【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于电子铜箔表面处理，尤其涉及一种电子铜箔的表面处理工艺。
技术介绍
1、目前世界范围内电子铜箔的防氧化处理均采用铜箔表面镀铬的工艺，现有技术镀铬槽中电镀液只含有铬离子，镀铬后必须采用大量的纯水进行漂洗，否则会引起铜箔的外观缺陷，比如大量花斑，且水洗会消耗大量纯水，且水洗后会产生大量的含铬废水，含铬废水的处理成本高，含铬废水的排放也是国家重点排放指标，非常不利于环保验收。因此，亟需研发一种新的工艺来解决这些问题。
技术实现思路
1、为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种电子铜箔的表面处理工艺，表面处理工艺中采用的镀铬液中加入了咪唑，镀铬液中的铬离子以配位键与咪唑连接而形成含有铬离子的杂环(螯环)，而螯环的形成使螯合物比组成和结构相近的非螯合络合物具有更大的稳定性，因为铬离子和咪唑形成的螯合物比较稳定，所以即使不经过水系工序仍然不会造成外观缺陷。
2、本专利技术的目的是提供一种电子铜箔的表面处理工艺，包括以下步骤，
3、s1、对待电镀电子铜箔进行酸洗、粗化和固化处理，完成预处理；
4、s2、在预处理后的待电镀电子铜箔的表面镀锌和/或镀镍；
5、s3、将镀基层后的待电镀电子铜箔放入含有镀铬液的电镀槽中进行电镀；所述镀铬液包括以下组分：铬酸盐、硫酸和咪唑；
6、s4、在电镀后的电子铜箔表面涂覆硅烷偶联剂，经烘干完成对电子铜箔的表面处理。
7、在本专利技术的一个实施例中，在s1中，所述酸洗的条件为：酸洗液中
8、在本专利技术的一个实施例中，在s1中，所述粗化的条件为：粗化液中硫酸浓度100g/l-120g/l，铜离子浓度为16g/l-20g/l；流量为12m3/h-20m3/h，电流密度为2000a/m2-3000a/m2，温度为20℃-25℃。
9、在本专利技术的一个实施例中，在s1中，所述固化的条件为：固化液中硫酸浓度为60g/l-90g/l，铜离子浓度为60g/l-70g/l；流量为12m3/h-20m3/h，电流密度为2500a/m2-3500a/m2，温度为35℃-40℃。
10、在本专利技术的一个实施例中，在s2中，所述镀锌的条件为：镀锌液中锌离子浓度为4g/l-5g/l，焦磷酸钾为100ppm-120ppm；流量为5m3/h-8m3/h，电流密度为50a/m2-100a/m2，温度为25℃-32℃，ph为9-10。
11、在本专利技术的一个实施例中，在s3中，所述铬酸盐选自铬酸酐。
12、在本专利技术的一个实施例中，在s3中，所述镀铬液中各组分浓度为：铬酸盐为0.6g/l-0.9g/l、硫酸为0.8g/l-1.2g/l和咪唑为2g/l-10g/l。
13、在本专利技术的一个实施例中，在s3中，所述镀铬液通过以下方法制备得到：将铬酸盐、硫酸和螯合剂溶于水中，混匀得到所述镀铬液。
14、在本专利技术的一个实施例中，在s3中，所述电镀的工艺参数为：温度为20℃-50℃，ph为2-3，电流密度为2.0-8.0a/dm2。
15、在本专利技术的一个实施例中，在s4中，所述硅烷偶联剂选自kh-403和/或kbm-506。
16、在本专利技术的一个实施例中，在s4中，所述烘干的温度为250℃-300℃。
17、本专利技术的技术方案相比现有技术具有以下优点：
18、(1)本专利技术所述的表面处理工艺采用的镀铬液以咪唑作为螯合剂，在铜箔表面与铜进行螯合，形成稳定的螯合防氧化层；采用咪唑作为螯合剂，螯合能力较强，螯合物较耐高温。咪唑基铜箔防氧化添加剂可以在铜箔表面形成螯合防氧化层能形成致密的结构组成的致密的抗氧化层，从而实现对铜箔的防氧化。
