【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体加工，更具体地说，它涉及基于晶圆曲翘变化的照片曝光偏移补偿控制方法及装置。
技术介绍
1、晶圆加工一般是先将晶圆适当清洗，再在其表面进行氧化及化学气相沉积，然后进行涂膜、曝光、显影、蚀刻、离子植入、金属溅镀等反复步骤，最终在晶圆上完成数层电路及元件加工与制作。
2、目前，在照片曝光之前，采用真空检查来对晶圆施加物理力以保持晶圆表面平整；而在照相过程中，采用真空卡盘曝光，晶圆翘曲由于胶片质量不发生在照相过程和叠加测量过程中。然而，在随后的蚀刻过程中，由于使用esc(静电卡盘)的晶圆保持过程，晶圆自身的曲折将在这里得到恢复，如图1所示。在蚀刻过程中，光照形成的图形不能同样形成，而且在晶圆中不能均匀形成图形，造成晶圆边缘adi/aci倾斜的问题越大。
3、因此，如何研究设计一种能够克服上述缺陷的基于晶圆曲翘变化的照片曝光偏移补偿控制方法及装置是我们目前急需解决的问题。
技术实现思路
1、为解决现有技术中的不足，本专利技术的目的是提供基于晶圆曲翘变化的照片曝光偏移补偿控制方法及装置，在照片曝光之前，测量沉积掩模后所形成的晶圆翘曲，结合晶圆曲翘和照片曝光的尺寸参数计算晶圆各处的曝光偏移补偿值，并依据曝光偏移补偿值对照片曝光位置和宽度进行预先调整，使得晶圆翘曲恢复后进行晶圆蚀刻时的位置与照片曝光对齐，有效保证了晶圆各处图形能够均匀稳定的形成，同时避免出现晶圆边缘adi/aci倾斜越来越大的情况。
2、本专利技术的上述技术目的是通过以下技术
3、第一方面，提供了基于晶圆曲翘变化的照片曝光偏移补偿控制方法，包括以下步骤：
4、沉积掩模后测量照片曝光前的晶圆曲翘；
5、结合晶圆曲翘和照片曝光的尺寸参数计算晶圆各处的曝光偏移补偿值；
6、依据曝光偏移补偿值对晶圆照片曝光进行偏移补偿控制。
7、进一步的，所述晶圆曲翘包括晶圆表面各处图案发生曲翘后最高点与最低点之间高度差的曲翘高度。
8、进一步的，所述照片曝光的尺寸参数包括晶圆表面各处图案的宽度值以及相邻图案的间隔值。
9、进一步的，所述曝光偏移补偿值的计算过程具体为：
10、依据晶圆表面图案发生曲翘后最高点与最低点之间高度差的曲翘高度以及晶圆表面图案的宽度值进行反正弦计算，得到晶圆曲翘的曲翘角度；
11、依据曲翘角度和晶圆表面图案的宽度值进行余弦计算，得到补偿控制后照片曝光总宽度；
12、以照片曝光总宽度与晶圆表面图案的宽度值之差计算得到对应图案进行照片曝光的曝光偏移补偿值。
13、进一步的，所述晶圆照片曝光进行偏移补偿控制时，从晶圆曲翘中心向两侧进行偏移补偿，且晶圆表面图案相对于晶圆曲翘中心的整体位置偏移量等于当前图案与晶圆曲翘中心之间所有图案的曝光偏移补偿值之和。
14、进一步的，所述曝光偏移补偿值的计算公式具体为：
15、
16、其中，δl表示曝光偏移补偿值；l表示晶圆表面图案的宽度值；δh表示晶圆表面图案发生曲翘后最高点与最低点之间高度差的曲翘高度。
17、进一步的，该方法还包括：
18、测量照片曝光后的晶圆曲翘；
19、依据照片曝光前后的晶圆曲翘变化对下一次补偿控制的曝光偏移补偿值进行二次补偿控制。
20、进一步的，该方法还包括：
21、分别测量照片曝光后和蚀刻后的晶圆曲翘；
22、依据照片曝光后和蚀刻后的晶圆曲翘变化对下一次补偿控制的曝光偏移补偿值进行修正。
23、进一步的，该方法还包括：
24、分别测量照片曝光后和蚀刻后的晶圆曲翘；
25、依据照片曝光前后的晶圆曲翘变化对下一次补偿控制的曝光偏移补偿值进行二次补偿控制；
26、以及，依据照片曝光后和蚀刻后的晶圆曲翘变化对下一次补偿控制的曝光偏移补偿值进行修正。
27、第二方面，提供了基于晶圆曲翘变化的照片曝光偏移补偿控制装置，包括：
28、曲翘测量模块，用于在沉积掩模后测量照片曝光前的晶圆曲翘；
29、补偿计算模块，用于结合晶圆曲翘和照片曝光的尺寸参数计算晶圆各处的曝光偏移补偿值；
