【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光通信器件领域，尤其涉及一种新型电极下沉式薄膜铌酸锂调制器。
技术介绍
1、铌酸锂材料因其优良的电光效应和非线性光学效应性能，在电光调制器、光开关、高电压传感器和光参量振荡器等器件中得到了广泛应用。此外，铌酸锂材料的物理化学性能稳定，加工容易，光透过范围宽，具有较大的双折射，容易制备高质量的光波导。
2、因此，基于铌酸锂材料的光调制器在长距离通信中具有无可比拟的优势，如很小的啁啾(chirp)效应、高调制带宽、良好消光比和相当优越的稳定性。这些特点使其在高速高带宽的长距离通信中得到了广泛应用。
3、而传统的体铌酸锂调制器强电光交互性能差，具有调制效率低、器件尺寸大等缺点。这些缺点限制了传统铌酸锂调制器的微型化和单片集成能力。相比之下，薄膜铌酸锂调制器能够实现更高的集成度和更好的性能。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种新型电极下沉式薄膜铌酸锂调制器，解决了降低波导损耗，并且提高调制效率的问题。
2、为实现上述目的，本专利技术提供了一种新型电极下沉式薄膜铌酸锂调制器，包括衬底层、低折射率下盖层、薄膜铌酸锂层、低折射率上盖层和电极组件；所述低折射率下盖层与所述衬底层连接，并位于所述衬底层的一侧，所述薄膜铌酸锂层与所述低折射率下盖层连接，并位于所述低折射率下盖层远离所述衬底层的一侧，所述低折射率上盖层与所述薄膜铌酸锂层连接，并位于所述薄膜铌酸锂层远离所述低折射率下盖层的一侧，所述电极组件设置在所述薄膜铌酸锂层上，并位于所述薄膜
3、其中，所述电极组件包括信号电极和两个接地电极，所述信号电极与所述薄膜铌酸锂层连接，并位于所述薄膜铌酸锂层与所述低折射率上盖层之间；所述接地电极与所述薄膜铌酸锂层连接，并位于所述薄膜铌酸锂层靠近所述信号电极的一侧，两个所述接地电极分别位于所述信号电极的两侧。
4、其中，所述薄膜铌酸锂层采用脊型波导的结构内部夹角为75°上边宽度为1.5um，下边宽度为1.645um。
5、其中，所述薄膜铌酸锂层厚度为0.6um，刻蚀深度为0.3um，非寻常光折射率为ne＝2.1376，寻常光折射率no＝2.2111，相对介电常数为εe＝27.9，εo＝44.3。
6、其中，所述信号电极和所述接地电极均由金制成，并且厚度相同，均为0.9um，所述信号电极与所述接地电极之间的间距为5um。
7、其中，所述信号电极和两个所述接地电极位置均向下刻蚀0.12um，使得所述薄膜铌酸锂层呈现阶梯型变换的形状。
8、其中，所述低折射率上盖层由二氧化硅制成，厚度为0.8um，折射率为1.44，相对介电常数为3.9。
9、本专利技术的一种新型电极下沉式薄膜铌酸锂调制器，由于下沉式电极的设计使得薄膜铌酸锂层形成阶梯式的结构，其脊波导可以更紧密地限制光学模式，对损耗有显著影响，使其减少数量级；并且由于下沉式电极的影响脊波导光场处受到的电场强度增强，从而使得电光重叠因子增加，电压长度积得到下降。改良后的结构其波导损耗低至0.05db/cm，电光重叠银子提高至1.2，电压长度积下降至1.94v·cm，实现降低波导损耗，并且提高调制效率的目的。
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1.一种新型电极下沉式薄膜铌酸锂调制器，其特征在于，包括衬底层、低折射率下盖层、薄膜铌酸锂层、低折射率上盖层和电极组件；
2.如权利要求1所述的新型电极下沉式薄膜铌酸锂调制器，其特征在于，
3.如权利要求2所述的新型电极下沉式薄膜铌酸锂调制器，其特征在于，
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【技术特征摘要】
1.一种新型电极下沉式薄膜铌酸锂调制器，其特征在于，包括衬底层、低折射率下盖层、薄膜铌酸锂层、低折射率上盖层和电极组件；
2.如权利要求1所述的新型电极下沉式薄膜铌酸锂调制器，其特征在于，
3.如权利要求2所述的新型电极下沉式薄膜铌酸锂调制器，其特征在于，
4.如...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨万里，李翰宇，李海鸥，尹怡辉，谢仕锋，李跃，谢佳一，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第三十四研究所，
类型：发明
国别省市：
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