如下技术方案:

3、一种基于多模siw谐振腔和贴片的单层滤波天线,包括中层介质基板、底层金属地板、上层金属板以及金属化通孔;所述底层金属地板设置在中层介质基板的下表面,所述上层金属板设置在中层介质基板的上表面;所述金属化通孔贯穿中层介质基板、底层金属地板及上层金属板,作为腔体柱,围成一个方形siw腔体;所述上层金属板蚀刻有用于嵌入矩形贴片的矩形槽;所述矩形贴片设置在中层介质基板的上表面,并嵌入到上层金属板的矩形槽中。

4、进一步,所述矩形槽蚀刻在方形siw腔体中,将siw腔体分为左侧谐振器和右侧谐振器。

5、进一步,所述矩形贴片嵌入到矩形槽中,利用谐振器与天线负载的交叉耦合产生传输零点。

6、进一步,还包括蚀刻在矩形槽内部的u型槽。

7、进一步,所述中层介质基板相对介电常数为2.55,损耗正切角为0.0014;所述底层金属地板、上层金属板均为厚度0.017mm的铜金属,底部金属平面为gnd平面。

8、进一步,还包括馈电孔,所述馈电孔位于siw腔体的垂直中心处。

9、进一步,所述u型槽长15.1mm,宽3mm,长边槽缝隙宽度0.1mm,短边槽缝隙宽度0.2mm。

10、进一步,所述矩形槽长为28.8mm,宽为25.5mm,距离腔体柱边的距离分别为7.25mm和18.6mmm。

11、进一步,所述矩形贴片长为25.7mm,宽为24mm,贴片靠近矩形槽上下边缘距离为0.75mm,靠近矩形槽两侧距离为1.55mm。

12、进一步,所述馈电位置与金属化通孔边缘的最短距离为4.95mm。

13、本专利技术的有益效果在于:

14、(1)使用siw技术实现基本的一个谐振模式,然后调整馈电位置激发谐振模式,并在siw腔体中蚀刻矩形槽,矩形槽将siw分为左侧谐振器和右侧谐振器。两个谐振器都将能量耦合到天线负载,通过左谐振器和缝隙天线负载之间的交叉耦合产生传输零点,然后在矩形槽中嵌入矩形贴片,引入贴片的谐振模式,拓展了阻抗带宽,同时在贴片表面蚀刻u型槽,又引入了一个谐振点和一个辐射零点,增加了天线的阻抗带宽并增强了天线的滤波性能。

15、(2)此天线工作的中心频率为3.44ghz,阻抗带宽为5.2%(3.35-3.53ghz),可实现增益6dbi。

16、(3)在实现高性能的同时,还保证了天线的滤波响应,通带两侧都引入传输零点。该天线具有性能优异,体积较小,功能多,结构简单等特性,具有一定的工程使用价值。

17、本专利技术的其他优点、目标和特征在某种程度上将在随后的说明书中进行阐述,并且在某种程度上,基于对下文的考察研究对本领域技术人员而言将是显而易见的,或者可以从本专利技术的实践中得到教导。本专利技术的目标和其他优点可以通过下面的说明书来实现和获得。

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【技术保护点】

1.一种基于多模SIW谐振腔和贴片的单层滤波天线,其特征在于:包括中层介质基板、底层金属地板、上层金属板以及金属化通孔;所述底层金属地板设置在中层介质基板的下表面,所述上层金属板设置在中层介质基板的上表面;所述金属化通孔贯穿中层介质基板、底层金属地板及上层金属板,作为腔体柱,围成一个方形SIW腔体;所述上层金属板蚀刻有用于嵌入矩形贴片的矩形槽;所述矩形贴片设置在中层介质基板的上表面,并嵌入到上层金属板的矩形槽中。

2.根据权利要求1所述的基于多模SIW谐振腔和贴片的单层滤波天线,其特征在于:所述矩形槽蚀刻在方形SIW腔体中,将SIW腔体分为左侧谐振器和右侧谐振器。

3.根据权利要求1所述的基于多模SIW谐振腔和贴片的单层滤波天线,其特征在于:所述矩形贴片嵌入到矩形槽中,利用谐振器与天线负载的交叉耦合产生传输零点。

4.根据权利要求1所述的基于多模SIW谐振腔和贴片的单层滤波天线,其特征在于:还包括蚀刻在矩形槽内部的U型槽。

5.根据权利要求1所述的基于多模SIW谐振腔和贴片的单层滤波天线,其特征在于:所述中层介质基板相对介电常数为2.55,损耗正切角为0.0014;所述底层金属地板、上层金属板均为厚度0.017mm的铜金属,底部金属平面为GND平面。

6.根据权利要求1所述的基于多模SIW谐振腔和贴片的单层滤波天线,其特征在于:还包括馈电孔,所述馈电孔位于SIW腔体的垂直中心处。

7.根据权利要求4所述的基于多模SIW谐振腔和贴片的单层滤波天线,其特征在于:所述U型槽长15.1mm,宽3mm,长边槽缝隙宽度0.1mm,短边槽缝隙宽度0.2mm。

8.根据权利要求1所述的基于多模SIW谐振腔和贴片的单层滤波天线,其特征在于:所述矩形槽长为28.8mm,宽为25.5mm,距离腔体柱边的距离分别为7.25mm和18.6mmm。

9.根据权利要求1所述的基于多模SIW谐振腔和贴片的单层滤波天线,其特征在于:所述矩形贴片长为25.7mm,宽为24mm,贴片靠近矩形槽上下边缘距离为0.75mm,靠近矩形槽两侧距离为1.55mm。

10.根据权利要求1所述的基于多模SIW谐振腔和贴片的单层滤波天线,其特征在于:所述馈电位置与金属化通孔边缘的最短距离为4.95mm。

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【技术特征摘要】

1.一种基于多模siw谐振腔和贴片的单层滤波天线,其特征在于:包括中层介质基板、底层金属地板、上层金属板以及金属化通孔;所述底层金属地板设置在中层介质基板的下表面,所述上层金属板设置在中层介质基板的上表面;所述金属化通孔贯穿中层介质基板、底层金属地板及上层金属板,作为腔体柱,围成一个方形siw腔体;所述上层金属板蚀刻有用于嵌入矩形贴片的矩形槽;所述矩形贴片设置在中层介质基板的上表面,并嵌入到上层金属板的矩形槽中。

2.根据权利要求1所述的基于多模siw谐振腔和贴片的单层滤波天线,其特征在于:所述矩形槽蚀刻在方形siw腔体中,将siw腔体分为左侧谐振器和右侧谐振器。

3.根据权利要求1所述的基于多模siw谐振腔和贴片的单层滤波天线,其特征在于:所述矩形贴片嵌入到矩形槽中,利用谐振器与天线负载的交叉耦合产生传输零点。

4.根据权利要求1所述的基于多模siw谐振腔和贴片的单层滤波天线,其特征在于:还包括蚀刻在矩形槽内部的u型槽。

5.根据权利要求1所述的基于多模siw谐振腔和贴片的单层滤波天线,其特征在于:所述中层介质基板相对介电常数为2....

【专利技术属性】
技术研发人员:严冬鞠博卞子豪胡坤志郭保仓
申请(专利权)人:重庆邮电大学
类型:发明
国别省市:

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