本发明专利技术公开一种太阳能芯片的抗反射层的检测方法及检测装置，主要将一白色光源投射在一待测太阳能芯片上，并利用摄像单元对太阳能芯片进行影像的撷取以产生一影像数据，而后再对影像数据的色度进行分析，在分析的过程中可将影像数据区分成多个影像单元，并分别对各个或部分影像单元的色度进行分析，以推算出各个或部分影像单元内的抗反射层的厚度，借此将可以快速完成太阳能芯片上的抗反射层厚度的测量。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种太阳能芯片的抗反射层的检测方法及检测装置，可快速完成太阳 能芯片上的抗反射层厚度的测量。
技术介绍
随着地球资源的匮乏及环保议题的抬台，世界各国逐渐察觉到发展新替代能源的 急迫性，其中太阳能发电便是最被看好的一项技术。太阳能芯片电池依工艺的不同，大概 可被区分为硅晶太阳能电池及薄膜太阳能电池，目前硅晶太阳能电池的市占率约为80%以 上。请参阅图1，为现有太阳能芯片的构造示意图。如图所示，太阳能芯片10主要包括 有一 N型半导体材料η、一 P型半导体材料13及一抗反射层15，其中N型半导体材料11 及P型半导体材料13以层叠方式设置，而抗反射层15则设置在N型半导体材料11表面。在应用时太阳光可穿透抗反射层15并投射在N型半导体材料11及/或P型半导 体材料13上，借由抗反射层15的设置将可以让更多的光源进入半导体材料11/13，并有利 于提高太阳能芯片10产生电能的效率。当光源照射在太阳芯片10时，太阳能芯片10内带 负电的电子将会往N型半导体材料11的表面移动，并可以设置在N型半导体材料11上的 导电线17将其导出，而太阳能芯片10内带正电的电洞则会往P型半导体材料13的表面移 动，并可进一步以设置在P型半导体材料13上的导电线19将其导出。抗反射层15主要由一绝缘材料所制成，且抗反射层15的厚度会对导入太阳能芯 片10的光源的比例造成影响。一般在对太阳能芯片10的抗反射层15的厚度进行测量时， 主要是通过破坏性的扫瞄式电子显微镜(SEM)分析抗反射层15的厚度，然而此一测量方法 不仅效率不佳，更无法在产在线自动化进行检测。专利技术内容本专利技术的主要目的，在于提供一种太阳能芯片的抗反射层的检测方法，主要将一 白色光源投射在太阳能芯片上，并将太阳能芯片的颜色转换为色度，借此将可进一步以色 度推算出太阳能芯片上的抗反射层的厚度。本专利技术的次要目的，在于提供一种太阳能芯片的抗反射层的检测方法，主要对太 阳能芯片进行影像的撷取并取得一影像数据，并将影像数据区分成多个影像单元，而后再 将各个或部分影像单元上的RGB数值转换到HSV的色彩空间，以得知各个或部分影像单元 的色度，借此将由各个或部分影像单元的色度推算出太阳能芯片的抗反射层的厚度。本专利技术的又一目的，在于提供一种太阳能芯片的抗反射层的检测方法，主要对太 阳能芯片进行影像的撷取并取得一影像数据，并对该影像数据上的各个或部分像素进行分 析，以得知太阳能芯片的抗反射层的厚度。本专利技术的又一目的，在于提供一种太阳能芯片的抗反射层的检测方法，其中太阳 能芯片上的抗反射层的厚度与影像单元(抗反射层)的色度约呈现二次方反比的关系，并可由色度得知太阳能芯片的抗反射层的厚度。本专利技术的又一目的，在于提供一种太阳能芯片的抗反射层的检测装置，主要通过 摄像单元对太阳能芯片进行影像的撷取，并以运算单元将影像数据的各个或部分像素的 RGB数值转换到HSV的色彩空间，而后再对各个或部分像素上的色度进行运算，以得知太阳 能芯片的各个区域的抗反射层的厚度。本专利技术的又一目的，在于提供一种太阳能芯片的抗反射层的检测装置，可将摄像 单元设置在太阳能芯片输送的路径上，并对太阳能芯片进行影像的撷取，而后再以运算单 元对所取得的影像数据进行分析，借此将可以在产在线自动化进行抗反射层厚度的检测， 并有利于提高检测的效率。本专利技术的又一目的，在于提供一种太阳能芯片的抗反射层的检测装置，可由检测 的结果得知单一太阳能芯片上的抗反射层的厚度是否均勻，并进一步依据检测的结果对不 同的太阳能芯片进行分类。为了达到上述目的，本专利技术提供一种太阳能芯片的抗反射层厚度的检测方法，包 括有以下步骤对一太阳能芯片进行影像撷取，并产生一影像数据，其中太阳能芯片表面设 置有一抗反射层；将影像数据区分成多个影像单元，并取得影像单元的色度；及由影像单 元的色度推算出抗反射层的厚度。