【技术实现步骤摘要】
本公开实施例涉及光通信和光电子领域，尤其涉及一种调制器及其制作方法。
技术介绍
1、近年来，硅光技术以惊人的速度发展，成为当今光通信和光电子设备的焦点。硅基光电子技术是将光子和电子共同作为信息载体，基于硅或者与硅兼容材料的工艺平台，发展起来的大规模光电集成技术。硅光技术最有望成为光电集成的主要平台，广泛用于高速光互连的电路和芯片级的数据通信。
2、调制器在光通信和光电子设备中具有广泛的应用，但在提高性能方面仍存在一些挑战。
技术实现思路
1、根据本公开实施例的第一方面，提供一种调制器，包括：
2、第一掺杂波导，包括：依次排布的第一掺杂部、至少一个第二掺杂部和第三掺杂部；其中，所述第一掺杂部的厚度和所述第三掺杂部的厚度均大于所述第二掺杂部的厚度；所述第一掺杂部、所述第二掺杂部、所述第三掺杂部的排布方向和所述第一掺杂波导的厚度方向垂直；
3、第二掺杂波导，与所述第一掺杂波导接触，包括：第四掺杂部和第五掺杂部；其中，所述第四掺杂部位于所述第一掺杂部和所述第五掺杂部之间，所述第四掺杂部的厚度和所述第一掺杂部的厚度相同，所述第五掺杂部的厚度小于或者等于所述第四掺杂部的厚度；所述第二掺杂波导的导电类型和所述第一掺杂波导的导电类型不同。
4、在一些实施例中，所述第五掺杂部的厚度等于所述第四掺杂部的厚度；所述第二掺杂波导还包括：
5、至少一个第六掺杂部，位于所述第四掺杂部和所述第五掺杂部之间；其中，所述第四掺杂部的厚度和所述第五掺杂部的厚
6、在一些实施例中，所述第二掺杂波导包括多个所述第六掺杂部；其中，沿所述第四掺杂部指向所述第五掺杂部的方向，多个所述第六掺杂部的厚度递增。
7、在一些实施例中，沿所述第四掺杂部指向所述第五掺杂部的方向，多个所述第六掺杂部的掺杂浓度递增；其中，所述第四掺杂部的掺杂浓度小于或等于多个所述第六掺杂部中的最小掺杂浓度；所述第五掺杂部的掺杂浓度大于或等于多个所述第六掺杂部中的最大掺杂浓度。
8、在一些实施例中，所述第一掺杂波导包括多个所述第二掺杂部；其中，沿所述第一掺杂部指向所述第三掺杂部的方向，多个所述第二掺杂部的厚度递增。
9、在一些实施例中，沿所述第一掺杂部指向所述第三掺杂部的方向，多个所述第二掺杂部的掺杂浓度递增；其中，所述第一掺杂部的掺杂浓度小于或等于多个所述第二掺杂部中的最小掺杂浓度；所述第三掺杂部的掺杂浓度大于或等于多个所述第二掺杂部中的最大掺杂浓度。
10、在一些实施例中，所述第五掺杂部的厚度小于所述第四掺杂部的厚度，所述第五掺杂部各个位置处的厚度基本相同。
11、在一些实施例中，所述调制器还包括：
12、第一电极层，位于所述第三掺杂部上且与所述第三掺杂部连接；
13、第二电极层，位于所述第五掺杂部上且与所述第五掺杂部连接。
14、根据本公开实施例的第二方面，提供一种调制器的制作方法，包括：
15、形成第一掺杂波导，所述第一掺杂波导包括依次排布的第一掺杂部、至少一个第二掺杂部和第三掺杂部；其中，所述第一掺杂部的厚度和所述第三掺杂部的厚度均大于所述第二掺杂部的厚度；所述第一掺杂部、所述第二掺杂部、所述第三掺杂部的排布方向和所述第一掺杂波导的厚度方向垂直；
16、形成与所述第一掺杂波导接触的第二掺杂波导，所述第二掺杂波导包括第四掺杂部和第五掺杂部；其中，所述第四掺杂部位于所述第一掺杂部和所述第五掺杂部之间，所述第四掺杂部的厚度和所述第一掺杂部的厚度相同，所述第五掺杂部的厚度小于或者等于所述第四掺杂部的厚度；所述第二掺杂波导的导电类型和所述第一掺杂波导的导电类型不同。
17、在一些实施例中，所述第五掺杂部的厚度等于所述第四掺杂部的厚度；所述形成与所述第一掺杂波导接触的第二掺杂波导，包括：
18、在所述第四掺杂部和所述第五掺杂部之间形成至少一个第六掺杂部；其中，所述第四掺杂部的厚度和所述第五掺杂部的厚度均大于所述第六掺杂部的厚度。
