【技术实现步骤摘要】
本技术涉及mos半导体，具体涉及沟槽式功率mos半导体器件。
技术介绍
1、mos半导体器件是栅控型多子导电器件，具有功耗低、开关速度快、驱动能力强、负温度系数等优点，被广泛用于各种功率电子系统的电源模块，起着功率变换或功率转换的作用，是功率集成电路及功率集成系统的核心元器件之一；
2、现在的沟槽式高功率mos半导体器件，在生产后，其mos半导体下端设置有多组引脚，通过引脚与电路板进行连接，从而实现mos半导体的运用，但是mos半导体引脚较长，在安装前容易出现引脚的弯曲，从而影响mos半导体安装；
3、因此对于现有mos半导体器件的改进，设计一种新型mos半导体器件以改变上述技术缺陷，提高整体mos半导体器件的实用性，显得尤为重要。
技术实现思路
1、本技术的目的在于提供沟槽式功率mos半导体器件，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
2、为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：
3、沟槽式功率mos半导体器件，包括mos半导体主体，所述mos半导体主体的外侧滑动连接有防护壳，所述防护壳的内部且位于mos半导体主体的左右两侧设有伸缩机构，所述mos半导体主体的底部设有三组引脚，所述mos半导体主体的底部且位于引脚的外侧套设有防护架。
4、所述伸缩机构包括伸缩杆，所述伸缩杆转动连接与防护壳的内部且位于mos半导体主体的左侧，所述防护壳的顶部且位于伸缩杆相对应的位置处设有旋钮，所述防护壳的内部且位于mos半导体主体的右侧设有滑动柱
5、作为本技术优选的方案，所述伸缩杆贯穿防护壳并与旋钮进行连接，所述mos半导体主体的右侧且位于滑动柱的外侧滑动连接有滑动块。
6、作为本技术优选的方案，所述防护壳的内部且位于伸缩杆和滑动柱相对应的位置处均设有固定块，两组所述固定块之间的内部结构大小与mos半导体主体的外部结构大小呈相对应设置。
7、作为本技术优选的方案，所述mos半导体主体的左右两侧且位于防护架相对应的位置处开设有限位槽，所述防护架的内部且位于两组限位槽相对应的位置处均设有限位块。
8、作为本技术优选的方案，所述防护架的底部且位于三组引脚相对应的位置处开设有安装槽,两组所述限位块的外部结构大小与两组限位槽的内部结构大小呈相对应设置。
9、作为本技术优选的方案，所述防护壳的左右两侧且位于固定块相对应的位置处均开设有两组固定槽，两组所述固定槽的内部均螺纹连接有固定件，若干个所述固定件均贯穿防护壳和滑动块并延伸至滑动块的内部。
10、与现有技术相比，本技术的有益效果是：
11、1、本技术中，通过防护壳、mos半导体主体以及伸缩机构的设计，防护壳可以对mos半导体主体起到防护作用，同时实现了对垂直功率mos半导体进行收纳保护的功能，改变了壳体对垂直功率mos半导体的收纳方式，使得工作人员需要使用垂直功率mos半导体时，可以方便快捷地将垂直功率mos半导体从壳体内取出，节省了工作人员的时间和精力，提升了工作人员的工作效率。
12、2、本技术中，通过防护架和引脚的设计，防护架对引脚起到一定的防护效果，可以有效的防止引脚弯曲。
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1.沟槽式功率MOS半导体器件，包括MOS半导体主体(1)，其特征在于：所述MOS半导体主体(1)的外侧滑动连接有防护壳(2)，所述防护壳(2)的内部且位于MOS半导体主体(1)的左右两侧设有伸缩机构(3)，所述MOS半导体主体(1)的底部设有三组引脚(4)，所述MOS半导体主体(1)的底部且位于引脚(4)的外侧套设有防护架(5)；
2.根据权利要求1所述的沟槽式功率MOS半导体器件，其特征在于：所述伸缩杆(301)贯穿防护壳(2)并与旋钮(302)进行连接，所述MOS半导体主体(1)的右侧且位于滑动柱(303)的外侧滑动连接有滑动块(305)。
3.根据权利要求1所述的沟槽式功率MOS半导体器件，其特征在于：所述防护壳(2)的内部且位于伸缩杆(301)和滑动柱(303)相对应的位置处均设有固定块(306)，两组所述固定块(306)之间的内部结构大小与MOS半导体主体(1)的外部结构大小呈相对应设置。
4.根据权利要求1所述的沟槽式功率MOS半导体器件，其特征在于：所述MOS半导体主体(1)的左右两侧且位于防护架(5)相对应的位置处开设有限位槽
5.根据权利要求4所述的沟槽式功率MOS半导体器件，其特征在于：所述防护架(5)的底部且位于三组引脚(4)相对应的位置处开设有安装槽(501),两组所述限位块的外部结构大小与两组限位槽(101)的内部结构大小呈相对应设置。
6.根据权利要求2所述的沟槽式功率MOS半导体器件，其特征在于：所述防护壳(2)的左右两侧且位于固定块(306)相对应的位置处均开设有两组固定槽(307)，两组所述固定槽(307)的内部均螺纹连接有固定件(308)，若干个所述固定件(308)均贯穿防护壳(2)和滑动块(305)并延伸至滑动块(305)的内部。
...【技术特征摘要】
1.沟槽式功率mos半导体器件，包括mos半导体主体(1)，其特征在于：所述mos半导体主体(1)的外侧滑动连接有防护壳(2)，所述防护壳(2)的内部且位于mos半导体主体(1)的左右两侧设有伸缩机构(3)，所述mos半导体主体(1)的底部设有三组引脚(4)，所述mos半导体主体(1)的底部且位于引脚(4)的外侧套设有防护架(5)；
2.根据权利要求1所述的沟槽式功率mos半导体器件，其特征在于：所述伸缩杆(301)贯穿防护壳(2)并与旋钮(302)进行连接，所述mos半导体主体(1)的右侧且位于滑动柱(303)的外侧滑动连接有滑动块(305)。
3.根据权利要求1所述的沟槽式功率mos半导体器件，其特征在于：所述防护壳(2)的内部且位于伸缩杆(301)和滑动柱(303)相对应的位置处均设有固定块(306)，两组所述固定块(306)之间的内部结构大小与mos半导体主体(1)的外部结构大小...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴岩，茅寅松，
申请(专利权)人：上海安导电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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