System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种主动整流倍压电路制造技术_技高网

一种主动整流倍压电路制造技术

技术编号:40366009 阅读:15 留言:0更新日期:2024-02-20 22:12
本发明专利技术公开了一种主动整流倍压电路,包括开关单元Q1、电容EC1、电容EC2、第一整流单元D1、第二整流单元D2,所述电容EC1的一端与第一整流单元D1的输出端连接,另一端分别与开关单元Q1的第一端和电容EC2的一端连接,电容EC2的另一端与第二整流单元D2的输入端连接;上述主动整流倍压电路,通过开关单元Q1的设置,使用一个开关单元Q1就可以替代原来2个开关管,降低了整个电路的体积和成本,同时通过开关单元Q1可以抑制开关机浪涌电流;通过电容EC1和电容EC2的设置,将滤波大电容由400V,可以改为100V‑400V之间,并在低压输入时,倍压后依然可以保持高电压输入,提高了效率,减小了电路的体积。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及整流电路的,具体为一种主动整流倍压电路


技术介绍

1、随着氮化镓的应用普及,对充电器的充电效率要求变得更高,器件体积要求则越来越小。目前,现有的主动整流电路都是需要用到2个开关管替代原来桥式整流里面的2个二极管,而且滤波电容都是使用电压为400v的滤波大电容,造成整个整流电路的体积偏大、成本偏高。


技术实现思路

1、基于此,有必要提供一种主动整流倍压电路。

2、一种主动整流倍压电路,包括开关单元q1、电容ec1、电容ec2、第一整流单元d1、第二整流单元d2,所述电容ec1的一端与第一整流单元d1的输出端连接,另一端分别与开关单元q1的第一端和电容ec2的一端连接,电容ec2的另一端与第二整流单元d2的输入端连接。

3、在其中一个实施例中,所述开关单元q1为mos管或三极管或氮化镓中的一种。

4、在其中一个实施例中,所述第一整流单元d1和第二整流单元d2为二极管或整流桥中的一种。

5、在其中一个实施例中,所述电容ec1和电容ec2为高耐压低容量电解电容。

6、在其中一个实施例中,所述电容ec1的电压为100v-400v。

7、在其中一个实施例中,所述电容ec2的电压为100v-400v。

8、上述主动整流倍压电路,通过开关单元q1的设置,使用一个开关单元q1就可以替代原来2个开关管,降低了整个电路的体积和成本,同时通过开关单元q1可以抑制开关机浪涌电流;通过电容ec1和电容ec2的设置,将滤波大电容由400v,可以改为100v-400v之间,并在低压输入时,倍压后依然可以保持高电压输入,提高了效率,减小了电路的体积。

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【技术保护点】

1.一种主动整流倍压电路,其特征在于:包括开关单元Q1、电容EC1、电容EC2、第一整流单元D1、第二整流单元D2,所述电容EC1的一端与第一整流单元D1的输出端连接,另一端分别与开关单元Q1的第一端和电容EC2的一端连接,电容EC2的另一端与第二整流单元D2的输入端连接。

2.根据权利要求1所述的一种主动整流倍压电路,其特征在于:所述开关单元Q1为MOS管或三极管或氮化镓中的一种。

3.根据权利要求1所述的一种主动整流倍压电路,其特征在于:所述第一整流单元D1和第二整流单元D2为二极管或整流桥中的一种。

4.根据权利要求1所述的一种主动整流倍压电路,其特征在于:所述电容EC1和电容EC2为高耐压低容量电解电容。

5.根据权利要求4所述的一种主动整流倍压电路,其特征在于:所述电容EC1的电压为100V-400V。

6.根据权利要求4所述的一种主动整流倍压电路,其特征在于:所述电容EC2的电压为100V-400V。

【技术特征摘要】

1.一种主动整流倍压电路,其特征在于:包括开关单元q1、电容ec1、电容ec2、第一整流单元d1、第二整流单元d2,所述电容ec1的一端与第一整流单元d1的输出端连接,另一端分别与开关单元q1的第一端和电容ec2的一端连接,电容ec2的另一端与第二整流单元d2的输入端连接。

2.根据权利要求1所述的一种主动整流倍压电路,其特征在于:所述开关单元q1为mos管或三极管或氮化镓中的一种。

3.根据权利要求1所述的一种主...

【专利技术属性】
技术研发人员:黄桂
申请(专利权)人:深圳市和宏实业股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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