19、本公开实施例中，通过设置第一掺杂波导包括依次排布的第一掺杂部、至少一个第二掺杂部和第三掺杂部，第一掺杂部的厚度和第三掺杂部的厚度均大于第二掺杂部的厚度，可在第一脊波导的一侧设置厚度渐变波导，并且相对靠近第一脊波导的波导部分的厚度较薄，相对远离第一脊波导的波导部分的厚度较厚，如此，使得调制器在保持高效的模式限制效果的同时，降低串联电阻，提升调制器的带宽和调制效率，进而提升调制器的性能。
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1.一种调制器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的调制器，其特征在于，所述第五掺杂部的厚度等于所述第四掺杂部的厚度；所述第二掺杂波导还包括：
3.根据权利要求2所述的调制器，其特征在于，所述第二掺杂波导包括多个所述第六掺杂部；其中，沿所述第四掺杂部指向所述第五掺杂部的方向，多个所述第六掺杂部的厚度递增。
4.根据权利要求3所述的调制器，其特征在于，沿所述第四掺杂部指向所述第五掺杂部的方向，多个所述第六掺杂部的掺杂浓度递增；其中，所述第四掺杂部的掺杂浓度小于或等于多个所述第六掺杂部中的最小掺杂浓度；所述第五掺杂部的掺杂浓度大于或等于多个所述第六掺杂部中的最大掺杂浓度。
5.根据权利要求1或2所述的调制器，其特征在于，所述第一掺杂波导包括多个所述第二掺杂部；其中，沿所述第一掺杂部指向所述第三掺杂部的方向，多个所述第二掺杂部的厚度递增。
6.根据权利要求5所述的调制器，其特征在于，沿所述第一掺杂部指向所述第三掺杂部的方向，多个所述第二掺杂部的掺杂浓度递增；其中，所述第一掺杂部的掺杂浓度小于或等于多个所述第二掺杂部中的
7.根据权利要求1所述的调制器，其特征在于，所述第五掺杂部的厚度小于所述第四掺杂部的厚度，所述第五掺杂部各个位置处的厚度基本相同。
8.根据权利要求1所述的调制器，其特征在于，所述调制器还包括：
9.一种调制器的制作方法，其特征在于，包括：
10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述第五掺杂部的厚度等于所述第四掺杂部的厚度；所述形成与所述第一掺杂波导接触的第二掺杂波导，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种调制器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的调制器，其特征在于，所述第五掺杂部的厚度等于所述第四掺杂部的厚度；所述第二掺杂波导还包括：
3.根据权利要求2所述的调制器，其特征在于，所述第二掺杂波导包括多个所述第六掺杂部；其中，沿所述第四掺杂部指向所述第五掺杂部的方向，多个所述第六掺杂部的厚度递增。
4.根据权利要求3所述的调制器，其特征在于，沿所述第四掺杂部指向所述第五掺杂部的方向，多个所述第六掺杂部的掺杂浓度递增；其中，所述第四掺杂部的掺杂浓度小于或等于多个所述第六掺杂部中的最小掺杂浓度；所述第五掺杂部的掺杂浓度大于或等于多个所述第六掺杂部中的最大掺杂浓度。
5.根据权利要求1或2所述的调制器，其特征在于，所述第一掺杂波导包括多个所述第二掺杂部；其中，沿所述第一掺杂部指向所述第三掺杂...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘佳，周佩奇，陈冲，周子涵，刘晔，刘阳，刘敏，陈代高，肖希，
申请(专利权)人：武汉光谷信息光电子创新中心有限公司，
类型：发明
国别省市：
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