为了达到上述目的，本专利技术还提供一种太阳能芯片的抗反射层厚度的检测装置， 包括有一摄像单元，用以对一太阳能芯片进行影像撷取，并产生一影像数据，其中太阳能 芯片表面设置有一抗反射层；及一运算单元，由摄像单元接收影像数据，并将影像数据区分 成多个影像单元，并取得影像单元的色度，而后再由影像单元的色度推算出抗反射层的厚度。本专利技术的功效在于，由于影像数据内的影像单元的色度与抗反射层的厚度相关， 例如当太阳能芯片的抗反射层为Silicon Nitride (氮化硅)时，抗反射层的厚度与影像单 元(抗反射层)的色度约呈现二次方反比的关系，因此运算单元内可包括有抗反射层的厚 度与色度的关系式或关系图，借此将可由各个或部分影像单元的色度推算出太阳能芯片的 各个或部分区域的抗反射层的厚度。以下结合附图和具体实施例对本专利技术进行详细描述，但不作为对本专利技术的限定。 附图说明图1为现有太阳能芯片的构造示意图；图2为本专利技术一实施例的太阳能芯片的抗反射层的检测方法的步骤流程图；图3为本专利技术一实施例的影像数据的示意图；图4为本专利技术一实施例的抗反射层厚度与色度的关系图；图5为本专利技术一实施例的太阳能芯片的抗反射层的检测装置的构造示意图；图6为本专利技术一实施例的检测装置的白色光源的波长分布图。其中，附图标记10太阳能芯片IlN型半导体材料13P型半导体材料 15抗反射层17导电线19导电线30影像数据40检测装置43摄像单元31影像单元 41输送单元 45运算单元47发光单元 49检测单元 具体实施例方式下面结合附图对本专利技术的结构原理和工作原理作具体的描述请参阅图2，为本专利技术太阳能芯片的抗反射层的检测方法一实施例的步骤流程图。 并请同时参阅图1及图3，一般的太阳能芯片10表面会设置有一抗反射层15，本专利技术主要 用以对太阳能芯片10进行影像的撷取，以得知太阳能芯片10的颜色，之后再对太阳能芯片 10的颜色进行分析，以得知太阳能芯片10的抗反射层15的厚度。在使用时可先对太阳能芯片10进行影像的撷取，并产生一太阳能芯片10的影像 数据30，如步骤21所示，在此一步骤进行时可将白色光源投射在太阳能芯片10的抗反射层 15上，并对太阳能芯片10设置有抗反射层15的一面进行摄像。在对影像数据30进行分析时，可将影像数据30区分成多个影像单元31，并进一步 取得各个或部分影像单元31上的色度(Hue)，如步骤23所示。在本专利技术一较佳实施例中， 可由影像数据30得知各个或部分影像单元31的颜色，如各个或部分影像单元31的RGB数 值，而后再将各个或部分影像单元31的RGB数值转换到HSV (Hue色度、Saturation饱和度、 Value亮度)的色彩空间，以取得各个或部分影像单元31的色度。影像数据30可为由数字相机所撷取的数字数据，其中影像数据30由多个像素 (pixel)所组成，且影像单元31可包括有至少一像素，例如影像单元31可由单一个像素所 构成，并可直接将影像数据30的各个或部分像素的RGB数值转换到HSV的色彩空间，以得 知各个或部分像素的色度。在不同实施例中影像单元31亦可由多个像素所构成，则影像单元31的色度则可 以是多个像素的色度的平均。此外，当影像单元31内包括有多个像素时，亦可仅对各个或 部分影像单元31内其中一个像素进行抽检，并以取得的像素的色度代表该影像单本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种太阳能芯片的抗反射层厚度的检测方法，其特征在于，包括有以下步骤：对一太阳能芯片进行影像撷取，并产生一影像数据，其中该太阳能芯片表面设置有一抗反射层；将该影像数据区分成多个影像单元，并取得该影像单元的色度；及由该影像单元的色度推算出该抗反射层的厚度。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王琼姿，
申请(专利权)人：立晔科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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