研磨垫和研磨方法技术

技术编号：40352571 阅读：11 留言：0更新日期：2024-02-09 14:37

本发明专利技术提供研磨垫和研磨方法，在对碳化硅的单晶基板进行研磨时，使研磨速率为规定值以上，并且兼顾被研磨面的划痕数量的减少和形成于被研磨面的起伏程度的降低。该研磨垫用于研磨碳化硅基板，其包含聚氨酯和由聚氨酯固定的磨粒，30℃的由损耗模量(E”)/储能模量(E’)表示的损耗角正切(tanδ)为0.1以上0.35以下，且玻璃化转变温度为40℃以上65℃以下。

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【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于研磨碳化硅基板的研磨垫和研磨碳化硅基板的研磨方法。

技术介绍

1、近年来，高耐压且能够控制大电流的所谓功率半导体器件受到关注。功率半导体器件例如形成在与硅(si)的单晶基板相比电特性良好的碳化硅(sic)的单晶基板的一面侧。

2、已知在碳化硅的单晶基板的一面侧形成功率半导体器件之前，通过化学机械研磨(cmp)对单晶基板的一面侧进行研磨而使其平坦化(例如，参照专利文献1)。在专利文献1中，记载了使用固定有磨粒的研磨垫和酸性的研磨液，提高碳化硅的单晶基板的研磨速率。

3、但是，在以往的研磨垫中，存在如下的问题：当抑制由研磨引起的损伤(划痕)的形成时，在被研磨面形成起伏，另一方面，当抑制起伏时，在被研磨面形成划痕。

4、现有技术文献

5、专利文献

6、专利文献1：日本特开2012-253259号公报

技术实现思路

1、专利技术所要解决的课题

2、本专利技术是鉴于上述问题而完成的，其目的在于，在对碳化硅的单晶基板进行研磨时，使研磨速率为规定值以上，并且兼顾被研磨面的划痕数量的减少和形成于被研磨面的起伏程度的降低。

3、用于解决课题的手段

4、根据本专利技术的一个方式，提供一种研磨垫，其用于研磨碳化硅基板，其包含聚氨酯和由该聚氨酯固定的磨粒，由损耗模量(e”)/储能模量(e’)表示的损耗角正切(tanδ)在30℃为0.1以上0.35以下，且玻璃化转变温度为40℃以上65℃以下。</p>

5、根据本专利技术的另一方式，提供一种研磨方法，其研磨碳化硅基板，其具备：保持工序，利用研磨装置的卡盘工作台对具有该碳化硅基板的被加工物进行保持；以及研磨工序，一边从具有分别为圆盘状的基底基板和研磨垫且在径向的中央部形成有贯通该基底基板和该研磨垫的贯通孔的研磨工具的该贯通孔供给研磨液，一边利用该研磨垫对该碳化硅基板进行研磨，该研磨垫包含聚氨酯和由该聚氨酯固定的磨粒，由损耗模量(e”)/储能模量(e′)表示的损耗角正切(tanδ)在30℃为0.1以上0.35以下，且玻璃化转变温度为40℃以上65℃以下。

6、专利技术效果

7、若使用本专利技术的一个方式的研磨垫对碳化硅基板进行研磨，则能够使研磨速率为规定值以上，并且兼顾被研磨面的划痕数量的减少和形成于被研磨面的起伏程度的降低。

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【技术保护点】

1.一种研磨垫，其用于研磨碳化硅基板，其特征在于，

2.一种研磨方法，其研磨碳化硅基板，其特征在于，

【技术特征摘要】

1.一种研磨垫，其用于研磨碳化硅基板，其特征在于，

【专利技术属性】
技术研发人员：有福法久，佐藤武志，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：

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