30、补偿控制模块，用于依据曝光偏移补偿值对晶圆照片曝光进行偏移补偿控制。
31、与现有技术相比，本专利技术具有以下有益效果：
32、1、本专利技术提供的基于晶圆曲翘变化的照片曝光偏移补偿控制方法，在照片曝光之前，测量沉积掩模后所形成的晶圆翘曲，结合晶圆曲翘和照片曝光的尺寸参数计算晶圆各处的曝光偏移补偿值，并依据曝光偏移补偿值对照片曝光位置和宽度进行预先调整，使得晶圆翘曲恢复后进行晶圆蚀刻时的位置与照片曝光对齐，有效保证了晶圆各处图形能够均匀稳定的形成，同时避免出现晶圆边缘adi/aci倾斜越来越大的情况；
33、2、本专利技术在进行曝光偏移补偿值计算时，仅需要结合晶圆曲翘和照片曝光的尺寸参数即可完成计算，并通过间隔值完成叠加偏移，利于晶圆批量加工；
34、3、本专利技术还依据照片曝光前后的晶圆曲翘变化对下一次补偿控制的曝光偏移补偿值进行二次补偿控制，可有效削弱晶圆曲翘恢复差异所导致的偏移补偿误差影响；
35、4、本专利技术依据照片曝光后和蚀刻后的晶圆曲翘变化对下一次补偿控制的曝光偏移补偿值进行修正，可对蚀刻过程所产生的晶圆翘曲进行预先修正，进一步保证了蚀刻的精确度。
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1.基于晶圆曲翘变化的照片曝光偏移补偿控制方法，其特征是，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的基于晶圆曲翘变化的照片曝光偏移补偿控制方法，其特征是，所述晶圆曲翘包括晶圆表面各处图案发生曲翘后最高点与最低点之间高度差的曲翘高度。
3.根据权利要求1所述的基于晶圆曲翘变化的照片曝光偏移补偿控制方法，其特征是，所述照片曝光的尺寸参数包括晶圆表面各处图案的宽度值以及相邻图案的间隔值。
4.根据权利要求1所述的基于晶圆曲翘变化的照片曝光偏移补偿控制方法，其特征是，所述曝光偏移补偿值的计算过程具体为：
5.根据权利要求4所述的基于晶圆曲翘变化的照片曝光偏移补偿控制方法，其特征是，所述晶圆照片曝光进行偏移补偿控制时，从晶圆曲翘中心向两侧进行偏移补偿，且晶圆表面图案相对于晶圆曲翘中心的整体位置偏移量等于当前图案与晶圆曲翘中心之间所有图案的曝光偏移补偿值之和。
6.根据权利要求4所述的基于晶圆曲翘变化的照片曝光偏移补偿控制方法，其特征是，所述曝光偏移补偿值的计算公式具体为：
7.根据权利要求1所述的基于晶圆曲翘变化的照片曝
8.根据权利要求1所述的基于晶圆曲翘变化的照片曝光偏移补偿控制方法，其特征是，该方法还包括：
9.根据权利要求1所述的基于晶圆曲翘变化的照片曝光偏移补偿控制方法，其特征是，该方法还包括：
10.基于晶圆曲翘变化的照片曝光偏移补偿控制装置，其特征是，包括：
...【技术特征摘要】
1.基于晶圆曲翘变化的照片曝光偏移补偿控制方法，其特征是，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的基于晶圆曲翘变化的照片曝光偏移补偿控制方法，其特征是，所述晶圆曲翘包括晶圆表面各处图案发生曲翘后最高点与最低点之间高度差的曲翘高度。
3.根据权利要求1所述的基于晶圆曲翘变化的照片曝光偏移补偿控制方法，其特征是，所述照片曝光的尺寸参数包括晶圆表面各处图案的宽度值以及相邻图案的间隔值。
4.根据权利要求1所述的基于晶圆曲翘变化的照片曝光偏移补偿控制方法，其特征是，所述曝光偏移补偿值的计算过程具体为：
5.根据权利要求4所述的基于晶圆曲翘变化的照片曝光偏移补偿控制方法，其特征是，所述晶圆照片曝光进行偏移补偿控制时，从晶...
【专利技术属性】
技术研发人员：崔栽榮，郑锺浩，曹台勋，
申请(专利权)人：成都高真科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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