19、(2)本专利技术所述的表面处理工艺采用的镀铬液中加入的硫酸可以提高镀液的电流效率，使镀液有良好的分散能力和吸着力，以保证镀铬层的均匀性，使产品在无水洗的情况下表面不出现条纹等外观缺陷，镀铬液中加入的咪唑可以对镀铬层形成一层有效的防护膜，保证产品的防氧化性能良好。
20、(3)本专利技术所述的表面处理工艺采用镀铬液进行电镀防氧化后无需水洗，可节省大量的纯水，不会产生含铬废水，减少废水处理成本及排放达到清洁生产，减少了对环境的污染。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种电子铜箔的表面处理工艺，其特征在于，包括以下步骤，
2.根据权利要求1所述的电子铜箔的表面处理工艺，其特征在于，在S1中，所述酸洗的条件为：酸洗液中硫酸浓度为190g/L-200g/L；流量为12m3/h-20m3/h，温度为40℃-50℃。
3.根据权利要求1所述的电子铜箔的表面处理工艺，其特征在于，在S1中，所述粗化的条件为：粗化液中硫酸浓度100g/L-120g/L，铜离子浓度为16g/L-20g/L；流量为12m3/h-20m3/h，电流密度为2000A/m2-3000A/m2，温度为20℃-25℃。
4.根据权利要求1所述的电子铜箔的表面处理工艺，其特征在于，在S1中，所述固化的条件为：固化液中硫酸浓度为60g/L-90g/L，铜离子浓度为60g/L-70g/L；流量为12m3/h-20m3/h，电流密度为2500A/m2-3500A/m2，温度为35℃-40℃。
5.根据权利要求1所述的电子铜箔的表面处理工艺，其特征在于，在S3中，所述铬酸盐选自铬酸酐。
6.根据权利要求1所述的电子铜箔的表面处理工艺
7.根据权利要求1所述的电子铜箔的表面处理工艺，其特征在于，在S3中，所述镀铬液通过以下方法制备得到：将铬酸盐、硫酸和螯合剂溶于水中，混匀得到所述镀铬液。
8.根据权利要求1所述的电子铜箔的表面处理工艺，其特征在于，在S3中，所述电镀的工艺参数为：温度为20℃-50℃，pH为2-3，电流密度为2.0-8.0A/dm2。
9.根据权利要求1所述的电子铜箔的表面处理工艺，其特征在于，在S4中，所述硅烷偶联剂选自KH-403和/或KBM-506。
10.根据权利要求1所述的电子铜箔的表面处理工艺，其特征在于，在S4中，所述烘干的温度为250℃-300℃。
...【技术特征摘要】
1.一种电子铜箔的表面处理工艺，其特征在于，包括以下步骤，
2.根据权利要求1所述的电子铜箔的表面处理工艺，其特征在于，在s1中，所述酸洗的条件为：酸洗液中硫酸浓度为190g/l-200g/l；流量为12m3/h-20m3/h，温度为40℃-50℃。
3.根据权利要求1所述的电子铜箔的表面处理工艺，其特征在于，在s1中，所述粗化的条件为：粗化液中硫酸浓度100g/l-120g/l，铜离子浓度为16g/l-20g/l；流量为12m3/h-20m3/h，电流密度为2000a/m2-3000a/m2，温度为20℃-25℃。
4.根据权利要求1所述的电子铜箔的表面处理工艺，其特征在于，在s1中，所述固化的条件为：固化液中硫酸浓度为60g/l-90g/l，铜离子浓度为60g/l-70g/l；流量为12m3/h-20m3/h，电流密度为2500a/m2-3500a/m2，温度为35℃-40℃。
5.根据权利要求1所述的电子铜箔...
【专利技术属性】
技术研发人员：王海军，王天堂，王双陆，刘晖云，张卫强，张建彬，刘燕萍，赵欢欢，
申请(专利权)人：亨通精密铜箔科技德阳有限公司，
类型：发明
国别省市：
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